【文章內容簡介】 究。 具有里程碑意義的技術 ? 1955年菲克 (Fick)提出了基本 擴散理論 。 ? 1957年安卓斯 (Andrus)把古老的圖形曝光技術應用在半導體器件的制作上，利用一些感光而且抗刻蝕的聚合物 (即光阻 )來做圖形的轉移。圖形曝光技術是半導體工業(yè)中的一個關鍵性的技術，圖形曝光的成本就占了 35％以上。 ? 1957年弗洛區(qū) (Frosch)和德利克 (Derrick)提出氧化物掩蔽層方式 (oxide masking method)，發(fā)現氧化層可以阻止大部分雜質的擴散穿透。 ? 同年，雪弗塔 (Sheftal)等人提出用化學氣相淀積 (CVD)外延生長技術。是在具有晶格結構的晶體表面上，生長出一層半導體晶體薄膜的技術，這種技術對改善器件特性或制造新穎結構器件而言非常重要。 ? 1958年肖克萊 (Shockley)提出了離子注入 (ion implantation)技術來摻雜半導體，這種技術可以精確地控制摻雜原子的數目。從此擴散和離子注入兩種技術可以相輔相成，用來摻雜。 ? 1959年科比 (Kilby)提出集成電路的雛型。它包含了一個 BJT、三個電阻和一個電容，所有的器件都由鍺做成，而且由接線相連成一個混合的電路。 ? 1959年諾依斯 (Noyce)提出一個在單一半導體襯底上做成的集成電路。 ? 1960年由荷尼 (Hoerni)提出平面 (planar)工藝，整個半導體表面先生成一層氧化層，再用圖形曝光刻濁工藝；將部分的氧化層移除，并留下一個窗口 (window)，然后將雜質透過窗口摻雜到半導體表面后形成 pn結。 ? 1963年由萬雷斯 (Wanlass)和薩支唐 (Sah)提出 CMOS的觀念，CMOS優(yōu)點是只有在邏輯狀態(tài)轉換時 (如從 0到 1)才會產生大電流，而在穩(wěn)定狀態(tài)時只有極小的電流流過，所以功率耗損可以大幅度減少，對先進集成電路而言， CMOS技術是最主要的技術。 具有里程碑意義的技術 ? 1967年丹納 (Dennard)發(fā)明了一項由兩個器件組成的極重要的電路，即動態(tài)隨機存儲器 (DRAM).存儲單元器件包含了一個MOSFET和一個儲存電荷的電容，其中 MOSFET作為使電 容充電或放電的開關。應用在非便攜式 (nonportable)電子系統(tǒng)中的第一選擇。 ? 1969年柯文 (Kerwin)等人提出了多晶硅自對準柵極工藝，這個工藝不但改善了器件的可靠性，還降低了寄生電容。 ? 同年，門納賽維 (Manasevit)和辛浦生 (simpson)提出金屬有機化學氣相淀積技術 (MOCVD)。對化合物半導體而言，這是二種非常重要的外延技術。 ? 1971年爾文 (Irving)等人提出，利用 CF4O2的混合氣體來到蝕硅晶片。當器件的尺寸變小，為了增加圖形轉移的可靠度，干法刻蝕 (dry etching)技術取代了濕法腐蝕技術。 ? 同年，卓以和 (Cho)提出了分子束外延 (MBE)技術，可以近乎完美地控制原于的排列，所以也可以控制外延層組成和摻雜濃度，這項技術也帶來了許多光器件和量子器件的發(fā)明。 具有里程碑意義的技術 ? 1971年霍夫 (Hoff)等人制造出來第一個微處理器 (microprocessor)，將一個簡單電腦的中央處理單元 (CPU)放在一個芯片上，這就是如圖的四位微處理器 (Intel 4004)，其芯片大小是3mm 4mm，并且包含了 2300個 p型溝道多晶硅柵極工藝做成，設計規(guī)范是 8um。這是半導體工業(yè)上一個重大的突破。 具有里程碑意義的技術 ? 1982年由朗 (Rung)等人提出溝槽式絕緣技術，用以隔絕 CMOS器件。目前這種方法幾乎已取代了所有其他的絕緣技術。 ? 1989年達閥利 (Davari)等人提出了化學機械拋光方法（ CMP），以得到各層介電層的全面平坦化 (global planarization)，這是多層金屬布線的關鍵技術。 ? 1993年帕拉查克（ Paraszczak）等人提出在尺寸長度小到 100nm時，以銅導線取代鋁導線的想法。在亞微米器件中，電致遷移(electromigration)即當強電流通過導線時，使導線的金屬離子遷移的情形。銅的抗電致遷移高且電阻率比鋁低。 器件尺寸等比例縮小后，要求開發(fā)新的技術，工業(yè)界認為三個關鍵的技術 是：溝槽式隔離（ trench isolation）、化學機械拋光 (chemicalmechanical polishing， CMP)和銅布線 具有里程碑意義的技術 微電子技術是高科技和信息產業(yè)的核心技術，微電子產業(yè)是基礎性產業(yè)，之所以發(fā)展得如此之快，除了技術本身對國民經濟的巨大貢獻之外，還與它極強的滲透性有關。另外，現代戰(zhàn)爭將是以集成電路為關鍵技術，以電子戰(zhàn)和信息戰(zhàn)為特點的高技術戰(zhàn)爭。 國際微電子發(fā)展的趨勢是集成電路的特征尺寸將繼續(xù)縮小，集成電路 (IC)將發(fā)展為系統(tǒng)芯片 (SOC)。微電子技術和其他學科相結合將產生很多新的學科生長點，與其他產業(yè)結合成為經濟增長點。芯片是信息時代最重要的基礎產品之一，如果把石油比作傳統(tǒng)工業(yè) 血液 的話，那么芯片則是信息時代 IT產業(yè)的 心臟 和 大腦 。無論是小到日常生活的電視機、 VCD機、洗衣機、移動電話、計算機等家用消費品，還是大到傳統(tǒng)工業(yè)的各類數控機床和國防工業(yè)的導彈、衛(wèi)星、火箭、軍艦等都離不開這小小的芯片。 我國在芯片領域可以用 起了個大早、趕了個晚集 來形容。 早在 1965年，我國的集成電路就開始起步，而此時世界上最著名的芯片制造商英特爾還沒有成立。由于體制等眾多的原因，我國在這一領域與國外差距越來越大。從市場份額來看， 2022年國產芯片年銷售額為 ，占世界芯片產量的 %左右；從技術上看，總體