dsp內(nèi)部結(jié)構(gòu)ppt課件(編輯修改稿)
2025-05-25 22:02 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 。 C16： 雙 16位 /雙精度算術運算方式控制位； 用來決定 ALU的算術運算方式 。 C16=0 ALU工作在雙精度算術運算方式； C16=1 ALU工作在雙 16位算術運算方式 。 FRCT： 小數(shù)方式控制位； 用 來確定乘法器的運算方式 。 FRCT=1 乘法器的輸出左移一位 ， 消除多余的符號位 。 CMPT： 間接尋址輔助寄存器修正方式控制位； 用來決定 ARP是否進行修正 。 CMPT= 在進行間接尋址單操作數(shù)時 ， 不修正 ARP； CMPT= 在進行間接尋址單操作數(shù)時 ， 修正 ARP。 ASM： 累加器移位方式控制位 。 為某些具有移位操作的指令設定一個從 16~15范圍內(nèi)的移位值 。 主要反映處理器的尋址要求 、 計算初始狀態(tài)的設置 、 I/O及中斷的控制等 。 47 LD 23, DP LD 3, ASM ◆ 可以使用 LD指令修改 DP和 ASM。例如： ◆ ST0、 ST1包括了各種條件和方式的狀態(tài) ， 是存儲器映射寄存器 （ 使用數(shù)據(jù) 0頁數(shù)據(jù)存儲器來當作寄存器用 ，不專門設計寄存器 ， 可簡化設計 、 增加數(shù)據(jù)存儲器的使用靈活性 ） ， 因此可以使用數(shù)據(jù)存儲器讀寫指令 ， 保存 、 修改它們 。 ◆ 對 ST0、 ST1中單獨的一位 ， 可以使用 RSBX和 SSBX指令修改 。 例如： RSBX SXM SSBX 1, 8 48 3． 工作方式狀態(tài)寄存器 PMST SST SMUL CLKOFF DROM AVIS OVLY MP/MC IPTR 0 1 2 3 4 5 6 15~7 主要設定和控制處理器的工作方式和存儲器的配置 ， 反映處理器的工作狀態(tài) 。 中 斷 向 量 指 針 CPU 工 作 方 式 選 擇 位 RAM 重 復 占 位 標 志 地 址 可 見 控 制 位 數(shù) 據(jù) ROM 映 射 選 擇 位 時 鐘 輸 出 選 擇 位 乘 法 飽 和 方 式 位 存 儲 飽 和 位 49 PMST（處理器工作方式控制及狀態(tài)寄存器） 四、 TMS320C54x的存儲分配 51 所有 ’C54x芯片都含有片內(nèi) RAM和 ROM。 片內(nèi) RAM SARAM DARAM —— 單尋址 RAM —— 雙尋址 RAM DARAM： 由存儲器內(nèi)的一些分塊組成。 每個 DARAM塊在單周期內(nèi)能被訪問 2次。 SARAM： 由存儲器分塊組成。 每個 SARAM塊在單周期內(nèi)只能被訪問 1次。 DARAM和 SARAM既可以 被映射到數(shù)據(jù)存儲空間用來存儲數(shù)據(jù)，也可以映射到程序空間用來存儲程序代碼。 片內(nèi) ROM： 主要存放固化程序 和系數(shù)表 。 一般構(gòu)成程序存儲空間，也可以部分地映射在數(shù)據(jù)存儲空間。 1 ’C54x的存儲空間結(jié)構(gòu) 52 片內(nèi)存儲器的優(yōu)點： ● 不需要插入等待狀態(tài)； ● 與外部存儲器相比 ， 成本低； ● 比外部存儲器功耗小。 53 第 2章 TMS320C54x的內(nèi)部結(jié)構(gòu) TMS320VC5402存儲器配置結(jié)構(gòu) 中斷矢量表 (內(nèi)部存儲器 ) FF80H FFFFH 保留 FF00H FF7FH 內(nèi)部 ROM F000H FEFFH 外部存儲器 4000H EFFFH OVLY=1 內(nèi)部 DARAM OVLY=0 外部存儲器 0080H 3FFFH OVLY=1 保留 (0頁 ) OVLY=0 外部存儲器 0000H 007FH 程序存儲空間 地址 MP/MC=0 微計算機模式 中斷矢量表 (外部存儲器 ) FF80H FFFFH 177。 163。193。244。 FF7FH 198。 172。196。218。ROM 外部存儲器 4000H OVLY=1 內(nèi)部 DARAM OVLY=0 外部存儲器 0080H 3FFFH OVLY=1 保留 (0頁 ) OVLY=0 外部存儲器 0000H 007FH 程序存儲空間 地址 外部存儲器 MP/MC=1 微處理器模式 數(shù)據(jù)存儲空間 地址 DROM控制的 數(shù)據(jù)存儲空間 DROM=1 保留 FFFFH DROM=0 外部存儲器 FF00H DROM=0 外部 ROM DROM=1 內(nèi)部 ROM F000H FEFFH 外部存儲器 4000H EFFFH 內(nèi)部 DARAM (16K 16位 ) 0080H 3FFFH 存儲器映像寄存器 暫存寄存器 0000H 005FH 0060H 007FH DROM=1 保留 DROM=0 外部存儲器 FF00H FFFFH DROM=1 內(nèi)部 ROM DROM=0 外部存儲器 F000H FEFFH 外部存儲器 4000H EFFFH 內(nèi)部 DARAM (16K 16位 字） 0080H 3FFFH 暫存器 SPRAM 0060H 007FH 存儲器映像 寄存器 0000H 005FH 地址 數(shù)據(jù)存儲空間54 39。C54x的片內(nèi)存儲器包括 DARAM、 SARAM和 ROM三種 。 不同芯片的片內(nèi)存儲器配置有所不同 。 PMST中的 MP/MC、 DROM和 OVLY影響到片內(nèi)存儲器的配置情況 。 1） MP/MC=0，片內(nèi) ROM映射到程序存儲器空間。 MP/MC=1，片內(nèi) ROM不映射到程序存儲器空間。 2） OVLY=1， 片內(nèi) RAM同時映射到程序和數(shù)據(jù)存儲 器空間。 OVLY=0，片內(nèi) RAM只映射到數(shù)據(jù)存儲器空間。 3） DROM=1，部分片內(nèi) ROM被映射到數(shù)據(jù)存儲器空間。 DROM=0，片內(nèi) ROM都被映射到程序存儲器空間。 55 程序執(zhí)行前數(shù)據(jù)和程序存儲器的值 程序執(zhí)行后數(shù)據(jù)和程序存儲器的值 執(zhí)行一段向數(shù)據(jù)存儲單元 2022H開始的地址寫數(shù)據(jù)的程序 ,OVLY=1 56 程序執(zhí)行前數(shù)據(jù)和程序存儲器的值 程序執(zhí)行后數(shù)據(jù)和程序存儲器的值 OVLY=0 57 TMS320VC5416存儲器空間分配圖 58 2． 程序存儲空間的分頁擴展 在 ’ C54x系列芯片中 ， 有些芯片采用分頁擴展的方法 ， 使程序存儲空間可擴展到 1M~8M。 如： ’ C5409和 ’ C5416可擴展到 8M。 ’C5402有 20條外部程序地址總線 ， 其程序 空間只能擴展到 1M。 59 2． 程序存儲空間的分頁擴展 分頁擴展技術的 特點： ① 有 20或 23條外部 程序地址線 ， 可尋址 1M或 8M存儲空間 ； ② 有 1個額外的存儲器映 像 寄存器 — 程序計數(shù)器擴展寄存器 XPC； ③ 有 6條尋址擴展程序空間的指令 ， 用于尋址擴展程序空間 。 60 2． 程序存儲空間的分頁擴展 當 OVLY=0時，內(nèi)部 RAM不允許映射到程序空間，程序空間分成 128頁，每頁 64K。 XPC=127 XPC=1 XPC=0 Page127 64K 7F 0000H … … … 7F FFFFH 02 0000H 02 FFFFH Page1 64K 01 0000H 01 FFFFH
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