【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ???外加 例 4： oI?or求 ro的步驟： 1) 斷開負(fù)載 RL oU?3) 外加電壓 oI?4) 求 2) 令 或 0i ?U? 0S ?E?ERI?βRrRr????1// sbeEoSBS // RRR ??下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 總結(jié)：動(dòng)態(tài)分析的基本思路 （ 1）找出放大器的的交流通道 （ 2）用三極管的小信號(hào)模型取代三極管 下一節(jié) 上一頁(yè) 下一頁(yè) 返 回 上一節(jié) 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 直流負(fù)載線 (UCE = UCC– ICRC)： 反映靜態(tài)時(shí)電流 IC和 UCE的變化關(guān)系 , 由于 C2的隔直作用 , 不考慮負(fù)載電阻 RL。 圖解法 1. 交流負(fù)載線 交流負(fù)載線： 反映動(dòng)態(tài)時(shí)電流 iC和 uCE的變化關(guān)系 , 視 C2為短路， RL與RC并聯(lián)，所以交流負(fù)載線比直流負(fù)載線要陡些。 +UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) iC uCE Q UCE=UCC–ICRC 直流負(fù)載線 帶負(fù)載時(shí)的交流負(fù)載線 LCCCELCCCELcCEceCECE)()(RiRIURIiURiUuUuL???????????????CELCLCEC1 uRIRUi?????????????此直線過 Q點(diǎn)，斜率為 LR1??交流負(fù)載線 cCC iIi ??ceCECE uUu ??+UCC RS es RB RC C1 C2 T + + + – RL ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 0 iB 181。A uBE/V Q1 Q Q2 60 40 20 0 0 60 40 20 IB UBE t t 181。A iB iB ib ube uBE/V 2. 動(dòng)態(tài)分析圖解法 （ 1） 在輸入特性上作圖 uBE = UBE+ ui iB = IB+ ib 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 0 IB= 40181。A 20 60 80 3 Q 1. 5 6 12 N 0 M t 0 0 Q 1 IC ic UCE Ucem uce (uo) 3 9 uCE /V uCE /V t 3 6 9 （ 2） 在輸出特性上作圖 iC= ? iB Q 2 iC / mA iC / mA 輸入輸出反相 uCE = UCE+ uce iC = IC+ ic 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 2. 動(dòng)態(tài)分析圖解法 uBE/V ic 由 uo和 ui的峰值（或峰峰值）之比可得放大電路的電壓放大倍數(shù)。 Q uCE/V t t t iC/mA IC iB/?A uBE/V t UBE UCE iC/mA uCE/V O O O O O O Q Q1 Q2 ui uo iB/?A IB ib Q1 Q2 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 結(jié) 論 （ 1）交流信號(hào)的傳輸情況 ui (即 ube) ib iC u0（ 即 uce ） （ 2）電壓和電流都含有直流分量和交流分量 uBE = UBE+ ube uCE = UCE+ uce iB = IB+ ib iC = IC+ ic （ 4）電壓放大倍數(shù)等于圖中輸出正弦電壓的 幅值與輸入正弦電壓的幅值之比。 RL的阻值小，交流負(fù)載線愈陡，電壓放大倍數(shù)下降得也愈多。 （ 3）輸入信號(hào)電壓 ui和輸出電壓 u0相位相反 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 3. 非線性失真 (nonliear distortion) 如果 Q設(shè)置不合適，晶體管進(jìn)入截止區(qū)或飽和區(qū)工作，將造成非線性失真。 輸出波形較輸入波形發(fā)生畸變，稱為失真。 若 Q設(shè)置過高， 晶體管進(jìn)入飽和區(qū)工作，造成飽和失真。 Q2 uo 適當(dāng)減小基極電流可消除失真。 UCE Q uCE/V t t iC/mA IC iC/mA uCE/V O O O Q1 用圖解法進(jìn)行放大器失真分析 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 3. 非線性失真 若 Q設(shè)置過低， 晶體管進(jìn)入截止區(qū)工作，造成截止失真。 適當(dāng)增加基極電流可消除失真。 ui uo t iB/?A iB/?A uBE/V t uBE/V UBE O O O Q Q uCE/V t iC/mA uCE/V O O UCE 如果 Q設(shè)置合適，信號(hào)幅值過大也可產(chǎn)生失真，減小信號(hào)幅值 可消除失真。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定 合理設(shè)置靜態(tài)工作點(diǎn)是保證放大電路正常工作的先決條件。但是放大電路的靜態(tài)工作點(diǎn)常因外界條件的變化而發(fā)生變動(dòng)。 前述的 固定偏置放大電路 ，簡(jiǎn)單、容易調(diào)整，但在溫度變化、三極管老化、電源電壓波動(dòng)等外部因素的影響下，將引起靜態(tài)工作點(diǎn)的變動(dòng)，嚴(yán)重時(shí)將使放大電路不能正常工作，其中影響最大的是溫度的變化。 (Stabilization of static operating point) 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) Qv CE /Vi C / mAi B =0I BQ 11. 溫度變化對(duì) ICBO的影響 2. 溫度變化對(duì)輸入特性曲線的影響 溫度 T ? ? 輸出特性曲線上移 )()C25C B O (C B O 00TTkT eII ??? ??)( 30)C25B E (BE 0 ??? ????? TTVV T溫度 T ? ? 輸入特性曲線左移 3. 溫度變化對(duì) ? 的影響 溫度每升高 1 176。 C ， ? 要增加 %?% 溫度 T ? ? 輸出特性曲線族間距增大 溫度變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 QvCE/ViC/ mAiB =0IBQ1下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 溫度變化對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 在固定偏置放大電路中， 當(dāng)溫度升高時(shí)， UBE?、 ? ? 、 ICBO ?。 上式表明，當(dāng) UCC和 RB一定時(shí)， IC與 UBE、 ? 以及 ICEO 有關(guān) ，而這三個(gè)參數(shù)隨溫度而變化。 C B OBBECCC E OBC)1( IβRUUβIIβI??????溫度升高時(shí)， IC將增加，使 Q點(diǎn)沿負(fù)載線上移。 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) iC uCE Q 溫度升高時(shí)，輸出特性曲線上移 Q180。 固定偏置電路的工作點(diǎn) Q點(diǎn)是不穩(wěn)定的，為此需要改進(jìn)偏置電路。 當(dāng)溫度升高使 IC 增加時(shí)，能夠自動(dòng)減少 IB，從而抑制 Q點(diǎn)的變化，保持 Q點(diǎn)基本穩(wěn)定。 結(jié)論： 當(dāng)溫度升高時(shí)， IC將增加，使 Q點(diǎn)沿負(fù)載線上移，容易使晶體管 T進(jìn)入飽和區(qū)造成飽和失真，甚至引起過熱燒壞三極管。 O 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 分壓式偏置電路 1. 穩(wěn)定 Q點(diǎn)的原理 B2 II ??若滿足： 基極電位基本恒定，不隨溫度變化。 2B2B RIV ?2B1BCC21 RRUII???CC2B1B2BB URRRV??VB RB1 RC C1 C2 RB2 RE RL I1 I2 IB + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 分壓式偏置電路 1. 穩(wěn)定 Q點(diǎn)的原理 EEBEBBE IRVVVU ????BEB UV ??若滿足：EBEBEBEC RVRUVII???? 集電極電流基本恒定，不隨溫度變化。 VB RB1 RC C1 C2 RB2 RE RL I1 I2 IB + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 從 Q點(diǎn) 穩(wěn)定的角度來看似乎 I VB越大越好。 但 I2 越大， RBRB2必須取得較小，將增加損耗，降低輸入電阻。 而 VB過高必使 VE也增高，在 UCC一定時(shí)，勢(shì)必使 UCE減小，從而減小放大電路輸出電壓的動(dòng)態(tài)范圍。 在估算時(shí)一般選?。? I2= (5 ~10) IB， VB= (5 ~10) UBE， RB RB2的阻值一般為幾十千歐。 參數(shù)的選擇 VB RB1 RC C1 C2 RB2 RE RL I1 I2 IB + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 旁路 電容 Q點(diǎn)穩(wěn)定的過程 T UBE IB IC VE IC VB 固定 RE： 溫度補(bǔ)償電阻 對(duì)直流： RE越大 ,穩(wěn)定 Q點(diǎn) 效果越好； 對(duì)交流： RE越大 ,交流損失越大 ,為避免交流損失加旁路電容 CE。 本電路穩(wěn)壓的過程實(shí)際是由于加了 RE形成了 負(fù)反饋 過程 UBE = VB – VE CC2B1B2BB URRRV??VB RB1 RC C1 C2 RB2 RE RL I1 I2 IB + + +UCC ui uo + + – – IC RS eS + – CE + 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 2. 靜態(tài)工作點(diǎn)的計(jì)算 CC2B1B2B URRRV B??EBEBEC RUVII ??? CBβII ?EECCCCCE RIRIUU ???估算法 : VB + C2 RL uo + – C1 ui + – RS eS + – RB1 RC RB2 CE RE I1 I2 IB + + +UCC IC 斷開 斷開 斷開 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 3. 動(dòng)態(tài)分析 對(duì)交流： 旁路電容 CE 將 RE 短路 ， RE不起作用 ， Au， ri， ro與固定偏置電路相同 。 如果去掉 CE ， Au， ri， ro ？ 旁路電容 Bypass capacitor RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + – – RS eS + – 下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) RB1 RC C1 C2 RB2 CE RE RL + + + +UCC ui uo + + – – RS eS + – 去掉 CE后的 微變等效電路 2B1BB // RRR ?短路 對(duì)地 短路 如果去掉 CE ， Au， ri， ro ? rbe RB RC RL E B C + + + RS iU?iI? bI? cI?oU?bIβ?SE?eI?RE BRI?下一頁(yè) 總目錄 章目錄 返回 上一頁(yè) 無旁路電容 CE 有旁路電容 CE EbeL) 1( RβrRβA