計算機電磁屏蔽機房建設技術(shù)方案(編輯修改稿)
2024-11-28 18:07 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 于電流的方向上開縫，因為這種縫隙切斷了感應電流的通路，破壞了反射作用的感應，致使屏蔽效果極小，乃至到零，同時屏蔽體（特別是金屬板組成的屏蔽體）上若存在孔洞和縫隙，當有電流從其周邊通過時，則必然產(chǎn)生無 線效應，同樣會導致屏蔽效果的下降。 如果選用銅為屏蔽材料，由上式可得厚度為 10 密耳或 就夠了。 第三章 電磁波衰減的計算 屏蔽體表面的反射衰減不但與屏蔽材料的表面阻抗η s 有關(guān) ,也與波阻抗的大小及屏蔽體到輻射源的距離有關(guān)。其中波阻抗的大小又與輻射源的類型（電的或磁的）有關(guān)，不同輻射源在屏蔽體上產(chǎn)生的反射衰減 R 為： 對于低阻抗源 (磁場源 ) R=20log10{[(μr/fqr)/D]+(fqr/μr) 189。+}db 式中 D 為點源與屏 蔽體的距離 (CM) 對于平面波輻射源 R=16810log10(fμr/qr)db 對于高阻抗源 (電場源 ) R=36220log10[(μrf3/qr)189。D]db 前面談到反射衰減和吸收衰減 ,不可能全部衰減完，還有剩余的能量到材料的另一表面，為后一表面新反射，重新折回屏蔽殼體內(nèi)部，就形成內(nèi)部反射，叫做內(nèi)部衰減，一般使用的 A 值都大于 15db，故不考慮，但如果使用的屏蔽材料比較薄時， A 值又小，就必須加以考慮，一般內(nèi)部衰減反射多次，其表示如下： B=20log10|1WA/10（ ） |db W=4(1M2)22M2J23/2M(1M2)/[1+(1+21/2 M)2]2 M=(fqr/μr)1/2 上式中除低頻阻抗場外一般 第四章 電磁場屏蔽方式 對電磁場屏蔽要求較高的場合，可采用多層屏蔽結(jié)構(gòu)，根據(jù)需要的屏蔽性能的不同，有三種方式。 ☆ 電屏蔽和磁屏蔽的組合屏蔽 ☆ 多層電屏蔽 ☆ 多層磁屏蔽 組合屏蔽與多層屏蔽的總屏蔽效果理論上講是之和數(shù)值，但實際上是不同的，這種差 異的原因是由于只有處于非磁飽和狀態(tài)的屏蔽材料，其屏蔽層才能獲得預期的屏蔽效果。 通常屏蔽的吸收損耗能達到 100db 數(shù)量級時已能夠滿足大多數(shù)情況的屏蔽要求。若使用 10 密耳（ ）厚的銅皮將一個房間 6面包圍起來，電源引入線端設置一個高頻濾波器以防止高頻電磁波沿電源線引起的泄漏，一般可獲得 100db 量級的吸收損耗的屏蔽效果，再對于采光、通風、窗、孔，采用金屬網(wǎng)作屏蔽層（金屬網(wǎng)孔越密越小，一般采用 的網(wǎng)孔）效果為最佳。 采用單層金屬網(wǎng)屏蔽只能獲得 40～ 50db 的屏蔽效果，如要取更大的屏蔽效果，應采用雙 層或三層金屬網(wǎng)屏蔽，屏蔽層內(nèi)的電源線除安裝高頻濾波器外，還應加裝不同截止頻率的低通濾波器，同時室內(nèi)的電源線需要采用屏蔽電纜敷設。 從理論上可以證明，屏蔽材料厚度增加，電波穿透深度及其吸收衰減亦大，但在高頻時由于電流的趨膚效應，拼命加厚屏蔽層沒有什 么意義。一般單層鋼板的厚度δ取 ～ 2MM，雙層鋼板的厚度δ在～ 即可。 第五章 屏蔽室總體布局 屏蔽室通常為長方體，它可以與土建絕然分開而單獨存在，也可以與土建緊密結(jié)合融成一體，而后者更為適用，通常分為下列幾種： 屏蔽機房單獨安放在土建完工的室內(nèi)，它與土建無特殊的關(guān)連，這種形式適用于小型機房，特別適宜舊房改作屏蔽機房之用的情況，在土建上沒有多大的改建要求，但要復核樓板的荷重，如達不到需求時，應做非金屬材料的加固處理。其缺點是空間利用率低，費用較高。 屏蔽機房與建筑墻體有多種聯(lián)系（如支承、依托、吊柱），它與土建有密切關(guān)系，適用于中型機房，其優(yōu)點是擴大了機房實用面積。 屏蔽機房的四周墻板也是建筑墻體，起到 分隔空間作用，屏蔽壁板提供了吸音，隔熱等功能，從而使機房總造價降低，這種形式適用大中型機房。 第七章 屏蔽室結(jié)構(gòu)形式及施工注意事項 根據(jù)建筑物條件，對屏蔽室結(jié)構(gòu)的技術(shù)要求可以選擇： 用連續(xù)焊接的方法，將金屬屏蔽層拼接成一個完整的六面體。根據(jù)屏蔽衰減的技術(shù)要求，即可以做單層，也可以做雙層屏蔽體。雙層焊接式屏蔽室需在兩層金屬屏蔽體之間設 25 毫
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