變頻器原理及應(yīng)用試卷(編輯修改稿)
2025-04-23 01:52 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 外部連接的端子分為主電路端子和 控制電路端子 。34．變頻器頻率給定有兩種方法，一種是用變頻器的操作面板來輸入頻率的數(shù)字量；另一種是從控制接線端子上用外部給定信號進(jìn)行調(diào)節(jié)35．上限頻率和下限頻率是指變頻器輸出的最高、最低頻率，一般可通過 參數(shù) 來設(shè)置。36．跳躍頻率也叫 回避頻率 ，是指不允許變頻器連續(xù)輸出的頻率，常用表示。37．設(shè)定跳躍頻率=30Hz，=35Hz。若給定頻率為32Hz時，則變頻器的輸出頻 30 Hz。38．點(diǎn)動頻率是指變頻器在 點(diǎn)動 時的給定頻率。39．起動頻率是指電動機(jī)開始起動的頻率，常用 表示。40．變頻器的控制端子中設(shè)置3個開關(guān)xxx3，用其開關(guān)狀態(tài)的組合來選擇頻率，一共可選擇 7 個頻率檔。41．程序控制，有些變頻器中也稱簡易 PLC 控制。42．PID控制是 閉環(huán) 控制中的一種常見形式。43．變頻器和工頻電源的切換有手動和 自動 兩種。44．變頻器的主電路，通常用R、S、T表示交流電源的輸入端，用 U、V、W 表示輸出端。45．變頻器的主電路中，斷路器的功能主要有隔離作用和 保護(hù) 作用。46．變頻器的主電路中，接觸器的功能是在變頻器出現(xiàn)故障時 切斷主電源 ，并防止掉電及故障后的再起動。47．變頻器的主電路中，輸入交流電抗器可抑制變頻器輸入電流的 高次諧波 ，明顯改善功率因數(shù)。48．頻率給定信號的方式有數(shù)字量給定和 模擬量 給定。49．目前變頻器主要使用的串行接口有RS232和 RS485 兩種。50．多臺變頻器上下安裝在同一控制箱里時，其間應(yīng)設(shè)置 隔板 。51．變頻器系統(tǒng)的調(diào)試遵循原則“先 空載 、繼輕載、后 重載 52．低速運(yùn)行是指該生產(chǎn)機(jī)械所需要的 最低 轉(zhuǎn)速。53．低速運(yùn)行時，電動機(jī)應(yīng)在該轉(zhuǎn)速下運(yùn)行 12 h。54．變頻器的組成可分為主電路和 控制 電路。55．變頻器安裝要求 垂直安裝，其正上方和正下方要避免可能阻擋進(jìn)風(fēng)、出風(fēng)的大部件。56．變頻器可以在本機(jī)控制，也可在遠(yuǎn)程控制。本機(jī)控制是由 面板操作來設(shè)定運(yùn)行參數(shù)；遠(yuǎn)控時，通過 外部端子 來對變頻調(diào)速系統(tǒng)進(jìn)行外控操作57．變頻調(diào)速時，基頻以下的調(diào)速屬于 恒轉(zhuǎn)矩 調(diào)速，基頻以上的屬于 恒功率 調(diào)速。58．通過 通訊 接口可以實(shí)現(xiàn)在變頻器與變頻器之間或變頻器與計(jì)算機(jī)之間進(jìn)行聯(lián)網(wǎng)控制。59．變頻器的通、斷電控制一般均采用 接觸器控制 ，這樣可以方便的進(jìn)行自動或手動控制，一旦變頻器出現(xiàn)問題，可立即自動切斷電源。60．變頻調(diào)速過程中，為了保持磁通恒定，必須保持 U/f恒定 。61．變頻器具有多種不同的類型：按變換環(huán)節(jié)可分為交交型和___交直交_ 型。62．變頻器具有多種不同的類型：按改變變頻器輸出電壓的方法可分為脈沖幅度調(diào)制（PAM）型和___脈沖寬度調(diào)制（或PWM）__型。63．變頻器具有多種不同的類型：按用途可分為專用型變頻器和___通用____型變頻器。64．變頻器的PID功能中，P指 比例 ；I指 積分 ；D指 微分 65．變頻器的各種功能設(shè)置與 參數(shù) 有關(guān)。66．一臺變頻器可以控制 多 臺電動機(jī)。67．矢量控制的英文縮寫是 VC 。68． 電力電子器件 是變頻器發(fā)展的基礎(chǔ)。3. 判斷題1.（ ）交交變頻器的最大輸出頻率和市網(wǎng)電壓頻率一樣，為50Hz。2．（ √ ）電流型勃起適用于頻繁可逆運(yùn)轉(zhuǎn)的變頻器和大容量的變頻器中。3．（ √ ）電力二極管常用于將交流電變?yōu)橹绷麟姷恼麟娐分?，也常用于具有回饋或許留作用的逆變電路中。4．（ √ ）晶閘管的門極觸發(fā)電流很小，一般只有幾十毫安到幾百毫安。5．（ √ ）晶閘管導(dǎo)通后，從陽極到陰極可以通過幾百、幾千安的電流。6．（ √ ）要使導(dǎo)通的晶閘管阻斷，必須將陽極電流降低到一個稱為維持電流的臨界值下。7．（ √ ）GTO具有自關(guān)斷能力，屬于全控器件。8．（ √ ）GTR是具有自關(guān)斷能力的全控器件。9．（ √ ）電力MOS場效應(yīng)晶體管簡稱PMOSFET，具有驅(qū)動功率小、控制線路簡單、工作頻率高等特點(diǎn)。10．（ √ ）IGBT綜合了MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，具有輸入阻抗高、工作速度快、通態(tài)電壓低、阻斷電壓高、承受電流大的優(yōu)點(diǎn)。11．（ √ ）IPM的智能化表現(xiàn)為可以實(shí)現(xiàn)控制、保護(hù)、接口3大功能，構(gòu)成混合式功率集成電路。12．（ √ ）電力二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是一個PN結(jié)，加正向電壓導(dǎo)通
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