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正文內(nèi)容

電阻電容電感測(cè)試儀畢業(yè)設(shè)計(jì)(編輯修改稿)

2025-04-22 02:57 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 if (L_select==0)//測(cè)電感 { delay(2000)。//去抖動(dòng) if (L_select == 0) { L_led = 0。 R_led = 1。 C_led = 1。 C_change = 1。 R_change = 1。 F_B = 1。//模擬開關(guān)電感頻率輸出 F_A = 0。 delay(20000)。 pl()。//測(cè)頻 L_deal()。//結(jié)果 daima()。//代碼轉(zhuǎn)換 display()。//顯示 //play()。//語音播放 } } }}3 相關(guān)元器件 元件清單AT89S52芯片一個(gè)(帶DIP40插槽)ICM7218芯片一個(gè)(帶DIP28插槽)74LS390芯片一個(gè)(帶DIP16插槽)CD4052芯片一個(gè)(帶DIP16插槽)555芯片兩個(gè)(帶兩個(gè)DIP8插槽)共陽4位LED數(shù)碼管NPN三極管901PNP三極管9015各兩個(gè)三端穩(wěn)壓管LM7805兩個(gè)5伏光藕兩個(gè)5伏繼電器兩個(gè)二極管兩個(gè)輕觸開關(guān)4個(gè)LED指示燈7個(gè)1K8腳排阻1個(gè)插針若干電阻:1個(gè)2個(gè)680 3個(gè)1K 2個(gè)2K 4個(gè)3K 2個(gè) 1個(gè)10K 6個(gè)20K 1個(gè)30K 1個(gè)100K 2個(gè)560K 1個(gè)電容:30PF 2個(gè)75P 1個(gè)103 2個(gè)203 1個(gè)104 7個(gè) 3個(gè)10UF 1個(gè)470UF 2個(gè)1000uF 2個(gè) AT89S52資料單片機(jī)也被稱為微控制器(Microcontroler),是因?yàn)樗钤绫挥迷诠I(yè)控制領(lǐng)域。單片機(jī)由芯片內(nèi)僅有CPU的專用處理器發(fā)展而來。最早的設(shè)計(jì)理念是通過將大量外圍設(shè)備和CPU集成在一個(gè)芯片中,使計(jì)算機(jī)系統(tǒng)更小,更容易集成進(jìn)復(fù)雜的而對(duì)提及要求嚴(yán)格的控制設(shè)備當(dāng)中。INTEL的Z80是最早按照這種思想設(shè)計(jì)出的處理器,從此以后,單片機(jī)和專用處理器的發(fā)展便分道揚(yáng)鑣。早期的單片機(jī)都是8位或4位的。其中最成功的是INTEL的8031,因?yàn)楹?jiǎn)單可靠而性能不錯(cuò)獲得了很大的好評(píng)。此后在8031上發(fā)展出了MCS51系列單片機(jī)系統(tǒng)?;谶@一系統(tǒng)的單片機(jī)系統(tǒng)直到現(xiàn)在還在廣泛使用。隨著工業(yè)控制領(lǐng)域要求的提高,開始出現(xiàn)了16位單片機(jī),但因?yàn)樾詢r(jià)比不理想并未得到很廣泛的應(yīng)用。90年代后隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品大發(fā)展,單片機(jī)技術(shù)得到了巨大的提高。隨著INTEL i960系列特別是后來的ARM系列的廣泛應(yīng)用,32位單片機(jī)迅速取代16位單片機(jī)的高端地位,并且進(jìn)入主流市場(chǎng)。而傳統(tǒng)的8位單片機(jī)的性能也得到了飛速提高,處理能力比起80年代提高了數(shù)百倍。目前,高端的32位單片機(jī)主頻已經(jīng)超過300MHz,性能直追90年代中期的專用處理器,而普通的型號(hào)出廠價(jià)格跌落至1美元,最高端的型號(hào)也只有10美元。當(dāng)代單片機(jī)系統(tǒng)已經(jīng)不再只在裸機(jī)環(huán)境下開發(fā)和使用,大量專用的嵌入式操作系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用在全系列的單片機(jī)上。而在作為掌上電腦和手機(jī)核心處理的高端單片機(jī)甚至可以直接使用專用的Windows和Linux操作系統(tǒng)。 單片機(jī)比專用處理器最適合應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng),因此它得到了最多的應(yīng)用。事實(shí)上單片機(jī)是世界上數(shù)量最多的計(jì)算機(jī)?,F(xiàn)代人類生活中所用的幾乎每件電子和機(jī)械產(chǎn)品中都會(huì)集成有單片機(jī)。手機(jī)、電話、計(jì)算器、家用電器、電子玩具、掌上電腦以及鼠標(biāo)等電腦配件中都配有12部單片機(jī)。而個(gè)人電腦中也會(huì)有為數(shù)不少的單片機(jī)在工作。汽車上一般配備40多部單片機(jī),復(fù)雜的工業(yè)控制系統(tǒng)上甚至可能有數(shù)百臺(tái)單片機(jī)在同時(shí)工作。單片機(jī)的數(shù)量不僅遠(yuǎn)超過PC機(jī)和其他計(jì)算的綜合,甚至比人類的數(shù)量還要多。AT89S52主要性能*與MCS51單片機(jī)產(chǎn)品兼容。*8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。*1000次擦寫周期。*全靜態(tài)操作:0Hz~33Hz。*三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器。*32個(gè)可編程I/O口線。*三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器。*八個(gè)中斷源。*全雙工UART串行通道。*低功耗空閑和掉電模式。*掉電后中斷可喚醒。*看門狗定時(shí)器。*雙數(shù)據(jù)指針。*掉電標(biāo)識(shí)符。功能特性描述AT89S52是一種低功耗、高性能 CMOS 8 位微控制器,具有8K 在系統(tǒng)可編程 Flash 存儲(chǔ)器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造,與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)可編程,亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上,擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash,使得AT89S52為眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標(biāo)準(zhǔn)功能:8k字節(jié)Flash,256字節(jié)RAM,32 位I/O口線,看門狗定時(shí)器,2個(gè)數(shù)據(jù)指針,三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器,一個(gè)6向量2級(jí)中斷結(jié)構(gòu),全雙工串行口,片內(nèi)晶振及時(shí)鐘電路。另外,AT89S52可降至 0Hz 靜態(tài)邏輯操作,支持2種軟件可選擇節(jié)電模式??臻e模式下,CPU停止工作,允許RAM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器、串口、中斷繼續(xù)工作。掉電保護(hù)方式下,RAM內(nèi)容被保存,振蕩器被凍結(jié),單片機(jī)一切工作停止,直到下一個(gè)中斷或硬件復(fù)位為止。引腳功能描述VCC電源。GND 地。P0口P0 口是一個(gè)8位漏極開路的雙向I/O口。作為輸出口,每位能驅(qū)動(dòng)8個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P0端口寫“1”時(shí),引腳用作高阻抗輸入。當(dāng)訪問外部程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P0口也被作為低8位地址/數(shù)據(jù)復(fù)用。在這種模式下,P0具有內(nèi)部上拉電阻。在flash編程時(shí),P0口也用來接收指令字節(jié);在程序校驗(yàn)時(shí),輸出指令字節(jié)。程序校驗(yàn)時(shí),需要外部上拉電阻。P1口P1 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O 口,P1輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì) P1 端口寫“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。此外,()和時(shí)器/計(jì)數(shù)器2的觸發(fā)輸入()。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P1口接收低8位地址字節(jié)。P2口P2 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O口,P2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng)4個(gè)TTL邏輯電平。對(duì)P2端口寫“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。在訪問外部程序存儲(chǔ)器或用16位地址讀取外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(例如執(zhí)行MOVX@DPTR)時(shí),P2口送出高八位地址。在這種應(yīng)用中,P2口使用很強(qiáng)的內(nèi)部上拉發(fā)送1。在使用8 位地址(如 MOVX @RI)訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P2口也接收高8位地址字節(jié)和一些控制信號(hào)。P3口P3 口是一個(gè)具有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向 I/O 口,p2 輸出緩沖器能驅(qū)動(dòng) 4 個(gè)TTL 邏輯電平。對(duì) P3 端口寫“1”時(shí),內(nèi)部上拉電阻把端口拉高,此時(shí)可以作為輸入口使用。作為輸入使用時(shí),被外部拉低的引腳由于內(nèi)部電阻的原因,將輸出電流(IIL)。P3口亦作為 AT89S52 特殊功能(第二功能)使用。在flash編程和校驗(yàn)時(shí),P3口也接收一些控制信號(hào)。RST復(fù)位輸入。晶振工作時(shí),RST 腳持續(xù) 2 個(gè)機(jī)器周期高電平將使單片機(jī)復(fù)位??撮T狗計(jì)時(shí)完成后,RST腳輸出96個(gè)晶振周期的高電平。特殊寄存器AUXR(地址8EH)上的DISRTO位可以使此功能無效。DISRTO默認(rèn)狀態(tài)下,復(fù)位高電平有效。ALE/PROG地址鎖存控制信號(hào)(ALE)是訪問外部程序存儲(chǔ)器時(shí),鎖存低8位地址的輸出脈沖。在flash編程時(shí),此引腳(PROG)也用作編程輸入脈沖。在一般情況下,ALE以晶振六分之一的固定頻率輸出脈沖,可用來作為外部定時(shí)器或時(shí)鐘使用。然而,特別強(qiáng)調(diào),在每次訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),ALE脈沖將會(huì)跳過。如果需要,通過將地址為8EH的SFR的第0位置“1”,ALE操作將無效。這一位置“1”,ALE僅在執(zhí)行 MOVX 或 MOVC 指令時(shí)有效。否則,ALE 將被微弱拉高。這個(gè) ALE 使能標(biāo)志位(地址為8EH的SFR的第0位)的設(shè)置對(duì)微控制器處于外部執(zhí)行模式下無效。PSEN外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)(PSEN)是外部程序存儲(chǔ)器選通信號(hào)。當(dāng)AT89S52從外部程序存儲(chǔ)器執(zhí)行外部代碼時(shí),PSEN在每個(gè)機(jī)器周期被激活兩次,而在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí),PSEN將不被激活。EA/VPP訪問外部程序存儲(chǔ)器控制信號(hào)。為使能從0000H到FFFFH的外部程序存儲(chǔ)器讀取指令,EA必須接GND。為了執(zhí)行內(nèi)部程序指令,EA應(yīng)該接VCC。在flash編程期間,EA也接收12伏VPP電壓。XTAL1振蕩器反相放大器和內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生電路的輸入端。XTAL2振蕩器反相放大器的輸出端。特殊功能寄存器并不是所有的地址都被定義了。片上沒有定義的地址是不能用的。讀這些地址,一般將得到一個(gè)隨機(jī)數(shù)據(jù);寫入的數(shù)據(jù)將會(huì)無效。用戶不應(yīng)該給這些未定義的地址寫入數(shù)據(jù)“1”。由于這些寄存器在將來可能被賦予新的功能,復(fù)位后,這些位都為“0”。定時(shí)器2寄存器寄存器T2CON和T2MOD包含定時(shí)器2的控制位和狀態(tài)位,寄存器對(duì)RCAP2H和RCAP2L是定時(shí)器2的捕捉/自動(dòng)重載寄存器。中斷寄存器各中斷允許位在IE寄存器中,六個(gè)中斷源的兩個(gè)優(yōu)先級(jí)也可在IE中設(shè)置。雙數(shù)據(jù)指針寄存器:為了更有利于訪問內(nèi)部和外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器,系統(tǒng)提供了兩路16位數(shù)據(jù)指針寄存器:位于SFR中82H~83H的DP0和位于84H~85。特殊寄存器AUXR1中DPS=0選擇 DP0;DPS=1 選擇 DP1。用戶應(yīng)該在訪問數(shù)據(jù)指針寄存器前先初始化DPS 至合理的值。掉電標(biāo)志位掉電標(biāo)志位(POF)位于特殊寄存器PCON的第四位()。上電期間POF置“1”。POF可以軟件控制使用與否,但不受復(fù)位影響。存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)MCS51器件有單獨(dú)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。外部程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器都可以64K 尋址。程序存儲(chǔ)器如果EA引腳接地,程序讀取只從外部存儲(chǔ)器開始。對(duì)于89S52,如果EA接VCC,程序讀寫先從內(nèi)部存儲(chǔ)器(地址為0000H~1FFFH)開始,接著從外部尋址,尋址地址為:2000H~FFFFH。數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器AT89S52有256字節(jié)片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。高128字節(jié)與特殊功能寄存器重疊。也就是說高128字節(jié)與特殊功能寄存器有相同的地址,而物理上是分開的。當(dāng)一條指令訪問高于7FH的地址時(shí),尋址方式?jīng)Q定CPU訪問高128字節(jié)RAM還是特殊功能寄存器空間。直接尋址方式訪問特殊功能寄存器(SFR)。例如,下面的直接尋址指令訪問0A0H(P2口)存儲(chǔ)單元MOV 0A0H , data使用間接尋址方式訪問高128字節(jié) RAM。例如,下面的間接尋址方式中,R0內(nèi)容為0A0H,訪問的是地址 0A0H 的寄存器,而不是 P2 口(它的地址也是0A0H)。MOV @R0, data堆棧操作也是簡(jiǎn)介尋址方式。因此,高128字節(jié)數(shù)據(jù)RAM也可用于堆??臻g。看門狗定時(shí)器WDT 是一種需要軟件控制的復(fù)位方式。WDT 由 13 位計(jì)數(shù)器和特殊功能寄存器中的看門狗定時(shí)器復(fù)位存儲(chǔ)器(WDTRST)構(gòu)成。WDT 在默認(rèn)情況下無法工作;為了激活WDT,戶用必須往 WDTRST 寄存器(地址:0A6H)中依次寫入 01EH 和 0E1H。當(dāng)WDT 激活后,晶振工作,WDT 在每個(gè)機(jī)器周期都會(huì)增加。WDT 計(jì)時(shí)周期依賴于外部時(shí)鐘頻率。除了復(fù)位(硬件復(fù)位或WDT溢出復(fù)位),沒有辦法停止WDT工作。當(dāng)WDT溢出,它將驅(qū)動(dòng)RSR引腳一個(gè)高個(gè)電平輸出。WDT的使用為了激活WDT,用戶必須向WDTRST寄存器(地址為0A6H的SFR)依次寫入0E1H和0E1H。當(dāng)WDT激活后,用戶必須向WDTRST寫入01EH和0E1H喂狗來避免WDT溢出。當(dāng)計(jì)數(shù)達(dá)到8191(1FFFH)時(shí),13位計(jì)數(shù)器將會(huì)溢出,這將會(huì)復(fù)位器件。晶振正常工作、WDT激活后,每一個(gè)機(jī)器周期WDT都會(huì)增加。為了復(fù)位WDT,用戶必須向WDTRST寫入01EH 和0E1H(WDTRST是只讀寄存器)。WDT 計(jì)數(shù)器不能讀或?qū)?。?dāng)WDT計(jì)數(shù)器溢出時(shí),將給RST引腳產(chǎn)生一個(gè)復(fù)位脈沖輸出,這個(gè)復(fù)位脈沖持續(xù)96個(gè)晶振周期(TOSC),其中 TOSC=1/FOSC。為了很好地使用WDT,應(yīng)該在一定時(shí)間內(nèi)周期性寫入那部分代碼,以避免WDT復(fù)位。掉電和空閑方式下的WDT在掉電模式下,晶振停止工作,這意味這WDT也停止了工作。在這種方式下,用戶不必喂狗。有兩種方式可以離開掉電模式:硬件復(fù)位或通過一個(gè)激活的外部中斷。通過硬件復(fù)位退出掉電模式后,用戶就應(yīng)該給 WDT 喂狗,就如同通常AT89S52 復(fù)位一樣。通過中斷退出掉電模式的情形有很大的不同。中斷應(yīng)持續(xù)拉低很長(zhǎng)一段時(shí)間,使得晶振穩(wěn)定。當(dāng)中斷拉高后,執(zhí)行中斷服務(wù)程序。為了防止WDT在中斷保持低電平的時(shí)候復(fù)位器件,WDT直到中斷拉低后才開始工作。這就意味著WDT應(yīng)該在中斷服務(wù)程序中復(fù)位。為了確保在離開掉電模式最初的幾個(gè)狀態(tài)WDT不被溢出,最好在進(jìn)入掉電模式前就復(fù)位WDT。在進(jìn)入待機(jī)模式前,特殊寄存器AUXR的WDIDLE位用來決定WDT是否繼續(xù)計(jì)數(shù)。默認(rèn)狀態(tài)下,在待機(jī)模式下,WDIDLE=0,WDT繼續(xù)計(jì)數(shù)。為了防止WDT在待機(jī)模式下復(fù)位 AT89S52,用戶應(yīng)該建立一個(gè)定時(shí)器,定時(shí)離開待機(jī)模式,喂狗,再重新進(jìn)入待機(jī)模式。UART在AT89S52中,UAR
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