電池一廠培訓考核試卷(編輯修改稿)
2025-04-21 06:20 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 4+4NH3=Si3N4+12H2 B、CF4+Si+O2=SiF4+CO2C. Si+NaOH=Na2SiO3+H2 D. H2+O2=H2O1電池片鍍膜的厚度是利用光學中的＿＿＿＿ 原理來減少反射。（ C ）A、光程差。 B、相長干涉C、相消干涉 D、光的衍射1電池片SiNx：H薄膜鍍膜厚度和折射率一般控制在（ B ）A、65nm, — B. 75+5nm, —C. 85+5nm, D. 50—60nm, （3分） Snapoff 網(wǎng)版上升速度 Printing speed 回刮漿料速度 Pressure 絲網(wǎng)間距 Speed upward 壓力 Flood speed 印刷速度（5分） 。 ( ) :在保證印刷質(zhì)量的前提下，網(wǎng)板間距越大越好 。 ( ) 、背電極印刷和正電極印刷使用了三種不同的漿料，使用過程中要嚴格區(qū)分開，杜絕混用現(xiàn)象出現(xiàn)。 (√ ) 。( √ ) 。 ( √ )五、問答題（52分）寫出太陽能電池片產(chǎn)業(yè)鏈的分布流程？答：太陽能級硅材料→硅棒和硅片→電池片→組件→系統(tǒng)和應(yīng)用寫出太陽能電池片的生產(chǎn)工藝制造過程？答：來料檢驗——清洗制絨面——擴散（制P/N結(jié)）——（周邊）刻蝕——PECVD（鍍減反射膜）——絲網(wǎng)印刷（正負電極）——燒結(jié)——分類檢測——包裝入庫 刻蝕及去PSG的目的？答：刻蝕的目的：去除邊緣的PN結(jié)，防止上下短路而造成的 并聯(lián)電阻低。 去PSG的目的：去除硅片表面含有磷原子的SIO2層。 邊緣刻蝕冷熱探針的工作原理？答：熱探針和N型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。同樣道理，P型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。 分別寫出刻蝕及去PSG的工藝控制流程？答：刻蝕的流程。 預抽
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