高頻課程設(shè)計報告(1)(編輯修改稿)
2025-04-19 12:51 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 用20kΩ電阻與47kΩ電位器的串聯(lián)組合，以便調(diào)整靜態(tài)工作點。若取=100pF，由得可適當(dāng)調(diào)整的圈數(shù)或的值。電容、由反饋系數(shù)F及電路條件， 決定，若取=510pF，由F=，則取=3600pF，取耦合電容。（2）計算調(diào)頻電路元件參數(shù)值變?nèi)荻O管的靜態(tài)反偏壓VQ由電阻與分壓決定，即 已知，若取，則 最好用10kΩ電阻與47kΩ電位器的串聯(lián)組合，以便調(diào)整靜態(tài)偏壓VQ隔離電阻R3應(yīng)遠(yuǎn)大于、取R3=150kΩ。因接入系數(shù)，一般接入系數(shù)，為減小振蕩回路輸出的高頻電壓對變?nèi)菥w管的影響，n值應(yīng)取小，但n值過小又會使頻偏達(dá)不到指標(biāo)要求?？梢韵热=，然后再調(diào)試。由變?nèi)荻O管特性曲線得到時，對應(yīng)Cj=75pF，則，取標(biāo)稱值20pF低頻調(diào)制信號的耦合支路電容及電感對VQ提供通路，一般的頻率為幾十赫至幾十千赫茲，故取，（固定電感）。高頻旁路電容應(yīng)對調(diào)制信號呈現(xiàn)高阻，取。 高頻功率放大器（1）參數(shù)限定晶體管3DG12的主要參數(shù)為PCM=700mW，ICM=300mA，VCE ≤，hfe≥30，fT≥150MHz晶體管3DA1的主要參數(shù)為PCM=1W，ICM=750mA，VCE ≥，hfe≥10，fT=70MHz，AP≥13dB放大器主要技術(shù)指標(biāo)：輸出功率P0≥500mW，工作中心頻率f0≈5MHz，效率η＞50%，負(fù)載RL=50Ω，功率增益AP≥6dB （2）丙類功率放大器● 確定放大器的工作狀態(tài)為獲得較高的效率η及最大輸出功率P0。放大器的工作狀態(tài)選為臨界狀態(tài)，取，得諧振回路的最佳負(fù)載電阻Re為得集電極基波電流振幅為 得集電極電流脈沖的最大值Icm及其直流分量Ic0，即 Icm=Icm1/α1（）=216mAIc0=Icm0/α0（）=54mA 得電源供給的直流功率PD為 PD=VCCIc0=得集電極的耗散功率PC39。為 PC39。=PDP0=得放大器的轉(zhuǎn)換效率η為 η=P0/PD=77%若設(shè)本級功率增益AP=13dB（20倍），輸入功率Pi為 Pi=P0/AP=25mW得基極余弦脈沖電流的最大值為Ibm（設(shè)晶體管3DA1的直流β=10） Ibm=Icm/β=得基極基波電流的振幅Ibm1為 Ibm1=Ib0α1()=得輸入電壓的振幅Vbm為 ●計算諧振
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