【文章內(nèi)容簡介】 輯門電路。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(I)。P2口:P2口是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的8位雙向I/O口, P2口的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(I)。在訪問外部程序存儲器或16位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(例如執(zhí)行MOVX@DPTR指令)時,P2口送出高8位地址數(shù)據(jù)。在訪問8位地址的外部數(shù)據(jù)寄存器(例如執(zhí)行MOVX@Ri指令)時,P2口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中P2寄存器的內(nèi)容),在整個訪問期間不改變。P3口: P3口是一個帶有內(nèi)部上拉電阻的雙向8位I/O口, P3口的輸出緩沖級可驅(qū)動(吸收或輸出電流)4個TTL邏輯門電路。對P3口寫“1”時,它們被內(nèi)部的上拉電阻拉高并可作為輸入端口。作輸入口使用時,被外部信號拉低的P3口將用上拉電阻輸出電流(I)。RST：復位輸入。當振蕩器工作時，RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上的高電平時間將使單片機復位。WDT溢出將使該引腳輸出高電平,設(shè)置SFR AUXR的DISRTO位(地址8EH)可打開或關(guān)閉該功能。 DISRTO位缺省為RESET輸出高電平打開狀態(tài)。 ALE/:當訪問外部存儲器或數(shù)據(jù)存儲器時，ALE(地址鎖存允許)輸出脈沖用于鎖存地址的低8位字節(jié)。即使不訪問外部寄存器,ALE仍以時鐘振蕩頻率的1/6輸出固定的正脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。值得注意的是:每當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時將跳過一個ALE脈沖。對Flash存儲器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖(PROG)。如有必要,可通過對特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中的8EH單元的D0位置位,可禁止ALE操作。該位置位后,只要一條MOVX和MOVC指令才會激活ALE。此外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應設(shè)置ALE無效。：程序存儲允許()輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當AT89S51由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次有效,即輸出兩個脈沖。當訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時,沒有兩次有效的信號。EA/VPP：外部訪問允許。欲使CPU僅訪問外部程序存儲器（地址為0000HFFFFH），EA端必須保持低電平(接地)。需要注意的是:如果加密位LB1被編程,復位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。如EA端保持高電平(接VCC端)，CPU則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。 功能模塊設(shè)計與分析DS18B20溫度模塊DS18B20是美國DALLAS半導體公司推出的第一片支持“一線總線”接口的溫度傳感器，它具有微型化、低功耗、高性能、抗干擾能力強、易配微處理器等優(yōu)點，可直接將溫度轉(zhuǎn)化成串行數(shù)字信號處理器處理。DS18B20進行精確的溫度轉(zhuǎn)換，I/O線必須保證在溫度轉(zhuǎn)換期間提供足夠的能量，由于每個DS18B20在溫度轉(zhuǎn)換期間工作電流達到1mA，當幾個溫度傳感器掛在同一根I/O線上進行多點測溫時，會造成無法轉(zhuǎn)換溫度或溫度誤差極大。因此，下圖電路只適應于單一溫度傳感器測溫情況下使用，不適宜采用電池供電系統(tǒng)中。并且工作電源VCC必須保證在5V，當電源電壓下降時，寄生電源能夠汲取的能量也降低，會使溫度誤差變大。 數(shù)碼管顯示模塊 74LS138①當一個選通端（E1）為高電平，另兩個選通端（(/E2))和/(E3)）為低電平時，可將地址端（A0、AA2）的二進制編碼在Y0至Y7對應的輸出端以低電平譯出。比如：A2A1A0=110時，則Y6輸出端輸出低電平信號。②利用 EE2和E3可級聯(lián)擴展成 24 線譯碼器；若外接一個反相器還可級聯(lián)擴展成 32 線譯碼器。③若將選通端中的一個作為數(shù)據(jù)輸入端時，74LS138還可作數(shù)據(jù)分配器。④可用在8086的譯碼電路中，擴展內(nèi)存。2引腳功能A0~A2：地址輸入端STA（E1）：選通端/STB（/E2）、/STC（/E3）：選通端（低電平有效）/Y0~/Y7：輸出端（低電平有效）VCC：電源正GND：地A0~A2對應Y0——Y7；A0,A1,A2以二進制形式輸入，然后轉(zhuǎn)換成十進制，對應相應Y的序號輸出低電平，其他均為高電平；①當一個選通端（E1）為高電平，另兩個選通端（(/E2))和/(E3)）為低電平時，可將地址端（A0、AA2）的二進制編碼在Y0至Y7對應的輸出端以低電平譯出。比如：A2A1A0=110時，則Y6輸出端輸出低電平信號。②利用 EE2和E3可級聯(lián)擴展成 24 線譯碼器；若外接一個反相器還可級聯(lián)擴展成 32 線譯碼器。③若將選通端中的一個作為數(shù)據(jù)輸入端時，74LS138還可作數(shù)據(jù)分配器。④可用在8086的譯碼電路中，擴展內(nèi)存。74LS57374LS573與74LS373–8數(shù)據(jù)鎖存器引入幾個概念：1. 真值表參見74LS373的PDF的第2頁：Dn LE OE OnH H L HL H L LX L L QoX X H Z 這個就是真值表，表示這個芯片在輸入和其它的情況下的輸出情況。每個芯片的數(shù)據(jù)手冊（datasheet）中都有真值表。布爾邏輯比較簡單，在此不贅述；2. 高阻態(tài) 就是輸出既不是高電平，也不是低電平，而是高阻抗的狀態(tài)；在這種狀態(tài)下，可以多個芯片并聯(lián)輸出；但是，這些芯片中只能有一個處于非高阻態(tài)狀態(tài)，否則會將芯片燒毀；高阻態(tài)的概念在RS232和RS422通訊中還可以用到。3. 數(shù)據(jù)鎖存 當輸入的數(shù)據(jù)消失時，在芯片的輸出端，數(shù)據(jù)仍然保持；這個概念在并行數(shù)據(jù)擴展中經(jīng)常使用到。4. 數(shù)據(jù)緩沖 加強驅(qū)動能力。74LS244/74LS245/74LS373/74LS573都具備數(shù)據(jù)緩沖的能力。OE：output_enable，輸出使能；LE：latch_enable，數(shù)據(jù)鎖存使能，latch是鎖存的意思；Dn：第n路輸入數(shù)據(jù)；On：第n路輸出數(shù)據(jù)；再看這個真值表，意思如下：第四行：當OE＝1是，無論Dn、LE為何，輸出端為高阻態(tài)；第三行：當OE＝0、LE＝0時，輸出端保持不變；第二行第一行：當OE＝0、LE＝1時，輸出端數(shù)據(jù)等于輸入端數(shù)據(jù)； 結(jié)合下面的波形圖，在實際應用的時候是這樣做的：a． OE＝0；b． 先將數(shù)據(jù)從單片機的口線上輸出到Dn；c． 再將LE從010d． 這時，你所需要輸出的數(shù)據(jù)就鎖存在On上了，輸入的數(shù)據(jù)在變化也影響不到輸出的數(shù)據(jù)了；實際上，單片機現(xiàn)在在忙著干別的事情，串行通信、掃描鍵盤……單片機的資源有限啊。 在單片機按照RAM方式進行并行數(shù)據(jù)的擴展時，使用movx @dptr, A這條指令時，這些時序是由單片機來實現(xiàn)的。后面的表格中還有需要時間的參數(shù)，你不需要去管它，因為這些參數(shù)都是幾十ns級別的，對于單片機在12M下的每個指令周期最小是1us的情況下，完全可以實現(xiàn)；如果是你自己來實現(xiàn)這個邏輯，類似的指令如下：mov P0,A 。將數(shù)