電力電子技術(shù)ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-02-13 18:03 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 。 常用 晶閘管的結(jié)構(gòu)螺栓型晶閘管 晶閘管模塊平板型晶閘管外形及結(jié)構(gòu)器件216。 晶閘管是大功率器件 , 工作時產(chǎn)生大量的熱，因此必須安裝散熱器。216。 螺旋式晶閘管 緊栓在鋁制散熱器上 , 采用自然散熱冷卻方式 , 如圖 (a)所示。216。 平板式晶閘管 由兩個彼此絕緣的散熱器緊夾在中間 , 散熱方式可以采用風(fēng)冷或水冷 , 以獲得較好的散熱效果 ,如圖 (b)、 (c)所 示。器件晶閘管的派生器件常規(guī)快速 晶閘管高頻 晶閘管與普通晶閘管相比快速 晶閘管關(guān)斷時間為數(shù)十微秒高頻 晶閘管關(guān)斷時間為 10μ s左右電壓和電流定額不易做高應(yīng)用于 400Hz和 10kHz以上的斬波或逆變電路中開關(guān)時間以及 du/dt、 di/dt的耐量都有了明顯的改善快速晶閘管器件雙向晶閘管? 是一對反并聯(lián)結(jié)的普通晶閘管的集成。? 有兩個主電極 T1和 T2，一個門極 G。? 門極使器件在主電極的正反兩方向均可觸發(fā)導(dǎo)通。? 不用平均值而用有效值來表示其額定電流值。器件逆導(dǎo)晶閘管是將晶閘管反并連一個二極管制作在同一管芯上的功率集成器件。不具有承受反向電壓的能力，一旦承受反向電壓即開通。與普通晶閘管相比正向壓降小關(guān)斷時間短高溫特性好額定電流 晶閘管電流反并聯(lián)的二極管的電流器件 光控晶閘管（光觸發(fā)晶閘管）? 是利用一定波長的光照信號觸發(fā)導(dǎo)通的晶閘管。? 小功率光控晶閘管只有陽 極和陰極兩個端子。? 大功率光控晶閘管帶有作為觸發(fā)光源的發(fā)光二極管或半導(dǎo)體激光器的光纜。? 光觸發(fā)保證主電路與控制電路之間的絕緣，避免電磁干擾的影響。器件216。 常用的 典型全控型器件電力 MOSFETIGBT單管及模塊器件平板式 器件螺旋式 器件功能模塊 器件散熱器 器件門極可關(guān)斷晶閘管 GTO電力晶體管 GTRC電力場效應(yīng)晶體管 MOS絕緣柵雙極晶體管 IGBTMOS控制晶閘管 MCT靜電感應(yīng)晶體管 SIT靜電感應(yīng)晶閘管 SITH集成門極換流晶閘管 IGCT器件返回216。 早期的電力場效應(yīng)管采用水平結(jié)構(gòu) (PMOS)， 器件的源極S、 柵極 G和漏極 D均被置于硅片的一側(cè) (與小功率 MOS管相似 )。存在通態(tài)電阻大、頻率特性差和硅片利用率低等缺點(diǎn)。 216。 20世紀(jì) 70的代中期將 LSIC垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)應(yīng)用到電力場效應(yīng)管的制作中，出現(xiàn)了 VMOS結(jié)構(gòu)。大幅度提高了器件的電壓阻斷能力、載流能力和開關(guān)速度。216。 20世紀(jì) 80年代以來，采用二次擴(kuò)散形成的 P形區(qū)和 N+型區(qū)在硅片表面的結(jié)深之差來形成極短溝道長度 (1～2μm) ， 研制成了垂直導(dǎo)電的雙擴(kuò)散場控晶體管，簡稱為 VDMOS。216。 目前生產(chǎn)的 VDMOS中絕大多數(shù)是 N溝道增強(qiáng)型，這是由于P溝道器件在相同硅片面積下，其通態(tài)電阻
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