【文章內(nèi)容簡介】 如果把一個小功率二極管直接同一個電源電壓為 、內(nèi)阻為零的電池實行正向連接，電路如圖所示，則后果是該管 （ ）。 (a) 擊穿 (b) 電流為零 (c) 電流正常 (d) 電流過大使管子燒壞 1 . 5 V D+ 8． 電路如圖所示，二極管 D 為理想元件， US =5 V，則電壓 uO= （ ）。 (a) Us (b) US / 2 (c) 零 R LDU Su O++ 9． 電路如圖所示 , 所有二極管均 為理想元件，則 D1 、 D2 、 D3 的工作狀態(tài)為 （ ）。 (a) D1 導通， D2 、 D3 截止 ； (b) D1 、 D2 截止， D3 導通 (c) D1 、 D3 截止， D2 導通 ； (d) D1 、 D2 、 D3 均 截止 D 1D 2R0V+ 6 V? 12 VD3? 3V 第 15 頁 共 45 頁 10． 電路如圖所示，二極管 D1 、 D2 為理想元件，判斷 D1 、 D2 的工作狀態(tài)為 （ ）。 (a) D1 導通， D2 截止 ； (b) D1 導通， D2 導通 (c) D1 截止， D2 導通 ； (d) D1 截止， D2 截止 D1D215V12VR++ 11． 型號為 2CP10 的正向硅二極管導通后的正向壓降約為 （ ）。 (a) 1V (b) V (c) V 12． 電路如圖所示，二極管為同一型 號的 理想元件，電阻 R =4 k?，電位 uA=1V， uB =3V，則電位 uF 等于 （ ）。 (a) 1 V (b) 3 V (c) 12 V R+ 1 2 Vu Au Bu FDD 13． 電路如圖所示，二極管為理想元件， ui=6sin?tV， U=3V，當 ?t =?2 瞬間，輸出電壓 uO 等于 （ ）。 (a) 0 V (b) 6 V (c) 3 V u i RUDu O+++ 14． 電路如圖所示， D 為理想二極管， ui = 6sin? tV，則輸出電壓的最大值 uOM = （ ）。 (a) 6 V (b) 3 V (c) 3 V 第 16 頁 共 45 頁 U3Vu iDR uO+++ 15． 電路如圖 1 所示，已知 U =6V， u =18sin? tV，波形如圖 2，二極管正向?qū)〞r的壓降可忽略不計，則二極管兩端電壓 uD 波形為圖 3 中 （ ）。 u / V18uDV/12UuDUuR0? t? t? t? t 圖 3 圖 2 圖 1? 12? 12DuDV/uDV/000( )c( )b( )a+++U 第 17 頁 共 45 頁 16． 電路如圖 1 所示，二極管 D 為理想元件， U u?3V, i =6sin? tV，則輸出電壓 uO 的波形為圖 2中 （ ）。 3? 6? 36 圖 1 圖 2? t? t? t? tDuiRUuOV/63? 3? 63636uO( b )uOV/( d )( c )( a )uOV/0000uOV/+++9 17． 電路如圖所示， D1 ， D2 均為硅管（正向壓降 )， D 為鍺管（正向壓降 )，U＝ 6V，忽略二極管的反向電流，則流過 D D2 的電流分別為 （ ）。 (a) 2mA， 2mA (b) 0 ， 2mA (c) 2mA， 0 2. 5k ?R 1D 1 D 2+2. 5k ?R 2DU 18． 電路如圖所示， D1， D2 均為理想二極管，當輸入信號 ui=6sinωtV 時，輸出電壓 uO的最大值為 ( )。 (a) +1V (b) +4V (c) +6V 第 18 頁 共 45 頁 1 V4 V10 k ?u i u OD 1 D 2++++ 19． 電路如圖所示， D 為硅二極管，根據(jù)所給出的電路參數(shù)判斷該管為 ( )。 (a) 正偏 (b) 反偏 (c) 零偏 ? 12 V10 k?20 k?1 5 k ?D15k ? 20． 穩(wěn)壓管反向擊穿后，其后果為 （ ）。 (a) 永久性損壞 ； (b) 只要流過穩(wěn)壓管電流不超過規(guī)定值允許范圍，管子無損 (c) 由于擊穿而導致性能下降 21． 動態(tài)電阻 rZ 是表示穩(wěn)壓管的一個重要參數(shù)，它的大小對穩(wěn)壓性能的影響是 （ ）。 (a) rZ 小則穩(wěn)壓性能差 ； (b) rZ 小則穩(wěn)壓性能好 ； (c) rZ 的大小不影響穩(wěn)壓性能 22． 電路如圖所示，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ=10V，穩(wěn)壓管的最大穩(wěn)定電流 IZMAX = 20 mA，輸入直流電壓 UI=20V，限流電阻 R最小應 選 （ ）。 (a) ? (b) ? (c) ? RD ZuIU O++ 23． 電路如圖所示，直流電壓 UI=10V，穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓 UZ=6V，則限流電阻 R 上的壓降 UR 為 （ ）。 (a) 10V (b) 6V (c) 4V (d) 4V 第 19 頁 共 45 頁 RD ZU Ru I U O+++ 24． 圖 1 所示電路中，二極管 D 為理想元件，設 ui=10sinωtV，穩(wěn)壓管 DZ 的穩(wěn)定電壓為5V，正向壓降不計，則輸出電壓 uO 的波形為圖 2 中 （ ）。 RDZ 圖 1510uOV/ 圖 2? t? t? tui uOD( a )( b )( c )uOV/uOV/0005++ 25． 電路如圖所示，穩(wěn)壓管 DZ 正向壓降視為零，它的穩(wěn)定電壓為 7V，則回路中的電流等于 （ ）。 (a) 0 (b) 10mA (c) 25mA (d) RD Z+ 400?3V 26． 電路如圖所示，設 DZ1 的穩(wěn)定電壓為 6V， DZ2 的穩(wěn)定電壓為 12V，設穩(wěn)壓管的正向壓降為 ，則輸出電壓 UO 等于 （ ）。 第 20 頁 共 45 頁 (a) 18V (b) (c) 30V (d) 30 V2 k ?UODZ1D Z2++ 27． 普通雙極型晶體管是由 （ ）。 (a)一個 PN 結組成 (b)二個 PN 結組成 (c) 三個 PN 結組成 28． 測得電路中工作在放大區(qū)的某晶體管三個極的電位分別為 0V、 ? 和 ?，則該管為 （ ）。 (a) NPN 型鍺管 (b) PNP 型鍺管 (c) NPN 型硅管 (d) PNP 型硅管 29． 已知放大電路中某晶體管三個極的電位分別為 VE = ?， VB= ?， VC = 5V， 則 該管類型為 （ ）。 (a) NPN 型鍺管 (b) PNP 型鍺管 (c) NPN 型硅管 (d) PNP 型硅管 30． 圖示的三極管接在放大電路中，該管工作 正常，測得 UBE= ?，則此管的類型為 (a) PNP 型鍺管 ； (b) NPN 型鍺管 ； (c) PNP 型硅管 ； (d) NPN 型硅管 EBC （ ）。 31． 晶體管的主要特點是具有 （ ）。 (a) 單向?qū)щ娦? (b) 電流放大作用 (c) 穩(wěn)壓作用 32． 如果改變晶體管基極電壓的極性，使發(fā)射結由正偏 導通改為反偏，則集電極電流（ ）。 (a) 反向 (b) 近似等于零 (c) 不變 (d) 增大 33． 晶體管處于截止狀態(tài)時，集電結和發(fā)射結的偏置情況為 （ ）。 (a) 發(fā)射結反偏，集電結正偏 (b) 發(fā)射結、集電結均反偏 (c) 發(fā)射結、集電結均正偏 (d) 發(fā)射結正偏，集電結反偏 第 21 頁 共 45 頁 34． 已知某晶體管處于放大狀態(tài)，測得其三個極的電位分別為 6V、 9V 和 ，則 6V所對應的電極為 （ ）。 (a) 發(fā)射極 (b) 集電極 (c) 基極 35． 晶體管的穿透電流 ICEO 是表明 （ ）。 (a) 該管溫度穩(wěn)定性好壞的參數(shù) ； (b) 該管允許通過最大電流的極限參數(shù) ； (c) 該管放大能力的參數(shù) ； 36． 已知某晶體管的 ICEO 為 200?A ，當基極電流為 20?A 時，集電極電流為 1mA，則該管的 ICBO 約等于 （ ）。 (a) 8mA (b) 10 mA (c) 5?A (d) 20?A 37． 單管放大電路的靜態(tài)基極電流 IB適當增加時 ，晶體管的輸入電阻 rbe 將 （ ）。 (a) 減 小 (b) 增 加 (c) 不 變 38． 在計算低頻小功率