【文章內(nèi)容簡介】 硅光電三極管與普通晶體三極管相似 —— 具有 電流放大 作用，只是它的集電極電流不只受基極電流控制，還受光的控制。所以硅光電三極管的外型有光窗。管型分為 pnp型和 npn型兩種， npn型稱 3DU型硅光電三極管，pnp型稱為 3CU型硅光電三極管。 光電三極管的結構和工作原理 光電三極管的結構和工作原理 四、硅光電三極管（光電晶體管） 工作時要保證集電極反偏，發(fā)射極正偏。 當基極沒有引線時，集電極電流為 c b p iI I I S? ? ?? ? ? ? 光電三極管的結構和工作原理 四、硅光電三極管（光電晶體管） 光電三極管的工作原理分為兩個過程：一是光電轉換；二是光電流放大。光電轉換 部分是在集 基結區(qū)內(nèi)進行，而集電極、基極、發(fā)射極構成了一個有放大作用的晶體管。 光電三極管的結構和工作原理 四、硅光電三極管（光電晶體管） 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 400lx 600lx 800lx 1000lx U（ V） ()IA?0 20 40 60 10 20 30 光電二極管伏安特性曲線 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ① 在相同照度下，硅光電三極管的光電流比二極管的大得多，一般硅光電三極管的光電流在毫安量級，硅光電二極管的光電流在微安量級； 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 光電二極管伏安特性曲線 400lx 600lx 800lx 1000lx U（ V） ()IA?0 20 40 60 10 20 30 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ② 在零偏壓時硅光電二極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒有光電流輸出； 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 光電二極管伏安特性曲線 400lx 600lx 800lx 1000lx U（ V） ()IA?0 20 40 60 10 20 30 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ③ 當工作電壓較低時輸出的光電流為非線性，即光電流與偏壓有關，但硅光電三極管的非線性較嚴重； 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 光電二極管伏安特性曲線 400lx 600lx 800lx 1000lx U（ V） ()IA?0 20 40 60 10 20 30 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ③ 當工作電壓較低時輸出的光電流為非線性，即光電流與偏壓有關，但硅光電三極管的非線性較嚴重； ② 在零偏壓時硅光電二極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒有光電流輸出； ① 在相同照度下，硅光電三極管的光電流比二極管的大得多； 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 光電二極管伏安特性曲線 400lx 600lx 800lx 1000lx U（ V） ()IA?0 20 40 60 10 20 30 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ④ 在一定偏壓下，硅光電三極管的伏安特性曲線在低照度時較均勻，在高照度時曲線向上傾斜，雖然光電二極管也有，但硅光電三極管嚴重得多。 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 1）伏安特性 ④ 在一定偏壓下，硅光電三極管的伏安特性曲線在低照度時較均勻，在高照度時曲線向上傾斜，雖然光電二極管也有，但硅光電三極管嚴重得多。 ③ 當工作電壓較低時輸出的光電流為非線性，即光電流與偏壓有關，但硅光電三極管的非線性較嚴重； ② 在零偏壓時硅光電二極管仍然有光電流輸出，而硅光電三極管沒有光電流輸出； ① 在相同照度下，硅光電三極管的光電流比二極管的大得多； 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 2）時間響應（頻率特性） 硅光電二極管的頻率特性主要決定于光生載流子的渡越時間、負載電阻和結電容的乘積。 LRpIDRsRjC LRpIjC化簡 對于調(diào)制頻率 的入射光，輸出電壓為 2 f???11 1 1opL D jUIR R j C???? 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 2）時間響應（頻率特性） 要改善光電二極管的頻率響應，就要較小時間常數(shù)，即分別減小負載電阻和結電容。 LRpIjC考慮 DLRR??2 2 2 1 2 2 1 2[ 1 ] [ 1 ( ) ]p L p LoLjI R I RURC? ? ??????? 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 2）時間響應（頻率特性） 硅光電三極管的頻率特性除了與光電二極管相同外，還受基區(qū)渡越時間和發(fā)射結電容的限制。 pIbcCbcRbeCbeU bercI ceR ceCcCLRbce 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 2）時間響應（頻率特性） 選擇適當?shù)呢撦d電阻，使其滿足 RL＜ Rce，這時可以導出光電三極管電路的輸出電壓為 212ce2L2212be2be2pL0 )(1)(1 CRCrIRU?????? 光電三極管的基本特性 四、硅光電三極管（光電晶體管） （ 3）溫度特性 硅光電二極管和硅光電三極管的暗電流和光電流均隨溫度而變化，但硅光電三極管具有電流放大作用，所以硅光電三極管受溫度的影響要大得多。由于暗電流的增加，使輸出信噪比變差，不利于弱光信號的探測。 PIN光電二極管 五、特殊光電二極管 PIN光電二極管又稱 快速光電二極管 。它的結構特點是，在 P型半導體和 N型半導體之間夾著一層很厚的本征半導體。 PIN光電二極管 五、特殊光電二極管 （ 1） PIN光電二極管因有較厚的 I層，因此 pn結的內(nèi)電場就基本上全集中于 I層，使 pn結間距離拉大，結電容變小。由于工作在反向偏壓下，隨著反偏電壓的增大，結電容變得更小，從而 提高了 PIN光電二極管的頻率響應 。 （ 2）由于 I層較厚，又工作在反偏，使結區(qū)耗盡層厚度增加，提高了對光的吸收和光電變化區(qū)域，使量子效率提高 。 （ 3）同時還增加了對長波的吸收， 提高了長波靈敏度 。 （ 4）由于 I層較厚，在反偏下工作可承受較高的反向偏壓，這 使線性輸出范圍變寬 。 雪崩光電二極管（ APD， Avalanche Photodiode） 五、特殊光電二極管 APD是借助 強電場作用產(chǎn)生載流子雪崩倍增效應的一種 高