【文章內(nèi)容簡介】 )和 UC3842 內(nèi)部的 驅(qū)動脈沖寬度 ， ,從而改變輸出電壓以實現(xiàn)對輸出的控制。這樣 ， 能量周而復始地存貯釋放 ,給輸出端提供電壓。 C12在剛開始時必須存貯足夠的能量才能維持控制系統(tǒng)工作。 3 開關變壓器設計 反激式變壓器是反激開關電源的核心，它決定了反激變換器一系列的重要參數(shù)。 變壓器適用場合：交流電壓變化范圍 190V~570V，工作頻率為 100kHz，直流輸 出為 ① ， ； ② 5V， 500mA； ③ 15V， 100mA。 計算原邊繞組流過的峰值 電流 pkI 每一工作周 期能量乘上工作頻率 f 為輸出的功率 0p fILppkp ?? 20 21 （ 31） 設為不連續(xù)工作模式，在單位時間內(nèi)電流 pI 為 0 至 pkI ，則 onpkpa tILV ? 因為 aon TDt max? 所以 apkpa TDILVmax? （ 32） 式 （ 31）與（ 32）之比為pkppkps ILDILVp 2 max20 ? 化簡得： 電氣工程課程設計（報告） 4 max02DV pIapk ? （ 33） 為求得 pkI ， sV 應以最小值帶入 )(( m in ) VV s ???? 式中的 20V 假設為直流紋波及二極管壓降之和。設反激變壓器最大占空比 ?D ，代入式（ 33）得： )( )(22 m a x0 ADV pI apk ?? ???????? 1) 求出原邊繞組的電感值 由 式（ 32）得 ： pkasp I TDVL m ax(m in)? 假設電壓 sV 波動下限為 7%， )()(246( m in ) VV s ???? 則， mHLp 3 ??? ?? 2) 求 minD 在 (max)sV 時，有最小占空比 minD 。當輸入電壓 sV 由最大到最小變化時，占空比由最小變化到最大。其關系可表示為： m a xm a xm a xm in )1( DkD DD ??? （ 34） 式中 k—— 電壓 (max)sV ,按 sV 峰值時向上波動 10%計算，即： )()(( m a x) VV s ????? 假設直流紋波電壓及二極管管壓降之和為 15V，故上式中減去 15V ( m in)( m a x) ??? ssVVK 代入式（ ） )( in ?????D 3) 選擇磁芯尺寸 計算磁芯 面積乘積 AP。 AP 為 wA （磁芯窗口面積）和 eA （磁芯有效截面積）的乘積。在廠商資料目錄中查處 AP 值。設計者根據(jù)客戶要求的限高等尺寸和形狀來決定使用哪一種經(jīng)濟的磁芯及其形狀和大小。 如果原邊繞組的線徑 為 wd ，帶繞組的磁芯所占的 AP 值為 PAP ，可按 下式計算： B dILAP wpkpP ??82 10)( （ 35） 電氣工程課程設計（報告） 5 式中sBB 21??表明工作磁感應強度變化值取飽和值 sB 的一半。例如 TDK H7CL 的材料， EE 形式的磁芯， 100℃ 時 TGB ss ?? ，如圖 所示。 圖 TDK H7CL 磁芯 BH 特性曲線 )(195023900 GSB ??? 如果我們引用歐美國家常用的單位密 耳，可寫為（ mil）。用 它時對選擇導線會簡單一些。所謂密耳是導線直徑或薄板厚度的單位。 1 mil= 英寸 直 徑為 1 密耳的金屬絲面積稱為圓密耳，可寫為（ mc? ）， 換算時，可考慮其關系為： 1 圓密耳 = 610* ? （英寸 2 ） = 310* ? （ 2mm ） 附表一列出美式線規(guī) AWG 358 ? 重薄膜絕緣的導線規(guī)格，包括直徑大小標稱的圓密耳和每千英尺的電阻值。 設我們選擇導線時，確定電流密度值為 Amc /400 ? ，則通過 電流時需要的圓密耳為 ）mc ??? (644 0 。參閱附表 一選取 ，其 直徑最大為。 所以 ?wd ，代入式（ 35）得： 823 ??????? ?PAP 占窗口大部分面積的是副邊繞組（因電流大，導線多股等原因）和絕緣材料，一般 pAP 只為 AP 的（ 1/4~1/3）以下，取 APAPp ? 所以 pAPAP 4? 電氣工程課程設計（報告） 6 ???? ew AAAP 又 TDK 產(chǎn)品目錄中可查出 EE19/8/9 的磁芯與線 圈骨架乘積為： 1 6 3 1 6 ???ew AA APAA ew ?? 1 6 3 1 6 ,選取此型號磁芯與線圈骨架合適。 磁芯具體尺寸為 ， ， 。 4) 計算氣隙長度 gl 由于反激工作模式是單向激磁，為防止磁飽和，應加氣隙。氣隙會產(chǎn)生較大的磁阻，而且大多數(shù)變壓器所存儲的能量是在氣隙所構(gòu)成的體積 GV 中，故有： 82 10*)21(21 Gpkp VHBIL ???? （ 36） 式中 H—— 氣隙磁場強度 )( eOBH ?? ??? 0? — — 空氣導磁率 =1； GV —— 氣隙的體積， )( 3cmlAV geG ?? 整理上式得 )( 82 2 cmBA ILlepkpg ??? ? （ 37） 則 8223 ??? ???? ??gl 因此，應在磁芯中心柱打磨出氣隙 ，或在磁芯兩外側(cè)心柱各打磨出，在這個基礎上再進行調(diào)整。也可以選取已有氣隙相近的磁芯，并直接進