無線話筒的設計word版(編輯修改稿)
2025-07-08 22:16 本頁面
【文章內容簡介】 ，并經過駐極體話筒內部的聲音轉換電路將音頻信號轉換為電信號，用西勒振蕩器產生高頻振蕩，并通過調制電路進行調制，通過三 極管緩沖放大電路將調制信號進行放大，最后通過天線將已調信號發(fā)送出去。 無線話筒 的基本原理框圖如圖 1所示， 圖 1 無線話筒原理框圖 器件選擇 （ 1）調頻振蕩器 低頻小信號部分只是將調制信號不失真的略作放大，直接調頻發(fā)射系統(tǒng)中，調頻振蕩器的電路形式主要有晶體振蕩器直接調頻、電抗管調頻、變容二極管調頻。晶體振蕩器直接調頻電路的優(yōu)點是提高了振蕩器中心頻率的穩(wěn)定性，電抗管調頻電路與變容二極管調頻電路相比，要復雜 一些?？紤]到本設計任務要求中心頻率的穩(wěn)定性不高，用 LC振蕩器就可達到，另外，我們選擇了電抗管調頻電路。所謂電抗管，就是由一只晶體管或場效應管加上由電抗和電阻元件構成的移相網絡組成。它與普通的電抗元件不同，其參量可以隨調制信號而變化。電抗管的放大器件可以是電子管、晶體管或場效應晶體管，移相電路也有多種型式，如 RC或 RL 移相網絡，其作用是使放大管 T1的輸出阻抗 Ze=U0/IC 具有一個電抗分量Xe，當 Xe 變化時 ,即可獲得調頻信號。采用不同的移相電路，等效電抗 Xe 可以是電容性的 ,也可是電感性的。電抗管調頻器的缺點是 :振蕩頻率穩(wěn)定度不高，頻移也不能太大 ,阻抗 Ze 通常還具有電阻分量，這個分量也變化 ,使振蕩器產生寄生調幅。電抗管調頻部分是一個電容三點式振蕩器，其中晶體管 Q電阻 R電容 C4 組成的移相網絡即為電抗管，它等效為一個電感，這個等效電感會隨著調制信號的變化而發(fā)生變化，從而總的電感值發(fā)生相應變化，根據公式f = 1/ [2π *(LC)1/2]可知，頻率也隨之變化，最終實現低頻調制信號對高頻載波的頻率調制。 緩 沖 放 大 調 制 高頻 振蕩 聲音 拾取 與轉換 7 這種調頻器的優(yōu)點是電路比較簡單，能獲得較大的頻偏，便于做成集成電路。缺點是載頻不能很高，頻率穩(wěn)定度 較低。 （ 2）高頻功率放大器 高頻放大器屬于線性放大器。根據電路所需要的電壓增益和選擇性，來確定電路形式。一般電路形式有單調諧放大器和雙調諧放大器。在對放大器選擇性要求不高的場合，可以選用單調諧放大器。為提高放大器的電壓增益，可以選擇多級放大器級聯(lián)的電路形式。要使負載天線上獲得令人滿意的發(fā)射功率，而且整機效率較高，應選擇丙類功率放大器。末級功放的功率增益不能太高，否則電路性能不穩(wěn)定，容易產生自激。因此要根據發(fā)射機各部分的作用，適當地合理分配功率增益。因此電路要使負載天線上獲得令人滿意的發(fā)射功率，而 且整機效率較高，應選擇丙類高頻功率放大器。 （ 3）話筒 MIC； 我們用的是駐極體小話筒，靈敏度非常高，可以采集微弱的聲音信號。話筒底部有兩個接點，用兩根粗銅絲焊牢在 PCB 印制電路板上。駐極體話筒具有體積小、結構簡單、電聲性能好、價格低的特點，廣泛用于盒式錄音機、無線話筒及聲控等電路中。屬于最常用的電容話筒。由于輸入和輸出阻抗很高，所以要在這種話筒外殼內設置一個場效應管作為阻抗轉換器，為此駐極體電容式話筒在工作時需要直流工作電壓。并且，外圍電路中需要有相應的偏置電阻為其提供偏置。 （ 4）電路仿 真 。Multisim 11； Multisim 是美國國家儀器， NI 有限公司推出的以 Windows 為基礎的仿真工具，適用于板級的模擬 /數字電路板的設計工作。它包含了電路原理圖的圖形輸入、電路硬件描述語言輸入方式，具有豐富的仿真分析能力。 NI Multisim 軟件結合了直觀的捕捉和功能強大的仿真，能夠快速、輕松、高效地對電路進行設計和驗證。憑借 NI Multisim 中完整的器件庫，可以快速創(chuàng)建原理圖，并利用工業(yè)標準 SPICE 仿真器仿真電路。借助專業(yè)的高級 SPICE分析和虛擬儀器，能在設計流程中提早對電 路設計進行的迅速驗證，從而縮短建模循環(huán)。與 NI LabVIEW 和 SignalExpress 軟件的集成，完善了具有強大技術的設計流程，從而能夠比較仿真數據及實際建模測量。通過 Multisim 和虛擬儀器技術， PCB 設計工程師和電子學教育工作者可以完成從理論到原理圖捕獲與仿真 8 再到原型設計和測試這樣一個完整的綜合設計流程。 Multisim 可以進行復雜模擬 /數字電路的仿真、簡單的 PCB 板設計、簡單的單片機仿真。 電路設計 （ 1）無線話筒總設計電路如圖 2所示 : R310kΩR447kΩL11 9 0 n HC67 p FC71 0 p FR510kΩR61kΩR747kΩR833kΩR9100ΩR 1 0100kΩR 1 1100ΩC 1 41 0 181。 FXFG1V13 V R 1 250kΩK e y = A50%J1K e y = A D11 N 4 7 3 1 AD21 S 1 5 5 3Q12 N 2 2 2 2 AQ22 N 2 2 2 2 AL E D 1C41 n FC31 0 0 p FC55 p FC82 2 p FC92 2 p FC 1 18 p FC 1 01 0 n FC 1 21 0 0 p FC 1 31
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