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開關(guān)電源電路入門篇(編輯修改稿)

2025-06-18 12:24 本頁面

　

【文章內(nèi)容簡介】導(dǎo)通區(qū)： UGS 稍大 ? 于 UT, UDS UGS UT,當(dāng) UGS ? 不變時， ID 幾乎不隨 UDS 的 ? 增加而變化，近似為常數(shù)。 ? 3. 完全導(dǎo)通： UGS UT，一 ? 般大于 8V， UDS 很?。?RDS(on) ? 很小，一般為毫歐級）， ID ? 比較大。 ? 4. 雪崩擊穿區(qū)： UGS 繼續(xù)增大 ? 到一定程度，超過了器件的最 ? 大承受能力，就進(jìn)入雪崩擊穿 ? 區(qū)。在應(yīng)用中要避免出現(xiàn)這種 ? 情況，否則造成器件的損壞。 MOS管的轉(zhuǎn)移特性圖 3 MOSF

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2025-08-19 14:23

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