graphene石墨烯制備設(shè)備(編輯修改稿)
2025-06-16 21:24 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 氣流的在腔室中是層流式的，實(shí)現(xiàn)氣流的均勻化到達(dá)基底表面，可實(shí)現(xiàn)石墨烯的均勻生長。 gas injection beneath the quartz window avoids cold spots on the substrate 氣流是是從石英玻璃表面到達(dá)基地表面，可以實(shí)現(xiàn)氣流無冷流出現(xiàn)（低溫氣流） 3. Minimum volume, reduced surface for better high vacuum performance and easy cleaning of the chamber 腔體容積小，可實(shí)現(xiàn)高真空，容易清理。 Graphene 石墨烯制備設(shè)備 廠家免費(fèi)提供石墨烯制備工藝一套 Graphene 石墨烯制備設(shè)備 SPECIFICATIONS ASOne 100 ASOne 150 Maximum substrate diameter 100 mm (4”) 150 mm (6”) Chamber dimensions 13
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