光電子技術(shù)課件：等離子體顯(編輯修改稿)
2025-06-16 20:27 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 11 等離子體顯示具有以下一些特點(diǎn)： （ 1） 等離子體顯示為自發(fā)光型顯示 ， 有較好的發(fā)光效率與亮度 。 （ 2） 適于大屏幕 、 高分辨率顯示 。 （ 3） 等離子體顯示單元具有很強(qiáng)的非線性 。 （ 4） 存儲(chǔ)特性 。 （ 5） PDP結(jié)構(gòu)上可以采用不透明但電阻低的金屬電極 。 12 （ 6） PDP有合適的阻抗特性 。 （ 7） 響應(yīng)快 。 PDP響應(yīng)時(shí)間為數(shù)毫秒 ，使顯示電視圖像時(shí)更新像素信號不成問題 。 （ 8）剛性結(jié)構(gòu)，耐振動(dòng)，機(jī)械強(qiáng)度高，壽命長。 13 三 、氣體放電基本知識 平板電極間充有： 氖氣 (Ne)或氖 (Ne) +%氬 (Ar)混合 氣體。 充電二極管的伏安特性 100 200 300 400 10 9 10 8 10 7 10 6 10 5 10 4 10 3 10 2 10 1 100 HGFEV fV s與初始引發(fā)有關(guān)著火電壓VDCA14 曲線 AC段屬于非自持放電 ，在非自持放電時(shí)，參加導(dǎo)電的電子主要是由外界催離作用（如宇宙射線、放射線、光、熱作用）造成的，當(dāng)電壓增加，電流也隨之增加并趨于飽和， C點(diǎn)之前稱為 暗放電區(qū)，放電氣體不發(fā)光。 隨著電壓增加，到達(dá) C點(diǎn)后，放電變?yōu)?自持放電 ，氣體被擊穿，電壓迅速下降，變成穩(wěn)定的自持放電（圖中 EF段）， EF段被稱為 正常輝光放電區(qū) ，放電在 C點(diǎn)開始發(fā)光，不穩(wěn)定的 CD段是 欠正常的輝光放電區(qū) ， C點(diǎn)電壓 Vf，稱為 擊穿電壓或著火電壓、起輝電壓， EF段對應(yīng)的電壓 VS稱為 放電維持電壓。 15 陰極電流密度為常數(shù)是正常輝光放電的特點(diǎn)。 當(dāng)放電電流更大時(shí)進(jìn)入異常輝光放電 FG段，這時(shí)放電單元阻抗變大。 當(dāng)電流進(jìn)一步增大，放電進(jìn)入弧光放電后，在 H點(diǎn)曲線變得平坦，壓降小、電流大是弧光放電的特點(diǎn)。 實(shí)際的顯示器件必須應(yīng)用在正?；虍惓］x光放電區(qū)，這個(gè)區(qū)域放電穩(wěn)定、功耗小。 16 三個(gè)狀態(tài)： 熄火態(tài)、過渡態(tài)和著火
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