光通信之光電檢測(cè)器(編輯修改稿)
2025-06-14 18:10 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 生的 電場(chǎng)方向與內(nèi)建電場(chǎng)方向一致 ，有利于耗盡層的加寬 。 3 PIN光電二極管 ■ 由于 PN結(jié)耗盡區(qū)只有幾微米，大部分入射光被中性區(qū)吸收，因而光電轉(zhuǎn)換率低，響應(yīng)速度慢。為改善器件的特性，在 PN結(jié) 中間設(shè)置一層摻雜濃度很低的 本征半導(dǎo)體（稱為 I層），這種結(jié)構(gòu)便是常用的 PIN光電二極管 。 基于異質(zhì)結(jié)的 PIN光電二極管 工作原理 光照 hvEg耗盡區(qū)吸收大部分光 受激吸收 光生載流子 耗盡區(qū)電場(chǎng)作用，電子向 N區(qū)漂移，空穴向 P區(qū)漂移 反向電壓，耗盡區(qū)加寬 接通電路， R上有電流 4 雪崩光電二極管 ■ 雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu)與 PIN不同表現(xiàn)在增 加了一個(gè)附加層，以實(shí)現(xiàn)碰撞電離產(chǎn)生二次 電子 空穴對(duì)，在反向時(shí)夾在 I層和 N層間的 P 層中存在高電場(chǎng)，該層稱為倍增區(qū)或增益區(qū) 雪崩區(qū)，耗盡層仍為 I層，起產(chǎn)生一次電子 空穴對(duì)的作用。 四層結(jié)構(gòu) 高摻雜的 N+型半導(dǎo)體，為 接觸層 ； 倍增層 （雪崩區(qū)）；
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