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瓦斯探測器的設計與實現(xiàn)(編輯修改稿)

2024-10-08 16:29 本頁面
 

【文章內容簡介】 設計正文 16 3 AT89C51 復位后內部各寄存器的數(shù)據(jù)值 如圖 3- 7 示: 圖 37 復位后內部各寄存器的數(shù)據(jù)值 4 AT89C51 各中斷源向量地址 如圖 3- 8 所示: 圖 38 各中斷源向量地址 5 主要特殊功能寄存器說明 PSW( Program Status Word)程序狀態(tài)字 位地址 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 符號 CY AC F0 RS1 RS0 DV P ( ) :高位進位標志位。常用“ C”表示。 AC( ) :輔助進位木標志。 F0( ) :用戶標志位。 RS1( ) :寄存器組選擇位 1。 RS0( ) :寄存器組選擇位 0。 濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 17 OV( ) :溢出標志位。 -( ) :保留位,無定義。 P( ) :奇偶校驗位,在每一個指令周期中,若累加器( A)中的“ 1”的位個數(shù)是奇數(shù)個則 P= 1,偶數(shù)個則 P= 0。 寄存器組的選擇: RS0 RS1 寄存器組 RAM 中的地址 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 2 3 00H~07H 08H~0FH 10H~17H 18H~1FH IE 中斷允許寄存器 位地址 AF AD AC AB AA A9 A8 符號 EA ET2 ES ET1 EX1 ET0 EX0 EA( ) : EA= 0 時,所有中斷停用(禁止中斷)。 EA= 1 時,各中斷的產(chǎn)生由個別的允許位決定。 -( ) :保留位,無定義。 ET2( ) :允許計時器 2 溢出的中斷( 8052 使用)。 ES( ) :允許串行端口的中斷( ES= 1 允許, ES= 0 禁止)。 ET1( ) :允許計時器 1 中斷( ET1= 1 允許, ET1= 0 禁止)。 EX1( ) :允許外部中斷 INT1 的中斷( EX1= 1 允許, EX1= 0 禁濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 18 止)。 ET0( ) :允許計時器 0 中斷( ET0= 1 允許, ET0= 0 禁止)。 EX0( ) :允許外部中斷 INT0 的中斷( EX0= 1 允許, EX0= 0 禁止)。 IP 中斷優(yōu)先次序寄存器 位地址 BD BC BB BA B9 B8 符號 PT2 PS PT1 PX1 PT0 PX0 -( ) :保留位,無定義。 -( ) :保留位,無定義。 PT2( ) :設定計時器 2 的優(yōu)先次序( 8052 使用)。 PS( ) :設定串行端口的中斷優(yōu)先次序。 PT1( ) :設定時/計時器 1 的優(yōu)先次序。 PX1( ) :設定外部中斷 INT1 的優(yōu)先次序。 PT0( ) :設定計時器 0 的優(yōu)先次序。 PX0( ) :設定外部中斷 INT0 的優(yōu)先次序。 上述每位 IP.*= 1 時,則定義為高優(yōu)先級中斷, IP.*= 0 時,則定義為低優(yōu)先級中斷。如果同時有 兩個或兩個以上優(yōu)先級相同的中斷請求時,則由內部按查詢優(yōu)先順序來確定該響應的中斷請求,其優(yōu)先順序由高向低順序排列。優(yōu)先順序排列如下: 順序 中斷請求標 中斷源 優(yōu)先圖示 1 2 IE0 TF0 外部中斷 0( INT0) 定時/計數(shù)器 0 溢出中斷最高 濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 19 3 4 5 TE1 TF1 RI+ TI 外部中斷 1( INT1) 定時/計數(shù)器 1 溢出中斷 串行通訊中斷 最低 TMOD 定時/ 計數(shù)器工作方式控制寄存器 GATE :當 GATE= 1 時, INT0 或 INT1 引腳且為高電平,同時 TCON 中的 TR0 或 TR1 控制位如為 1 時,定時/計數(shù)器 0 或 1 才會工作。 若 GATE= 0,同時只要 TCON 中的 TR0 或 TR1 控制位如為 1 時,定時/計數(shù)器 0 或1 即可工作。 C/ T :選擇定時或計數(shù)器模式。當 C/ T= 1 為計數(shù)器,由外部引腳T0 或 T1 輸入計數(shù)脈沖。 C/ T= 0 時為計時器,由內部系統(tǒng)時鐘提供計時工作脈沖。 M1 :方式選擇位 1。 M0 :方式選擇位 0。 M M2 的操作方式選擇定義如下: TCON 定時/計數(shù)器工作方式控制寄存器 TF1( ) :計時器 1 溢出標志,當計時溢出 時,由硬件設定為1,在執(zhí)行相對的中斷服務程序后則自動清 0。 濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 20 TR1( ) :計時器 1 啟動控制位,可以由軟件來設定或清除。TR1 時啟動計時器工作, TRl=0 時關閉。 TF0( ) :計時器 0 溢出標志,當計時溢出時,由硬件設定為1,在執(zhí)行相對的中斷服務程序后則自動清 0。 TR0( ) :計時器 0 啟動控制位,可以由軟件來設定或清除。TR0=1 時,啟動計時器工作, TR0=時關閉。 IE1( ) :外部中斷 1 工作標志,當外部中斷被檢查出來時,硬件自動設定此位,在執(zhí) 行中斷服務程序后,則清 0。 IT1( ) : 外部中斷 1 工作形式選擇, IT1=1 時,由下降緣產(chǎn)生外部中斷, IT1=0 時,則為低電位產(chǎn)生中斷。 IE0( ) :外部中斷 0 工作標志,當外部中斷被檢查出來時,硬件自動設定此位,在執(zhí)行中斷服務程序后,則清 0。 IT0( ) :外部中斷 0 工作形式選擇, IT1=1 時,由下降緣產(chǎn)生外部中斷, IT1=0 時,則為低電位產(chǎn)生中斷。 SCON 定時/計數(shù)器工作方式控制寄存器 SM0( ) : 串行通訊工作方式設定位 0。 SM1( ) :串行通訊工作方式設定位 1。 SM2( ) :允許方式 2 或方式 3 多機通訊控制位。在方式 2 或方式 3 時,如 SM2=1, REN=1,則從機處于只有接收到 RB8=1(地址幀 )才激發(fā)中斷請求標志位 RI=1,向主機請求中斷處理。被確認為尋址的從機復位SM2=0,才能接收 RB8=0 的數(shù)據(jù)幀 。在方式 1 時,如 SM2=l,則只有在接收濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 21 到有效停止位時才置位中斷請求標志位 RI=1。在方式 0 時, SM2 應為 0。 REN( ) : REN,允許 /禁止串行接收控制位。由軟件置位 REN=1 為允許串行接收狀態(tài),可啟動串行接收器 RXD,開始接收信息。軟件復位REN= 0,則禁止接收。 TB8( ) :在方式 2 或方式 3,它為要發(fā)送的第 9 位數(shù)據(jù),按需要由軟件置位或清 0。例如,可用作數(shù)據(jù)的校驗位或多機通訊中表示地址幀 /數(shù)據(jù)幀的標志位。 RB8( ) :在方式 2 或方式 3,是接收到的第 9 位數(shù)據(jù)。在方式 l,若 SM2= 0,則 RB8 是接收到的停止位。方式 0 不用 RB8。 TI( ) :發(fā)送中斷請求標志位。在方式 0,當串行發(fā)送數(shù)據(jù)第8 位結束時,由內部硬件自動置位 TI=l,向主機請求中斷,響應中斷后必須用軟件復位 TI=0。在其他方式中,則在停止位開始發(fā)送時由內部硬件置位,必須用軟件復位。 RI( ) :接收中斷請求標志位。在方式 0,當串行接收到第 8 位結束時由內部硬件自動置位 RI=1,向主機請求申斷,響應中斷后必須用軟件復位 RI=0。在其他方式中,串行接收到停止位的中間時刻由內部硬件置位 RI= 1(例外情況見 SM2 說明 ),必須由軟件復位 RI=0。 其中 SM0、 SM1 按下列組合確定串行通訊的工作方式: PCON 電源控制寄存器 濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 22 SMOD :雙倍波特率控制 位。 - :保留。 GF1 :通用標志。 GF0 :通用標志。 PD : PD= 1 時,進入掉電方式。 IDL : IDL= 1 時,進入凍結方式。 二 氣敏傳感器 隨著人們生活水平的提高和對環(huán)保的日益重視 , 對各種有毒、有害氣體的探測 , 對大氣污染、工業(yè)廢氣的監(jiān)控以及對食品和人居環(huán)境質量的檢測都提出了更高的要求 , 作為感官或信號輸入部分之一的氣體傳感器是必不可少的。 自上世紀 60 年代以來 , 金屬氧化物半導體氣體傳感器就以較高的靈敏度、響應迅速等優(yōu)點占據(jù)氣體傳感器的半壁江山。最初的氣體傳感器主要采用 SnO2 、 ZnO 為氣敏材料 , 近些年又研究開發(fā)了一些新型材料 , 如表1[1 ]所示。這其中除了少量單一金屬氧化物材料 , 如 WO3 、 In2O3 、 TiO2 、Al2O3 等外 , 開發(fā)的熱點主要集中在復合金屬氧化物和混合金屬氧化物。金屬氧化物半導體傳感器又可分為電阻式和非電阻式兩種。 1 電阻式金屬氧化物半導體傳感器 SnO2 、 ZnO 是電阻式金屬氧化物半導體傳感器氣敏材料的典型代表 , 它們兼有吸附和催化雙重效應 , 屬于表面控制型 , 但該類半導體傳感器的濰坊學院本科畢業(yè)設計正文 23 使用溫度較高 ,大約 200~ 500 ℃。為了進一步提高它們的靈敏 度 , 降低工作溫度 , 通常向母料中添加一些貴金屬 ( 如 Ag、 Au、 Pt 等 ) , 激活劑及粘接劑 Al2O3 、 SiO2 、 ZrO2 等 。例如對于含量在 1 10 5 數(shù)量級的 H2S 氣體 , 添加 1 %ZrO2 的 ZrO2 SnO2 氣體傳感器與未添加 ZrO2 的元件相比 , 靈敏度
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