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正文內(nèi)容

基于51單片機的數(shù)字電容測量儀設(shè)計(編輯修改稿)

2025-04-09 04:56 本頁面
 

【文章內(nèi)容簡介】 壞的情況下等于 1。如采用 12M 的晶振 , 可獲得 1MHz 的標準計數(shù)脈沖 , 量化產(chǎn)生的 最大誤差為 1 微秒。通過設(shè)置充電電阻 R 的阻值 , 使 TW 達到毫秒級時 , 量化誤差的影響非常小 , 可以忽略。非線性誤差是由器件的非線性特性產(chǎn)生的 , 可通過硬件參數(shù)修正和軟件算法補償來減小。 4 結(jié)論 與心得體會 經(jīng)過本次歷經(jīng) 4 周的實習,使得我又進一步 對單片機系統(tǒng),尤其測量電容的電路系統(tǒng)有了深一步認識。在 做 前期 準備 工作時,老師不希望我們 用 555 芯片做這個實驗,因為如果 18 是 555 芯片震蕩電路來測量的話,雖然制作原理簡單,但 測量值會很 不穩(wěn)定,測范圍也不夠廣??沙鲇趫孕呕睘楹喌男拍?,在沒做過實物的情況 下 ,我 們還是硬著頭皮還是想 驗證 下事實是不是如此(如果不成功再改換方案)。 起初查閱了很多資料,比如伏安法中的自由軸法制作測量電容電路, LC 震蕩 側(cè)電容 電路等,老師也推薦了方案二中的積分法測量電路,但因為在進行理論計算時, 因為積分測容法中 C=Ui*dt/Uo*R,而我們 無法精確確定 ADC 在輸出 口 的 傳輸時間(哪怕是幾十 us), 所以有種無法掌控誤差的感覺,再加上出于成本考慮,所以沒有首選這 種方法。 而對于利用 555 芯片單穩(wěn)態(tài)觸發(fā) 這種法案 的分析,我則很相信,這個電路是可以 實現(xiàn)測量功能的, 并且只要輸出穩(wěn)定,我就可以做相應補償 。 在經(jīng)過一系列的仿真,實物制造和調(diào)整后,最初做出來 的板子并不能運行的,后面反復徹查后,才發(fā)現(xiàn)原來自己的設(shè)計出現(xiàn)了差 漏,少連 或錯連 了一些關(guān)鍵線路,于是又重新修整過。經(jīng)過修正后的電路中終于可以開始進行測量了,起初的測量只有在 nf 檔 和 10uf 以下檔位下,測量值是基本滿足要求的,而 PF 襠和 100uf 以上的檔位并不滿足 已要求的 ,甚至不夠穩(wěn)定 , 所以我開始將擋位縮小,將 10pf~10000uf 的要求,縮減為 100Pf~500uf,果然修正后的電路,測量穩(wěn)定了。再經(jīng)過軟件補償后,最終獲得了在精度上可以滿足要求的方案。 ( Ps:因為最初設(shè)計的時候只選擇了 4 個擋位,而手上電容最大才 470uf,出于“最穩(wěn)定測量”的考慮,所以才改的100pf~500uf 擋位。即:本方案也可能可以測量 500uf 以上的電容,只要將其中的 100 歐姆電阻改小即可。) 5 參考文獻 【 1】 《單片機基礎(chǔ)》第三版 李廣弟 朱月秀 冷祖祁 編著 北京航天大學出版社, 2021 【 2】 《數(shù)字式電容測量儀設(shè)計》 張玉芹 , 洪遠泉 廊坊師范學院學報 (自然科學版 ) 2021 年 6 月 第 11 卷第 3 期 【 3】 梁艷霞,基于單片機控制的電容測試儀設(shè)計,總裁, 2021. 【 4】 徐思成,一種基于單品啊及只能電容測試儀的設(shè)計與實現(xiàn),現(xiàn)代電子技術(shù), 2021 【 5】 陶春明,單片機使用技術(shù),北京:人民郵電出版社, 2021 【 6】 何立民,單片機應用程序設(shè)計,北京:北京航空航天大學出版社。 【 7】 陳世良,吳凌燕,丁國臣,基于 AT89C2051 單片機的數(shù)字電容表設(shè)計, 2021 【 8】 童詩白,華成英,模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)第三版,北京,高等教育出版社, 2021 19 【 9】 熊筱芳,郭學提,基本 89C51單片機的數(shù)字電容表設(shè)計,自動化應用技術(shù), 2021 【 10】 何光明,楊健宇, C語言程序設(shè)計與應用開發(fā), 北京:清華大學出版社, 2021. 6 附錄 附錄 1 元器件清單 ( 1) 晶振 12M一個 ( 2) stc89c52芯片一片 ( 3) 30pf 2個; 10uf 1個; 470uf 1個; 2個; 1 個; 1nf 1個 ( 4) 40腳活動底座一個 ( 5) lcd液晶一個 ( 6) 按鍵 6個 ( 7)發(fā)光二極管 6個 ( 8) 9引腳 排阻 1個 ( 9) 680Ω 6 個; 10k 1個; 1k 2個; 1k 滑動變阻器 1 個; 10M 1 個; 100k 1個;100Ω 1個; 2k 1個; 200Ω 1個; ( 10) 開關(guān) 1個 ( 11) 整流橋 1個 ( 12) 7805穩(wěn)壓芯片 1片 ( 13) 繼電器 3個 ( 14) ULN2021 1片 ( 10) 排針若干,杜邦線若干 附錄 2 程序清單 分 5 個文件: , , , , (a) 程序清單: ifndef __delay_h__ define __delay_h__ 20 define uchar unsigned char define uint unsigned int void delay_us(uint t)。 void delay_ms(uint t)。 endif (b) 程序清單: include void delay_us(uint t) { uchar i。 for(。t0。t) { for(i=0。i12。i++) { 。 } } } void delay_ms(uint t){ uchar i。 for(。t0。t) { for(i=0。i125。i++) { 。 } } } (c) 程序清單: 21 ifndef __1602_h__ define __1602_h__ include sbit RS = P2^2。 //定義端口 sbit RW = P2^1。 sbit EN = P2^0。 define RS_CLR RS=0 define RS_SET RS=1 define RW_CLR RW=0 define RW_SET RW=1 define EN_CLR EN=0 define EN_SET EN=1 unsigned char pro_data(unsigned char mda)。 void LCD_write_(unsigned char )。 void LCD_write_Data(unsigned char Data)。 void LCD_init(void)。 void lcd_pos(unsigned char pos)。 void disp(unsigned char *p)。 void dispchar1(unsigned char *p)。 void dispchar2(unsigned char *p)。 void dispchar3(unsigned char *p)。 endif (d) 程序清單: include include 22 void LCD_write_(unsigned char ) { RS_CLR。 RW_CLR。 EN_SET。 = pro_data()。 P1 = 。 delay_us(5)。 EN_CLR。 } void LCD_write_Data(unsigned char Data) { RS_SET。 RW_CLR。 EN_SET。 Data = pro_data(Data)。 P1 = Data。 delay_us(5)。 EN_CLR。 } void LCD_init(void) { LCD_write_(0x38)。 // 顯示模式設(shè)置 delay_ms(5)。 LCD_write_(0x38)。 delay_ms(5)。 LCD_write_(0x38)。 23 delay_ms(5)。 LCD_write_(0x38)。 LCD_write_(0x08)。 // 顯示關(guān)閉 LCD_write_(0x01)。 // 顯示清屏 LCD_write_(0x06)。 // 顯示光標移動設(shè)置 delay_ms(5)。 LCD_write_(0x0c)。 // 顯示開及光標設(shè)置 } void lcd_pos(unsigned char pos) {
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