【文章內(nèi)容簡介】 頻率 (Hz)； ε r絕緣等效介電常數(shù) ，實(shí)芯聚乙稀為 :； tgδ r— － 絕緣等效介質(zhì)損耗角正切 , 聚乙稀為； 1 104。 k1內(nèi)導(dǎo)體 直徑有效系數(shù) ,單芯導(dǎo)體為： 1； fDkkdkkdkDf tbt?? ?? 82121610*)(lg10* ?? ??? tgδ fDkddDf b?? ?? 8610*)1(lg10* ?? ??? tgδ 11 dw外導(dǎo)體編織線的單 根直徑 (mm)； k2內(nèi)導(dǎo)體 因絞線引起的衰減增加的系數(shù)，單芯導(dǎo)體為 1： kb外導(dǎo)體因絞線引起的衰減增加的編織 系數(shù) ，需查 圖 表獲得 ，對絕緣外徑≤ 電纜， kb值可取 左右 ； kt1,kt2―――內(nèi)外導(dǎo)體 材料與標(biāo)準(zhǔn)軟銅不同時使衰減增加的 系數(shù)，對純銅材料，此系數(shù)值為 1（當(dāng)銅包鋼內(nèi)導(dǎo)體 銅層厚度，在電纜使用頻率范圍內(nèi)，大于 透入深度 ，就可以將銅包鋼線導(dǎo)體看作為純銅導(dǎo)體）； 由衰減計算式可見：電纜的衰減由導(dǎo)體衰減（內(nèi)導(dǎo)體衰減 α Rd和外 導(dǎo)體衰減 α RD）和絕緣介質(zhì)衰減 α G 兩大部分組成；導(dǎo)體衰減是隨著√ f 增加，而介質(zhì)衰減隨著頻率 f 是線性增加，隨著頻率愈來愈高介質(zhì)衰減在整個衰減中的比重也越來越大；在較低頻段，導(dǎo)體中的 衰減，內(nèi)導(dǎo)體的衰減又占據(jù)較大分額，因?yàn)橐话?1/d＞ kb/D，因此，若為了降低電纜的衰減（損耗），通過增大內(nèi)導(dǎo)體的直徑來降低電纜的導(dǎo)體衰減，更為有效。 由上述衰減公式計算所得數(shù)值是理想的理論計算值，不能作為電纜衰減性能的考核指標(biāo)。 電纜衰減性能的考核指標(biāo)數(shù)值，必須考慮制造工藝所造成的電纜阻抗不均勻性，使電纜衰減增加的因素；測試電纜所用連接器的衰減（損耗）以及連接器連接所形成的失配（不均勻性）所增加的損耗；測試儀器的測試誤差等因素。 因此電纜衰減的實(shí)際指標(biāo)確定，一般至少是理論計算值的（ ～ ） α 倍 。 12 3， 結(jié)構(gòu)回波損耗 結(jié)構(gòu)回波損耗 SRL（ Structure Return Loss）主要用來反映和考察電纜結(jié)構(gòu)均勻性（阻抗均勻性）， SRL 主要用于對電纜結(jié)構(gòu)的評價它是反映電纜制造工藝水平和電纜結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的指標(biāo) 。 SRL=20lgΓ 電纜的阻抗 不均勻性 ,也可 采用有效特性阻抗 Ze 與額定特性阻抗 Zc 的偏差來表示 ,偏差越大 ,反映電纜內(nèi)部不均勻性越厲害。電纜內(nèi)部不均勻性 ,也可用電纜 駐波比 S（ VSWR） 來表示 。 S=(1+Γ )/(1Γ ) 式中 :Γ —— 代表輸入端反射系數(shù) ； S—— 電纜駐波比 VSWR； 結(jié)構(gòu) 回波損耗 SRL 越大 ,表明反射系數(shù)Γ越小 ,即電纜的輸入駐波比 S 越小 ,電纜內(nèi)部的均勻性越好（匹配性好），回波損耗值就大。例如，結(jié)構(gòu)回波損耗為 時的相應(yīng)反射系數(shù)為 、駐波 比S 為 。而當(dāng)結(jié)構(gòu)回波損耗降低為 時的相應(yīng)反射系數(shù)增大為、駐波 比 S 增大為 。由此可見， 要提高電纜的結(jié)構(gòu)回波損耗，就必須降低電纜的駐波比，也就是提高電纜的阻抗均勻性（電纜的結(jié)構(gòu)均勻性）。 電纜的內(nèi)部阻抗不均勻性的大小 ,實(shí)則反映電纜結(jié)構(gòu)的不均勻程度 ,也就是電纜 的 制造工藝水平 。在實(shí)際 電纜制造時 ,導(dǎo)體直徑﹑絕 13 緣外徑總是或多或少存在著變化 ,絕緣的介電常數(shù)也會沿長度而 所 變化 ,加之可能存在的偏心等影響 ,使得電纜上每一處的阻抗都不 一樣 ,即電纜任意截面處的特性阻抗 (局部特性阻抗 )不相等 ,從而沿電纜存在阻抗不均勻性 。 電纜的阻抗不均勻性 ， 將會引起信號或能量的反射，反射造成信號的畸變、失真和衰減增大， 影響傳輸 信號的傳輸質(zhì)量 。 值得指出， VSWR 是隨著頻率的變化而變化，頻率越來越高VSWR 數(shù)值呈現(xiàn)增大的趨勢。當(dāng)某一頻率的波長達(dá)到和電纜內(nèi)部的不均勻性，特別是周期性的不均勻性可相比擬數(shù)值時， VSWR 會急劇增加。為此，在電 纜加工生產(chǎn)過程中，我們首先要避免由于收放線的周期性不均勻，如線軸偏心、收放線張力等造成的周期性結(jié)構(gòu)不均勻；同時要控制好導(dǎo)體、絕緣和編織屏蔽的結(jié)構(gòu)公差和均勻性。 4，插入損耗 IL(Insertion Loss) 插入損耗 IL(Insertion Loss)定義為： 由于插入一個組件或器件（在信號源和預(yù)期的接受負(fù)載之間），由于插入引起的功率減小或損耗。 傳輸信號輸出（ E0） 與接收信號輸入間（ E1）的差就是一個組件或器件的 插入損耗 。用數(shù)學(xué)公式可表示為： IL＝ 20lgE0/E1 dB（分貝） 插入損耗是一個器件或組件插入一個通信信道前后，其輸出功率或電壓相對輸入功率或電壓的比例的分貝數(shù)。插入損耗，要求越小越好。 14 電纜組件的插入損耗是指電纜加上連接器后，插入線路的損耗。因此， 一個電纜組件的插入損耗包括有：電纜的損耗（衰減）、連接器的損耗和安裝連接器工藝好壞的附加損耗以及失配損耗 。要降低電纜組件的插入損耗，就要降低電纜的損耗（衰減）、連接器的損耗和改進(jìn)提高連接器安裝工藝，減小失配損耗。 同樣道理，電纜組件的駐波 比 S 也是隨著頻率變化而變化，駐波 比 S 值的增大，會使插入損耗增大。 5，屏蔽效率 電纜屏蔽的 有效性（效率）是電纜的又一重要特性。它既表明電纜對外部電磁場影響，同時也反映外部電磁場對電纜內(nèi)部信號傳輸?shù)挠绊憽?電纜一方面對周圍輻射能量，引起電纜的附加損耗；另一方面外部電磁場的干擾造成和引起傳輸信號的噪聲 。 電纜的屏蔽效率表示了電纜的電磁兼容性能 EMC。電磁兼容 EMC（ Eelectromagic Compatibility），它是指電子及電氣設(shè)備在共同的電磁環(huán)境中能執(zhí)行各自功能的共存狀態(tài)，即要求在同一電磁環(huán)境中的上述各種設(shè)備都能正常工作又互不干擾，達(dá)到“兼容”狀態(tài)。 電纜 的屏蔽性能好壞 —— 屏 蔽的有效性（效率），可以用屏蔽系數(shù) S、 屏蔽衰減 BS和轉(zhuǎn)移阻抗 ZT 等指標(biāo) 衡量 。 ，屏蔽系數(shù) S 電纜中屏蔽的效果，通?？梢岳闷帘误w的屏蔽系數(shù)來表示屏蔽作用的大小或屏蔽的有效性。屏蔽系數(shù) S 值是屏蔽層設(shè)置前后同一點(diǎn)上的場強(qiáng)之比。 15 S＝ EB/ E = HB/ H 式中： EB—— 設(shè)置屏蔽層后空間同一點(diǎn)的電場強(qiáng)度； E—— 未設(shè)置屏蔽層前空間某一點(diǎn)的電場強(qiáng)度； HB—— 設(shè)置屏蔽層后空間同一點(diǎn)的磁場強(qiáng)度； H—— 未設(shè)置屏蔽層前空間某一點(diǎn)的磁場強(qiáng)度； 屏蔽系數(shù)是一個復(fù)數(shù)值，它的絕對值在 1～ 0 之間。 S=1 代表無屏蔽作用 ,S=0 代表屏蔽最佳 。 屏蔽系數(shù)值越小，說明設(shè)置屏蔽層后，屏蔽空間內(nèi)某一點(diǎn)的電場強(qiáng)度或磁場強(qiáng)度的值，得到了較大的降低和減小，從而對外界的騷擾、干擾得到了有效的遏制。因此 屏蔽系數(shù)值越小，表明屏蔽效果越好，屏蔽層所起作用越大，屏蔽體內(nèi)傳輸信號對外界的電磁騷擾的能力和影響越小， 反過來說，外部的電磁騷擾對電纜內(nèi)部所傳輸信號干擾影響也就越小。 ，轉(zhuǎn)移阻抗 ZT 轉(zhuǎn)移阻抗 ZT是衡量屏