multisim對于負(fù)反饋放大發(fā)電路仿真課程設(shè)計(編輯修改稿)
2024-10-01 16:44 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 圖 12 閉環(huán) 電子技術(shù)課程設(shè)計 19 負(fù)載電阻的參數(shù)掃描分析 執(zhí)行 parameter sweep analysis。設(shè)置分析對象為 R L ,Star t 為 10 000, Stop 為 100 000, of 為 5 (R L 阻值分別為 10 k8 , 3215 k8 , 55 k8 , 7715 k8 , 100 k8 ) , 選擇 Analysis to 中的 Transient Analysis, 并選擇輸出節(jié)點作為分析節(jié)點。 J1 斷開和閉合時分別運行參數(shù)掃描分析 , 得到圖 13 和圖 14。直觀的反映出無反饋時 (圖 13) : 隨著負(fù)載電阻 R L 的變化 , 輸出電壓有顯著的變化 , R L 愈大 , A u 愈大引入反饋后 (圖 14) : 輸出電壓基本不隨負(fù)載電阻 R L 的變化而變化 ,。說明了引入電壓負(fù)反饋后 , , 提高帶負(fù)載能力。 圖 13 開環(huán) 圖 14 閉環(huán) 電子技術(shù)課程設(shè)計 20 執(zhí)行 temperature sweep analysis, 設(shè)置起始值為 0 Deg, 終止值為 150 Deg, 步長為 5, 選擇 Analysis to 中的 Transient Analysis, 選擇輸出節(jié)點作為分析節(jié)點 ,J 1 斷開和閉合時分別運行溫度掃描分析 , 可觀測得溫度為 0 ℃ , 3715 ℃ , 75 ℃ , 11215 ℃ , 150 ℃時的輸出電壓波形 ,如圖 15, 圖 16 所示。直觀地反映出無反饋時 (如圖 15) : 隨著溫度的變化 , 電壓放大倍數(shù)發(fā)生變化 , 穩(wěn)定性差。引入反饋后 (如圖 16) : 電壓放大倍數(shù)基本不隨溫度的變化而變化。說明負(fù)反饋可以提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性。 圖 15 開環(huán) 圖 16 閉環(huán) 電子技術(shù)課程設(shè)計 21 1 、仿真電路 以交流電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大電路為例，首先在 Multisim 10中創(chuàng)建仿真電路。進(jìn)入 Multisim 10 仿真環(huán)境，從元件庫中調(diào)用晶體管 (2N3904，默認(rèn)值 β=200、 UBE= V、 Rbb=200、UT=26mv)、電阻、電容、直流電源、開關(guān)等元件，從虛擬儀器工具欄中取出 四 蹤示波器，創(chuàng)建仿真電路如圖所示。 靜態(tài)工作點與電壓放大倍數(shù)的理論值計算 （ 1） 開關(guān) A 閉合， F 斷開，電路為兩級阻容耦合放大電路。 靜態(tài)工作點的理論計算 Ic1== IB1= = UCE1=Ucc(Rc1+Re11+Re12)*Ic1= Ic2== IB2= = UCE2=UccIc2(Rc2+Re2)= 電子技術(shù)課程設(shè)計 22 開環(huán)電壓放大倍數(shù)的理論計算 rbe1= rbb’+β = rbe2= rbb’+β = RL1=Rc1∥Rb21∥Rb22∥rbe2= RL=Rc2∥RL=1KΩ Av1= = Av2= = Av=Av1*Av2= （ 2）開關(guān) A 閉合， F 閉合，電路為兩級阻容耦合電壓串聯(lián)發(fā)反饋放大電路。 閉環(huán)電壓放大倍數(shù)的理論計算 Fu= = 1+AvFu= Avf= = 電子技術(shù)課程設(shè)計 23 靜態(tài)工作點的仿真測試 首先，測兩級的靜態(tài)工作點，將信號源斷開，用探針 、電壓表分別測出基極、集電極電流及管壓降，其值為 IB1=， IC1= mA， UCE1=， IB2=，IC2=， UCE2=。開環(huán)和閉環(huán)時靜態(tài)工作點相同。 電路于圖所示。 可見，理論值與實驗值 大致 相同。 開環(huán)性能的仿真測試 （ 1）開環(huán)無負(fù)載 開關(guān) A 斷開， F 斷開，電路于圖所示。啟動仿真開關(guān)，在示波器 Timebase 區(qū)設(shè)置 X
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