溫度加濕器_課程設(shè)計(jì)論文(編輯修改稿)
2024-10-01 10:32 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口，作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號(hào)拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流 (IIL)。在訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（例如執(zhí)行 MOVX @DPTR 指令）時(shí)， P2 口送出高 8 位地址數(shù)據(jù)。在訪問(wèn) 8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（如執(zhí)行 MOVX @RI 指令）時(shí)， P2 口輸出 P2 鎖存器的內(nèi)容。 Flash 編程或校驗(yàn)時(shí)， P2 亦接收高位地址和 一些控制信號(hào)。 P3 口 :P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口。 P3 口輸出緩沖級(jí)可驅(qū)動(dòng)（吸收或輸出電流） 4 個(gè) TTL 邏輯門電路。對(duì) P3 口寫入“ 1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。此時(shí)，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流（ IIL）。 P3 口除了作為一般的 I/O 口線外，更重要的用途是它的第二功能 P3 口還接收一些用于 Flash 閃速存儲(chǔ)器編程和程序校驗(yàn)的控制信號(hào)。 RST：復(fù)位輸入。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。 ALE/PROG：當(dāng) 訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)， ALE（地址鎖存允許）輸出脈沖用于鎖存地址的低 8 位字節(jié)。一般情況下， ALE 仍以時(shí)鐘振蕩頻率的1/6 輸出固定的脈沖信號(hào)，因此它可對(duì)外輸出時(shí)鐘或用于定時(shí)目的。要注意的是：每當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)將跳過(guò)一個(gè) ALE 脈沖。對(duì) Flash 存儲(chǔ)器編程期間，該引腳還用于輸入編程脈沖（ PROG）。如有必要，可通過(guò)對(duì)特殊功能寄存器（ SFR）區(qū)中的 8EH 單元的 D0 位置位，可禁止 ALE 操作。該位置位后，只有一條 MOVX 和MOVC 指令才能將 ALE 激活。此外，該引腳會(huì)被微弱拉高，單片 機(jī)執(zhí)行外部程序時(shí)，應(yīng)設(shè)置 ALE 禁止位無(wú)效。 PSEN：程序儲(chǔ)存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89C52 由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。在此期間，當(dāng)訪問(wèn)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，將跳過(guò)兩次 PSEN 信號(hào)。 EA/VPP：外部訪問(wèn)允許。欲使 CPU 僅訪問(wèn)外部程序存儲(chǔ)器（地址為 0000H— FFFFH）， EA 端必須保持低電平（接地）。需注意的是：如果加密位 LB1 被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA 端狀態(tài)。如 EA端為高電平（接 Vcc端）， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲(chǔ)器中的指令。 Flash 存儲(chǔ)器編程時(shí)，該引腳加上 +12V 的編程允許電源 Vpp，當(dāng)然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 Vpp。 XTAL1：振蕩器反相放大器的及內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端。 XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。 本科生課程設(shè)計(jì)（論文 ） 時(shí)鐘電路的設(shè)計(jì) 時(shí)鐘電路用于產(chǎn)生單片機(jī)的工作所需的時(shí)鐘信號(hào)。時(shí)鐘信號(hào)可以由兩種方式產(chǎn)生：內(nèi)部時(shí)鐘方式和外部時(shí)鐘方式，本次論文采用的是內(nèi)部時(shí)鐘方式。 AT89C52有一個(gè)高增益反向放大器，用于構(gòu)成振蕩器，引腳 XTAL1 和 XTAL2 分別是此放大器的輸入端和輸出端。在 XTAL1 和 XTAL2 兩端跨接晶體或陶瓷諧振器，就構(gòu)成了穩(wěn)定的自激振蕩器，其發(fā)出的脈沖直接送入內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器，見(jiàn)圖 。外接晶振時(shí)，電容值通常選用 30pF 左右；外接陶瓷諧振器時(shí)，電容值通常選用 47pF左右。電容對(duì)頻率有微調(diào)作用，振蕩頻率范圍為 ~12MHz。為了減少寄生電容，更好的保證振蕩器穩(wěn)定可靠的工作，諧振器和電容應(yīng)盡量可能安裝的與單片機(jī)芯片靠近。內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器實(shí)質(zhì)是一個(gè)二分頻的觸發(fā)器，其輸出信號(hào)是單片機(jī)工作所需的時(shí)鐘信號(hào)。 圖 時(shí)鐘電路 本科生課程設(shè)計(jì)（論文 ） 復(fù)位電路的設(shè)計(jì) 常用的復(fù)位方式有上電復(fù)位 ,電平式復(fù)位和手動(dòng)式復(fù)位。本論文采用上電復(fù)位電路。上電復(fù)位在 RESET 引腳上外接一個(gè)電容 C至供電電源 VCC 端，下接一個(gè)電阻 R到地即可。對(duì)于 CMOS 型單片機(jī)，由于在 RST 端內(nèi)部有一個(gè)下拉電阻，故可將外部的電阻 R去掉，而將外接電容 C減至 1μ F。當(dāng)系統(tǒng)上電時(shí)，復(fù)位電路通過(guò)電容 C加給 RST端一個(gè)短的高電平信號(hào)，此高電平隨著 VCC 對(duì)電容的充電過(guò)程而逐漸回落，既 RST 端上的高電 平必須維持足夠長(zhǎng)的時(shí)間。 圖 上電復(fù)位電路 電源電路的設(shè)計(jì) 本系統(tǒng)選用的直流穩(wěn)壓電源共有二種 +12V、 +5V。并且選用 781 7805 二個(gè)集成穩(wěn)壓芯片，在電源電路中，首先應(yīng)將 220V 的交流電經(jīng)變壓器變?yōu)?12V 的交流電，將 12V交流電送到整流橋的兩端，經(jīng)整流橋和電解電容濾波，再分別送到集成穩(wěn)壓芯片 7812 輸入端， 7812 輸出端輸出的就是 +12V 的直流電了。并聯(lián)的電解電容使直流電壓更穩(wěn)定。再將 +12V 送入 7805 的輸入端， 7805 的輸出端便能產(chǎn)生 +5V 直流電了。 781 7805 的輸出端提供的就是系統(tǒng)所需二種電源。具體的連接方法見(jiàn)圖 所示。 V C CC A PR8 .2 KR E S E TGND 本科生課程設(shè)計(jì)（論文 ） 1234D6IN 91 4GND3O U T2IN1C778 1 2GND3O U T
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