【正文】 印刷納米金剛石薄膜場(chǎng)發(fā)射條件下的陽(yáng)極屏發(fā)光情況 退火熱處理前后的樣品在不同場(chǎng)強(qiáng)下陽(yáng)極 屏的發(fā)光 圖 520 給出了 經(jīng)超聲波分散的納米金剛石原料 , 納米石墨、納米金剛石、乙基纖維素原料以 2:4:6 比例配制的漿料，印刷在 不銹鋼襯底的薄膜 樣品在退火前后陽(yáng)極屏的發(fā)光照片。 Z=.*(2.*Y+).*exp(./Y).*X。 （ 2）為了 既能使薄膜面的制漿劑能充分揮發(fā)，又能暴露出納米金剛石與納米石墨混合材料；研究適合摻石墨的納米金剛石薄膜的燒結(jié)工藝，其最高溫度為多少效果最好， （ 3） 建立納米金剛石薄膜場(chǎng)致發(fā)射模型，通過設(shè)計(jì)一個(gè)信息傳感器來(lái)具體分析納米金剛石薄膜的場(chǎng)致發(fā)射特性和與普通的傳統(tǒng)的薄膜材料對(duì)比在電子科技方面應(yīng)用的杰出性能。s integration with the general principle of the same oneway thyristor. Figure 1 The basic structure of a twoway thyristor and its equivalent circuit, it has two main electrodes T1 and T2, a gate G, the device gate electrode in the main direction can trigger both positive and negative conduction, Therefore, twoway thyristor in the first quadrant 1 and 3 have symmetrical voltampere characteristics. TRIAC gate plus positive and negative trigger pulse can trigger the conduction tube so that, it means there are four types of trigger. Figure 1 北方民族大 學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 附錄 32 Figure 1 a twoway thyristor structure and equivalent circuit Application of bidirectional Thyristor TRIAC for normal use, the need to master the main quantitative parameters of a twoway selection of SCR and to take appropriate measures in order to achieve the requirements of each parameter. Voltage level of choice: usually VDRM (repeat peak offstate voltage) and VRRM (repetition peak reverse voltage) the smaller the value of S for the rated voltage of the device. Selected, the rated voltage should be the peak for the normal working voltage of 2 to 3 times, as to allow the operation of overvoltage margin. Determination of current: As the bidirectional SCR circuit is usually used in the exchange, so no need to use the RMS to the average that it39。建立了納米金剛石薄膜場(chǎng)致發(fā)射模型，分析了納米金剛石薄膜的場(chǎng)致發(fā)射特性。 X 表示 dF/dS， Y 表示 F， Z 表示 dJ/dS。 600℃溫度下退火熱處理后，鍵合作用有所增強(qiáng)，在整個(gè)薄膜厚度適中且較為均勻，整個(gè)界面層上的電子輸運(yùn)能力強(qiáng)并且差異不大，避免了局部的強(qiáng)烈放電。m） 表 31 不同厚度最佳配比 2:5:6 的納米金剛石場(chǎng)發(fā)射特性的比較 不同粒度砂紙打磨襯底對(duì)納米金剛石場(chǎng)發(fā)射特性的影響 將石墨襯底材料和不銹鋼襯底材料用粒度為 280和 160的金相水砂紙打磨，使其表面達(dá)到一定的粗糙度。燒結(jié)參數(shù)為：還原溫度： 340?10?C，保溫時(shí)間： 1015 min，全程時(shí)間： 0220 min。第二步是添加制漿劑乙基纖維素后，在 130℃的溫度下攪拌，使之充分溶解并使分散狀態(tài)得以在漿料中穩(wěn)定保持，用高目數(shù)的篩網(wǎng) （ 400 目以上）進(jìn)一步對(duì)糊狀物進(jìn)行過濾，借助機(jī)械外力以除去其中的大顆粒，并確保未得到良好分散的團(tuán)聚物的尺寸在機(jī)械外力作用下處于一個(gè)合適的尺度上，使納米金剛石和納米石墨均勻分布。用納米金剛石作為發(fā)射體，納米石墨作為導(dǎo)電媒質(zhì)，制作了場(chǎng)發(fā)射薄膜。A/cm178。這一特性以及金剛石薄膜材料很好的穩(wěn)定性使得金剛石薄膜材料成為一種比較理想，有前途的場(chǎng)致電子發(fā)射陰極材料。 金剛石基本性質(zhì) （ 1） 力學(xué)性質(zhì)： 金剛石晶體具有自然界已有物質(zhì)中最高的硬度、它的莫氏硬（ a）石墨 SP2 平面結(jié)構(gòu) (b) 金剛石 SP3立體結(jié)構(gòu) 圖 12石墨層狀平面晶體結(jié)構(gòu)與金剛石空間立體分布晶體結(jié)構(gòu) 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 金剛石薄膜的特性其在場(chǎng)致發(fā)射領(lǐng)域的應(yīng)用 6 度為 10。這種結(jié)構(gòu)形式的冷陰極被稱為 Spindt陰極。但是所有的生長(zhǎng)方法都不能制備大面積均勻的納米金剛石薄膜，為了得到大電流輸出的微波電子源，我們采用低成本的絲網(wǎng)印刷方法在玻璃、不銹鋼和石墨襯底上制備大面積均勻的納米金剛石薄膜，研究大面積均勻的納米金剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性。m[19]。 北方民族大學(xué) 學(xué)士學(xué)位論文 論文題目 : 納米金剛石半導(dǎo)體薄膜傳感器的研究與模擬 系 (部 )名 稱 : 電子 與 信息工程系 學(xué) 生 姓 名 楊振軍 專 業(yè) : 測(cè)控技術(shù)與儀器 學(xué) 號(hào) : 20xx0239 指導(dǎo)教師姓名 : 張 秀 霞 教授 論文提交時(shí)間 : 20xx 年 5月 22 日 論文答辯時(shí)間 : 20xx年 5月 29 日 學(xué)位授予時(shí)間 : 北方民族大學(xué) 教務(wù)處制 I 摘 要 金剛石 具有很強(qiáng)的抗輻射、耐腐蝕性能，是能在高溫下使用的新型 寬能帶隙半導(dǎo)體 材料， 被譽(yù)為發(fā)展前景十分廣闊的第三代半導(dǎo)體材料。馮濤等人采用真空磁過濾弧沉積法制備的類金剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射閾值電場(chǎng)達(dá)到 ， 178。本課題研究的對(duì)象是怎樣制作納米金剛石薄膜和制作納米金剛石薄膜所采用的一些燒結(jié)和后處理工藝流程，以及所制作的納米金剛石薄膜的優(yōu)異的電子場(chǎng)發(fā)射性。它首次在實(shí)驗(yàn)上用低的開啟電壓，獲得了高的發(fā)射電流密度。金剛石晶體各晶面上的硬度也不同，其硬度從大到小的順序?yàn)?{111}?{110}?{100}。大量的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論表明金剛石薄膜發(fā)射體的發(fā)射特性優(yōu)異，能夠在同樣大小的開啟電壓下獲得比通常所用的硅材料場(chǎng)致發(fā)射體強(qiáng)得多的場(chǎng)致發(fā)射電流。[21]。研究了該薄膜的制備工藝，得到了場(chǎng)致發(fā)射性能良好的優(yōu)化工藝條件。冷卻至室溫時(shí)分散稀糊狀漿料變成粘稠的狀態(tài)。 圖 210 工智能控制高溫?zé)Y(jié)爐控制面板各部分名稱 絲網(wǎng)印刷納米金剛石薄膜實(shí)驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)裝置和電路 （ 1）實(shí)驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)裝置 （ 1 ） （ 2 ） 3 4 （ 5 ） （ 6 ） （ 7 ） （ 8 ） （ 9 ） （ 10 ） （ 1 ） 輸出指示； （ 2 ） 自整定； （ 3 ） 報(bào)警指示； （ 4 ）程序控溫運(yùn)行指示； （ 5 ） 測(cè)量值顯示（上顯示器） PV ； （ 6 ） 給定值顯示（下顯示器） SV ； （ 7 ） 設(shè)置鍵；（ 8 ） 數(shù)據(jù)移位鍵； （ 9 ） 數(shù)據(jù)減少鍵； （ 10 ）數(shù)據(jù)增加鍵； 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵步驟處理 15 圖 211 圖 212 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵步驟處理 16 （ 2）電路 利用實(shí)驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)裝置和電路，對(duì)絲網(wǎng)印刷納米金剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性進(jìn)行研究，評(píng)價(jià)納米金剛石薄膜材料的場(chǎng)致發(fā)射特性的性能參數(shù)主要包括開啟電場(chǎng)、閾值、場(chǎng)發(fā)射電流密度、場(chǎng)發(fā)射電流穩(wěn)定性、場(chǎng)發(fā)射電子光斑分布等。 將打磨好的襯底材料先用吹風(fēng)機(jī)吹去大的顆粒，然后用酒精擦洗干凈。從 AFM 圖上也可以看到，該溫度下金剛石顆粒間的結(jié)合程度較強(qiáng)，為電子在金剛石顆粒間的輸運(yùn)提供了有利條件，加之暴露在表面顆粒也非常細(xì)小尖銳，使得表面的場(chǎng)增強(qiáng)因子較大，所以樣品的發(fā)射閾值低、穩(wěn)定性很好。功函數(shù)取 1ev 時(shí)的 MATLAB 仿真。 （ 1） 本課題根據(jù)市場(chǎng)對(duì)場(chǎng)致發(fā)射材料的需求，在納米金剛石粉體中摻入納 米石墨粉體制成納米金剛石漿料，納米金剛石作為微尖，引入石墨作為導(dǎo)電晶界。s rated current value. SCR 過載能力 as a result of the electromagic devices than the average small household electrical appliances in general and therefore choose the current value of thyristor current actual value of 2 ~ 3 times. At the same time, under SCR repeat peak offstate voltage VDRM and peak reverse voltage VRRM repeat of the peak current when the device should be less than the provisions of IDRM and IRRM. State (peak) voltage VTM option: it is to provide a multiple pass thyrist。為印刷制備大面積的，具有穩(wěn)定均勻的場(chǎng)發(fā)射性能的納米金剛石薄膜，研究納米金剛石材料超聲分散和機(jī)械分散方法及漿料的配制新工藝，實(shí)驗(yàn)得出漿料中納米石墨、納米金剛石、乙基纖維素最佳配比，使納米金剛石微尖密度合理、分布均勻。 (即 y 的變化量在 0 到 8250000 之間 ,中間每個(gè)變化量為100) 北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 利用納米金剛石薄膜設(shè)計(jì)信息傳感器 26 則由 :[X,Y]=meshgrid(x,y)。 所以樣品的開啟場(chǎng)強(qiáng)和發(fā)射閾值較高。對(duì)印刷好的 納米金 剛石薄膜進(jìn)行熱燒結(jié)處理以及表面后處理，石墨和不銹鋼襯底上 納米金 剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射特性比較于表 54 和圖 514，石墨上 160 的金相水砂紙打磨的 納米金 剛石薄膜的開啟電場(chǎng)、閾值電場(chǎng)比較小，同一電場(chǎng)強(qiáng)度下石墨襯底上 納米金 剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射電流密度比不銹鋼襯底上 納米金 剛石薄膜的場(chǎng)發(fā)射電流密度大。場(chǎng)發(fā)射特性的測(cè)試采用二極結(jié)構(gòu)，納米金剛石薄膜作為陰極，發(fā)射面積為 28 cm2，涂有熒光粉的ITO 玻璃作為陽(yáng)極，陰陽(yáng)極間距為 200 微米，工作電壓采用連續(xù)直流方式。印刷線條越精細(xì)，所需要的目數(shù)越高。北方民族大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵步驟處理 9 第二章 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和實(shí)驗(yàn)關(guān)鍵步驟處理 所采用的制備金剛石薄膜的實(shí)驗(yàn)工藝 一、 漿料的制備 圖 21 甲基纖維素 +水 +納米金剛石 圖 22 硝棉 +乙酸丁酯 +納米金剛石 如圖 圖 3所示，首先用甲基纖維素 +水 +納米金剛石的配方和硝棉 +乙酸丁酯 +納米金剛石