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正文內(nèi)容

基于plc的ito生產(chǎn)線控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)畢業(yè)設(shè)計(jì)(留存版)

  

【正文】 且受 到很多不確定的外界因素干擾 系統(tǒng)建模困難,采 用傳統(tǒng)的控制卻很達(dá)到高品質(zhì)的控制要求。 10℃。讓現(xiàn)場(chǎng)工程師能夠 詳細(xì)的了解 ITO 設(shè)備 工作原理, (2) 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì) 。 由于以上優(yōu)點(diǎn), PID 控制技術(shù),成為工業(yè)控制的主要技術(shù)之一, PID 控制技 24 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 22 頁(yè) 共 28 頁(yè) 術(shù)在工業(yè)應(yīng)用上都得到了滿意的結(jié)果。 伺服電機(jī)主要有以下三種控制方法 :轉(zhuǎn)矩控制、位置控制和速度控制。 通常情況下,如果采用自帶風(fēng)機(jī)冷卻或管道通風(fēng)時(shí),冷卻風(fēng)量的選擇原則是每 20kW 的電動(dòng)機(jī)損耗需要 1m2/ s 的風(fēng)量。 本產(chǎn)線采用的 PLC 型號(hào)為: CPU 4162 DP 訂貨號(hào): 6ES7 4162XN05OABO/ CPU 4162 中央處理單元,帶: MB 工作內(nèi)存, ( MB 代碼, MB數(shù)據(jù)), 1 個(gè)接口 MPI/DP 12 MBIT/S, , 2 個(gè)接口 PROFIBUS DP,硬件擴(kuò)展最大 21,可連接 OP 63,接口類型:集成,物理組成為 RS485/PROFIBUS。, configuration related to telemunication for devices in the Inline, are recorded in the 39。還有變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器控制得 速度 以及位置控制回路,及人機(jī)界面和儀表組成復(fù)雜得 現(xiàn)場(chǎng)總線控制系統(tǒng),該控制系統(tǒng)具有以下功能: 系統(tǒng)有計(jì)算機(jī)控制,要求穩(wěn)定可靠。按照蒸發(fā)源加熱部件不同 ,蒸發(fā)鍍膜法可分為電阻蒸發(fā)、高頻感應(yīng)蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)法 ,激光蒸發(fā)法等。此外 ,CVD 法還有一個(gè)超越其它成膜方法的優(yōu)點(diǎn) ,即用該方法較容易地制備范圍廣泛的可準(zhǔn)確控制化學(xué)成分及薄膜結(jié)構(gòu)的材料。 我國(guó)具有豐富的銦錫資源鑒于溶膠凝膠法具有可廣泛成膜的特點(diǎn) ,若能適時(shí)開展溶膠凝膠法制備 ITO 薄膜的研究 ,則很有可能在不久得將來(lái)形成 ITO 薄膜優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)。 Color Filter 的概況 彩色濾光片( Color filter)是一種表現(xiàn)顏色的光學(xué)濾光片,它可以精確選擇欲通過(guò)的小范圍波 段光波,而反射掉其他不希望通過(guò)的波段。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外,本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。 涉密論文按學(xué)校規(guī)定處理。 彩色濾光片基本結(jié)構(gòu)是由玻璃基板( Glass Substrate),黑色矩陣( Black Matrix),彩色層( Color Layer),保護(hù)層( Over Coat), ITO 導(dǎo)電膜組成。 直流磁控濺射法是目前工業(yè)應(yīng)用最成熟的工藝 ,與其它工藝相比較 ,其主要優(yōu)點(diǎn)為 : 1)成膜面積大 ,沉積速度高 ,可適用于大規(guī)模生產(chǎn)。用該法制備地薄膜 10 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 8 頁(yè) 共 28 頁(yè) 地電導(dǎo)率高 ,對(duì)可見光得透過(guò)率 90%以上 ,與其它方法相比較 ,SP 法的優(yōu)點(diǎn)在于 : 1) 原料的選擇范圍廣 ,并且成分、組成便于調(diào)整。 在液晶產(chǎn)品問(wèn)世初期,產(chǎn)線工藝還處于半自動(dòng)化階段,需要人工搬送 Glass 11 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 9 頁(yè) 共 28 頁(yè) 在每個(gè)工藝設(shè)備之間 。出現(xiàn)故障時(shí),能夠及時(shí)的通知在線操作人員并在人機(jī)界面顯示故障發(fā)生的位置,以便 第一時(shí)間 故障得到快速、妥當(dāng)處理。 現(xiàn)場(chǎng)總線應(yīng)用 :生產(chǎn)自動(dòng)化、過(guò)程自動(dòng)化和樓宇自動(dòng)化。頻率得下降會(huì)導(dǎo)致磁通的增加造成磁路飽和、勵(lì)磁電流增加、功率因數(shù)下降、鐵心和線圈過(guò)熱。通過(guò)對(duì)這些現(xiàn)象的分析,發(fā)現(xiàn)有以下兩個(gè)原因:即電動(dòng)機(jī)固有的低頻不穩(wěn)定性和電動(dòng)機(jī)與 變頻器相互影響造成的不穩(wěn)定性。伺服小車有一原點(diǎn)位,在調(diào)試時(shí),測(cè)出取片位置 (變量 VD2616)離伺服原點(diǎn)位的距離,然后再測(cè)出卸片位置 (變量 VD2620)與取片位置之間的距離,同時(shí)伺服驅(qū)動(dòng)器能掌握伺電機(jī)當(dāng)前的位置 (變量 VD2612)和運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。為了達(dá)到高品質(zhì)的控制要求 本節(jié)則運(yùn)用 了 PID 算法、功率控制器相結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)夾層 Glass 生產(chǎn)線 Temp 地 控制。在本系統(tǒng)中通過(guò) PLC 采用 PID 控制溫度,提高了溫度控制的準(zhǔn)確性,同時(shí)溫度 實(shí)時(shí)顯示在人機(jī)友好界面上 可以隨時(shí)觀察 ,加強(qiáng)了對(duì)溫度的可控性,使產(chǎn)品質(zhì)量合格率大幅提高。通過(guò)對(duì) ITO 產(chǎn)線硬件和軟件的介紹,能夠很好的維護(hù)設(shè)備及時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題點(diǎn),當(dāng)出現(xiàn)異常故障時(shí)可以清晰的分析問(wèn)題,減少宕機(jī) , 增加產(chǎn)量。 (3)穩(wěn)定性強(qiáng)其控制品質(zhì)對(duì)被控對(duì)象特性變化、 外界因素影響不太敏感。伺服電機(jī)的精度決定于編碼器在單位距離內(nèi)所反饋的脈沖數(shù),工業(yè)中常用的伺服電機(jī)有交流與直流之分。這種方式對(duì)高速和低速運(yùn)行的工況不利,低速時(shí)冷卻效果差,高速時(shí)電動(dòng)機(jī)效率嚴(yán)重下降??梢灶A(yù)期,隨著我國(guó)現(xiàn)代化進(jìn)程的深入, PLC 在我國(guó)將有更廣闊的應(yīng)用天地。Memory39。 ITO 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的要求及主要參數(shù) ITO 生產(chǎn)線控制系 統(tǒng)包含以下控制器回路:溫度傳感器和功率控制器組成的工藝控制回路、編碼器、接觸器組成距離測(cè)量回路。 真空蒸發(fā)法 真空蒸發(fā)法是指:在真空室中加熱蒸發(fā)容器中形成薄膜得原材料 ,使其原子或分子從表面氣化逸出形成蒸汽流入至襯底表面凝結(jié)形成固態(tài)薄膜方法。而且 ,用這種方法既能制備玻璃態(tài)物質(zhì) ,又能制備高度完整和高純的晶態(tài)物質(zhì)。大量文獻(xiàn)紛紛涌現(xiàn)許多國(guó) 際會(huì)議應(yīng)運(yùn)而生我國(guó)在 1990 年召開了第一屆全國(guó)溶膠凝膠技術(shù)討論會(huì)。由于優(yōu)點(diǎn)眾多, LCD 從 1998 年開始進(jìn)入臺(tái)式機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域。 作者簽名: 日 期: 3 學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明:所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的研究成果。 作者簽名: 日期: 年 月 日 導(dǎo)師簽名: 日期: 年 月 日 4 畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書 (論文 )中文摘要 此設(shè)計(jì)基于顯示行業(yè)制造面板公司,對(duì) Color Filter 工廠 ITO 生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)進(jìn)行研究。 ITO 的發(fā)展?fàn)顩r及生產(chǎn)技術(shù)概況 氧化銦錫 (Indium Tin Oxide 簡(jiǎn)稱 ITO)是重?fù)诫s、高簡(jiǎn)并 n 型半導(dǎo)體。 2)獲得的ITO 薄膜密度高 ,而且薄膜的純度較高 ,因?yàn)樵? 濺射過(guò)程不存在污染問(wèn)題。 2)對(duì)真空、氣氛等實(shí)驗(yàn)條件要求不高。 隨著產(chǎn)品尺寸與厚度不斷變大和減小,要求設(shè)備的精度與自動(dòng)化程度的也不斷的提高,目前生產(chǎn)線均采用現(xiàn)場(chǎng)總線控制,生產(chǎn)效率高,其可靠性好 ,這正實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化,大大降低了生產(chǎn)線的人工需求量 。報(bào)警信息具備 Warning 與 Alarm 之分, Warning 報(bào)警為提示功能不會(huì)導(dǎo)致宕 機(jī),以提高設(shè)備生產(chǎn)效率。 現(xiàn)場(chǎng)總線結(jié)構(gòu) FMS = FIELDBUS MESSAGE SPECIFICATION DP= DEZENTRALIZED PERIPHERY PA = PROCESS AUTOMATION 結(jié)構(gòu) 如圖( )所示 圖( )現(xiàn)場(chǎng)總線結(jié) 3 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì) 15 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 13 頁(yè) 共 28頁(yè) 本章研究了 ITO 控制系統(tǒng)的硬件構(gòu)成,前面介紹了 ITO 生產(chǎn)線的控制系統(tǒng)采用現(xiàn)場(chǎng)控制總線系統(tǒng),將系統(tǒng)分為輸出邏輯處理、輸出和反饋監(jiān)控四個(gè)部分。這是不允許的。在低頻時(shí)的這種不穩(wěn)定性表現(xiàn)為持續(xù)的 振蕩,也就是轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速在同步轉(zhuǎn)速附近的擺動(dòng),另一方面,也可能超出變頻器的換向能力而使其保護(hù)動(dòng)作,導(dǎo)致不能正常工作。運(yùn)行系統(tǒng)時(shí),伺服電機(jī)當(dāng)前位置數(shù)據(jù)與取片位置 數(shù)據(jù)及卸片位置數(shù)據(jù)進(jìn)行比較 然后根據(jù)當(dāng)時(shí)系統(tǒng) 。 ITO 地 溫度控制系統(tǒng)為 :模擬量輸入、 模擬量輸出組成的模擬控制系統(tǒng)。 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 27 頁(yè) 共 28 頁(yè) 29 致 謝 論文結(jié)束之際代表我將我的學(xué)習(xí)生涯即將結(jié)束,在此對(duì)所有關(guān)心我以及幫助我的師生表示真誠(chéng)謝意。 所完成得 工作 , 主要有以下幾個(gè)方面: (1) ITO 膜生產(chǎn)工藝及控制方案設(shè)計(jì) 。 (2)適應(yīng)性強(qiáng)可廣泛用于各種場(chǎng)合、 工業(yè)部門。來(lái)調(diào)整伺服電機(jī)的運(yùn)動(dòng)過(guò)程。對(duì)于 調(diào)速范圍 比較寬,特別是具有恒轉(zhuǎn)矩和恒功率調(diào)速兩個(gè)運(yùn)行范圍的電動(dòng)機(jī),由于在低速時(shí)的電流和磁通基本保持不變的恒轉(zhuǎn)矩特性,使它散熱困難,因此不能采用自帶風(fēng)扇冷卻。 PLC 及其有關(guān)的外圍設(shè)備都應(yīng)該按易于與工業(yè)控制系 19 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 17 頁(yè) 共 28頁(yè) 統(tǒng)形成一個(gè)整體,易于擴(kuò)展其功能的原則而設(shè)計(jì)。 and 39。具體生產(chǎn)工藝為: Glass 從 Index 傳出,經(jīng)過(guò) Inline 進(jìn)入 INCL進(jìn)行鍍膜前的 清洗 Glass 上 Particle,清洗干凈 Glass 通過(guò) Handling 進(jìn)入Sputter 設(shè)備通過(guò)真空磁控模式鍍膜,鍍膜后通過(guò) PDCL 對(duì)鍍膜后的 Glass 進(jìn)行清洗 表面雜質(zhì) ,清洗干凈后進(jìn)入 Oven 進(jìn)行烘烤 ,退火后進(jìn)入 AOI 微觀 進(jìn)行品質(zhì)檢查,最終回到 Feeder 生產(chǎn)完成 。Benamar[26]等采用 SP 法在 350~ 500℃的玻璃基體上制備出了電阻率為 4 104Ω ? cm,可見光區(qū)透射率 85%~ 90%地 ITO 薄膜。比如以 In(C5H7O2)3(乙酰丙酮銦 )和 (CH3)4Sn(四甲基錫 )為原材料 ,在 300℃下通過(guò)化學(xué)氣相沉積 熱分解和原位氧化制取 ITO 薄膜 ,主要原因是它提供了一種在
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