【正文】 太敏感。 10176。 5 ITO 溫度 ST540 控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 在 ITO 生產(chǎn)過(guò)程中，溫度是影響成膜效果關(guān)鍵因素之一溫度 會(huì)導(dǎo)致成膜出現(xiàn)色差，影響透過(guò)率。 在經(jīng)過(guò)電子齒輪后經(jīng)過(guò)倍頻或分頻后對(duì)電機(jī)進(jìn)行控制 ,型號(hào) :MRJ2S350B。伺服電機(jī)的精度決定于編碼器在單位距離內(nèi)所反饋的脈沖數(shù)，工業(yè)中常用的伺服電機(jī)有交流與直流之分。目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)機(jī)生產(chǎn)廠商均有與變頻器配套的各種 變頻電動(dòng)機(jī) ，用戶可采用配套的電動(dòng)機(jī)，從而使調(diào)速系統(tǒng)性能更加完善，上述問(wèn)題均是變頻器在實(shí)際應(yīng)用中值得認(rèn)真考慮的。電動(dòng)機(jī)和變頻器之間相互影響造成的不穩(wěn)定性，主要是由于電動(dòng)機(jī)機(jī)械系統(tǒng)的慣性或變頻器直流環(huán)節(jié)中濾波電感及電容之間發(fā)生能量交換造成的。在用戶實(shí)際使用中， 21 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 19 頁(yè) 共 28頁(yè) 當(dāng)一臺(tái)電動(dòng)機(jī)專用一個(gè) 變頻電源 時(shí)，運(yùn)行穩(wěn)定。這種方式對(duì)高速和低速運(yùn)行的工況不利，低速時(shí)冷卻效果差，高速時(shí)電動(dòng)機(jī)效率嚴(yán)重下降。對(duì)于容量明顯偏小變頻器的解決措施，可采取增加變頻器容量，減小電機(jī)容量或負(fù)載等改造措施來(lái)適應(yīng)變頻器的輸出功率。為此，要在降頻的同時(shí)還要降壓 。 本產(chǎn)線采用的輸入輸出模塊型號(hào)為： 輸入模塊 訂貨號(hào)： 6ES7 4211BL01OAAO 輸出模塊 訂貨號(hào)： 6ES7 4221BL00OAAO PROFIBUS CP 模塊 本產(chǎn)線采用的 Profibus CP 模塊型號(hào)為： CP 4431 訂貨號(hào)： 6GK7 4431EX11OXEO/ 1 個(gè) CP 4435 訂貨號(hào)： 6GK7 4435DX04OXEO/ 4 個(gè) 從站分別對(duì)應(yīng)： Profibus 1: ATM Interface Profibus 2: Vacuum Modules Profibus 3: Vacuum Modules Carrier Drives, MoveMag Drives, Rotation Cathode Drives Profibus 4: Process 4 生產(chǎn)線電機(jī)控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì) 變頻調(diào)速 變頻調(diào)速原理 變頻調(diào)速技術(shù) 基本原理是 ：根據(jù)電機(jī)轉(zhuǎn)速與工作電源輸入頻率成正比得 關(guān)系： n =60 f（ 1s） /p=n2Δ n1，（式中 n、 f、 s、 p 表示轉(zhuǎn)速、輸入頻率、電機(jī)轉(zhuǎn)差率、電機(jī)磁極對(duì)數(shù)）；式中， n2 為同步轉(zhuǎn)速，Δ n1為轉(zhuǎn)差損失的轉(zhuǎn)速， p 20 畢 業(yè) 設(shè) 計(jì) 說(shuō) 明 書 ( 論 文 ) 第 18 頁(yè) 共 28頁(yè) 為磁極對(duì)數(shù)， s 為轉(zhuǎn)差率， f 為電源的頻率?？梢灶A(yù)期，隨著我國(guó)現(xiàn)代化進(jìn)程的深入， PLC 在我國(guó)將有更廣闊的應(yīng)用天地。 Core? 2 Duo T7400 ( GHz， 667 MHz 前端總線，帶擴(kuò)展內(nèi)存 64 (EM64) 技術(shù)的 4Mbyte L2 緩存 ) 基本主內(nèi)存： 256 Mbyte DDR2 677 SDRAM，可擴(kuò)展至 4 Gbyte 驅(qū)動(dòng)器： 80Gbyte 串行 ATA 硬盤 (在內(nèi)部的固定安裝驅(qū)動(dòng)框架中 ) 磁盤驅(qū)動(dòng)器： Mbyte， “ 圖形：板載的在 PCIExpress 總線上的 Intel174。下面就針對(duì) ITO 設(shè)備所應(yīng)用的 控制系統(tǒng) 設(shè)計(jì)進(jìn)行 研究 。 現(xiàn)場(chǎng)總線使用分散的外圍 ,現(xiàn)場(chǎng)總線與通信節(jié)點(diǎn) ,然后通過(guò)控制信號(hào)從現(xiàn)場(chǎng)總線組件。Memory39。Network No.39。 電機(jī)具有實(shí)時(shí)性好，反映準(zhǔn)確靈敏，抗干擾能力強(qiáng)。只有具有修改權(quán)限的操作人員才可修改系統(tǒng)運(yùn)行參數(shù)，同時(shí)當(dāng)操作人員發(fā)生誤操作時(shí)，系統(tǒng)會(huì)發(fā)出警告信息提醒操作人員。 ITO 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的要求及主要參數(shù) ITO 生產(chǎn)線控制系 統(tǒng)包含以下控制器回路：溫度傳感器和功率控制器組成的工藝控制回路、編碼器、接觸器組成距離測(cè)量回路。 2 ITO膜生產(chǎn)工藝及控制方案設(shè)計(jì) 本章 介紹 ITO 得生產(chǎn)工藝流程 分析 ，該生產(chǎn)工藝過(guò)程 然后針對(duì)工藝流程中的相關(guān)特點(diǎn) ， 對(duì) ITO 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì) ， 進(jìn)行總體規(guī)劃。 論文的主要內(nèi)容 本文在我國(guó) ITO生產(chǎn)線得現(xiàn)狀基礎(chǔ)上 對(duì) ITO生產(chǎn)線的自動(dòng)化控制系統(tǒng)進(jìn)行檢討 ，其主要內(nèi)容包括以及幾個(gè)方面。 4)膜的生長(zhǎng)機(jī)制比較單純 ,成膜速度較好效率高， 但真空蒸發(fā)法也有其缺點(diǎn) :不易獲得具有良好結(jié)晶結(jié)構(gòu)得薄膜 ,薄膜與襯底的附著力較小 ,工藝重復(fù)性不夠好 ,且由于銦錫的飽和蒸氣壓遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于錫的飽和蒸氣壓二者的蒸發(fā)速率有顯著差異 ,這必然造成在沉淀過(guò)程中 ITO 膜的組分偏離源 ,從而影響膜的性質(zhì)，解決此問(wèn)題的方法是采用多源同步蒸發(fā) ,有很多文獻(xiàn)專門針對(duì)這一問(wèn)題進(jìn)行了討論 ,。 真空蒸發(fā)法 真空蒸發(fā)法是指：在真空室中加熱蒸發(fā)容器中形成薄膜得原材料 ,使其原子或分子從表面氣化逸出形成蒸汽流入至襯底表面凝結(jié)形成固態(tài)薄膜方法。其次是由于噴霧熱分解過(guò)程得影響參數(shù)很多 ,其中最重要地是基板溫度、噴霧氣流速度、溶液濃度、液滴尺寸、噴嘴 2 基體距離 [24]。 3) 設(shè)備簡(jiǎn)單 ,反應(yīng)易于控制。 噴霧熱分解法 噴霧熱解法用于玻璃基板鍍功能薄膜得有效方 ,其過(guò)程是將含金屬離子得溶液，經(jīng)霧化噴向熱玻璃基板隨著溶劑 揮發(fā)溶質(zhì)在基板上進(jìn)行熱分解反應(yīng)形成薄膜。而且 ,用這種方法既能制備玻璃態(tài)物質(zhì) ,又能制備高度完整和高純的晶態(tài)物質(zhì)。 針對(duì)直流磁控濺射法的合成機(jī)理、不同基底上的成膜工藝以及工藝參數(shù)，對(duì)薄膜性能的影響規(guī)律等 ,科學(xué)家們進(jìn)行了廣泛 研究。 3)由于通過(guò)控制靶電流可有效控制濺射速率 ,所以濺射鍍 膜的膜厚可控性和多次濺射的膜厚再現(xiàn)性好 ,能夠有效地鍍制預(yù)定厚度的薄膜 。采用溶膠 凝膠法制備出了電阻 直流磁控濺射法 直流磁控濺射法，已廣泛應(yīng)用于各種薄膜的制備 ,也是制備薄膜一種非常成熟得技術(shù)。大量文獻(xiàn)紛紛涌現(xiàn)許多國(guó) 際會(huì)議應(yīng)運(yùn)而生我國(guó)在 1990 年召開(kāi)了第一屆全國(guó)溶膠凝膠技術(shù)討論會(huì)。 ITO 導(dǎo)電薄膜的方法很多 ,根據(jù)生產(chǎn)原理得不同 ,ITO 薄膜地生產(chǎn)技術(shù)主要有磁控濺射法、噴霧熱分解法、真空蒸發(fā)法、以及近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的可大面積成膜的溶膠 2 凝膠 (Sol2Gel)技術(shù)等 5 種制膜工藝。從 20世紀(jì) 80 年代 ITO 薄膜工業(yè)化生產(chǎn)以來(lái) ,以其低地電阻率 (可達(dá) 7 105Ω ? cm)、可見(jiàn)光透射率 (≥ 90%)、良好的得、紅外高反射比、玻璃結(jié)合牢固、抗擦傷及半導(dǎo)體特性等優(yōu)點(diǎn) ,被廣泛應(yīng)用于顯示器、太陽(yáng)能電池、氣敏元件、抗靜電涂層以及 /絕緣體半導(dǎo)體 /半導(dǎo)體 (SIS)異質(zhì)結(jié)、現(xiàn)代戰(zhàn)機(jī)和巡航導(dǎo)彈的窗口等。與 UV 濾光片， VD 濾光片相比，凡是帶色的濾光片之總稱。由于優(yōu)點(diǎn)眾多， LCD 從 1998 年開(kāi)始進(jìn)入臺(tái)式機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域。從而影響到它的光學(xué)性質(zhì)，這種現(xiàn)象叫做電光效應(yīng)。本文設(shè)計(jì)的內(nèi)容有以下幾點(diǎn)： 針對(duì) ITO 生產(chǎn)線自動(dòng)控制系統(tǒng)進(jìn)行總體設(shè)計(jì)研究。 作者簽名： 日期： 年 月 日 學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書 本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國(guó)家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。 作者簽名： 日 期： 3 學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)行研究所取得的研究成果。 1 畢業(yè) 設(shè)計(jì) 題 目： 基于 PLC 的 ITO生產(chǎn)線控制系統(tǒng)設(shè)計(jì) 2 畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)說(shuō)明 原創(chuàng)性聲明 本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文），是我個(gè)人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的成果。 作 者 簽 名： 日 期： 指導(dǎo)教師簽名： 日 期： 使用授權(quán)說(shuō)明 本人完全了解 大學(xué)關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的規(guī)定，即：按照學(xué)校要求提交畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本和電子版本；學(xué)校有權(quán)保存畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務(wù)；學(xué)?？梢圆捎糜坝?、縮印、數(shù)字化或其它復(fù)制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學(xué)?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉?jī)?nèi)容。本人完全意識(shí)到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。 作者簽名： 日期： 年 月 日 導(dǎo)師簽名： 日期： 年 月 日 4 畢業(yè)設(shè)計(jì)說(shuō)明書 (論文 )中文摘要 此設(shè)計(jì)基于顯示行業(yè)制造面板公司，對(duì) Color Filter 工廠 ITO 生產(chǎn)線的設(shè)計(jì)進(jìn)行研究。在電場(chǎng)的作用下，液晶分子的排列會(huì)產(chǎn)生變化。與傳統(tǒng)的 CRT 相比， LCD 不但體積小，厚度薄（目前 英寸的整機(jī)厚度可做到只有 5 厘米），重量輕、耗能少（ 1 到 10 微瓦 /平方厘米）、工作電壓低（ 到 6V）且無(wú)輻射，無(wú)閃爍并能直接與 CMOS 集成電路匹配。有紅外濾光片，綠色，藍(lán)色等。 ITO 的發(fā)展?fàn)顩r及生產(chǎn)技術(shù)概況 氧化銦錫 (Indium Tin Oxide 簡(jiǎn)稱 ITO)是重?fù)诫s、高簡(jiǎn)并 n 型半導(dǎo)體。工業(yè)地發(fā)展，其生產(chǎn)技術(shù)得發(fā)展是密不可分的 ,因此了解 ITO薄膜得生產(chǎn)技術(shù)概況 ,發(fā)展趨勢(shì)是非常必要的。 20 世紀(jì) 80 年代是溶膠2 凝膠科學(xué)技術(shù)發(fā)展的高峰時(shí)期。 目前 ,國(guó)內(nèi)外有關(guān)溶膠凝膠法，制備 ITO 薄膜得文獻(xiàn)報(bào)道很多 ,如 Yasutaka 等研究了退火溫度、溶膠濃度、鍍膜層數(shù)對(duì)電 阻的影響 。 2)獲得的ITO 薄膜密度高 ,而且薄膜的純度較高 ,因?yàn)樵? 濺射過(guò)程不存在污染問(wèn)題。 其主要缺點(diǎn)是所需設(shè)備非常復(fù)雜 ,需要高壓或大功率直流電源 ,設(shè)備投資高其次該法的影響因素非常復(fù)雜 ,尤其是 ITO 靶材質(zhì)量的影響 ,要獲得高性能的 ITO 薄膜 ,必須首先制備出高質(zhì)量的 ITO 靶材。比如以 In(C5H7O2)3(乙酰丙酮銦 )和 (CH3)4Sn(四甲基錫 )為原材料 ,在 300℃下通過(guò)化學(xué)氣相沉積 熱分解和原位氧化制取 ITO 薄膜 ,主要原因是它提供了一種在相對(duì)較低溫度下沉積大量的各種元素及化合物的方法。 Akinwunmi 和 Eleruja[22]等則采用 MO