【正文】 太敏感。 10176。 5 ITO 溫度 ST540 控制系統(tǒng)的設(shè)計 在 ITO 生產(chǎn)過程中，溫度是影響成膜效果關(guān)鍵因素之一溫度 會導(dǎo)致成膜出現(xiàn)色差，影響透過率。 在經(jīng)過電子齒輪后經(jīng)過倍頻或分頻后對電機進行控制 ,型號 :MRJ2S350B。伺服電機的精度決定于編碼器在單位距離內(nèi)所反饋的脈沖數(shù)，工業(yè)中常用的伺服電機有交流與直流之分。目前國內(nèi)外電動機生產(chǎn)廠商均有與變頻器配套的各種 變頻電動機 ，用戶可采用配套的電動機，從而使調(diào)速系統(tǒng)性能更加完善，上述問題均是變頻器在實際應(yīng)用中值得認(rèn)真考慮的。電動機和變頻器之間相互影響造成的不穩(wěn)定性，主要是由于電動機機械系統(tǒng)的慣性或變頻器直流環(huán)節(jié)中濾波電感及電容之間發(fā)生能量交換造成的。在用戶實際使用中， 21 畢 業(yè) 設(shè) 計 說 明 書 ( 論 文 ) 第 19 頁 共 28頁 當(dāng)一臺電動機專用一個 變頻電源 時，運行穩(wěn)定。這種方式對高速和低速運行的工況不利，低速時冷卻效果差，高速時電動機效率嚴(yán)重下降。對于容量明顯偏小變頻器的解決措施，可采取增加變頻器容量，減小電機容量或負(fù)載等改造措施來適應(yīng)變頻器的輸出功率。為此，要在降頻的同時還要降壓 。 本產(chǎn)線采用的輸入輸出模塊型號為： 輸入模塊 訂貨號： 6ES7 4211BL01OAAO 輸出模塊 訂貨號： 6ES7 4221BL00OAAO PROFIBUS CP 模塊 本產(chǎn)線采用的 Profibus CP 模塊型號為： CP 4431 訂貨號： 6GK7 4431EX11OXEO/ 1 個 CP 4435 訂貨號： 6GK7 4435DX04OXEO/ 4 個 從站分別對應(yīng)： Profibus 1: ATM Interface Profibus 2: Vacuum Modules Profibus 3: Vacuum Modules Carrier Drives, MoveMag Drives, Rotation Cathode Drives Profibus 4: Process 4 生產(chǎn)線電機控制系統(tǒng)的設(shè)計 變頻調(diào)速 變頻調(diào)速原理 變頻調(diào)速技術(shù) 基本原理是 ：根據(jù)電機轉(zhuǎn)速與工作電源輸入頻率成正比得 關(guān)系： n =60 f（ 1s） /p=n2Δ n1，（式中 n、 f、 s、 p 表示轉(zhuǎn)速、輸入頻率、電機轉(zhuǎn)差率、電機磁極對數(shù)）；式中， n2 為同步轉(zhuǎn)速，Δ n1為轉(zhuǎn)差損失的轉(zhuǎn)速， p 20 畢 業(yè) 設(shè) 計 說 明 書 ( 論 文 ) 第 18 頁 共 28頁 為磁極對數(shù)， s 為轉(zhuǎn)差率， f 為電源的頻率?？梢灶A(yù)期，隨著我國現(xiàn)代化進程的深入， PLC 在我國將有更廣闊的應(yīng)用天地。 Core? 2 Duo T7400 ( GHz， 667 MHz 前端總線，帶擴展內(nèi)存 64 (EM64) 技術(shù)的 4Mbyte L2 緩存 ) 基本主內(nèi)存： 256 Mbyte DDR2 677 SDRAM，可擴展至 4 Gbyte 驅(qū)動器： 80Gbyte 串行 ATA 硬盤 (在內(nèi)部的固定安裝驅(qū)動框架中 ) 磁盤驅(qū)動器： Mbyte， “ 圖形：板載的在 PCIExpress 總線上的 Intel174。下面就針對 ITO 設(shè)備所應(yīng)用的 控制系統(tǒng) 設(shè)計進行 研究 。 現(xiàn)場總線使用分散的外圍 ,現(xiàn)場總線與通信節(jié)點 ,然后通過控制信號從現(xiàn)場總線組件。Memory39。Network No.39。 電機具有實時性好，反映準(zhǔn)確靈敏，抗干擾能力強。只有具有修改權(quán)限的操作人員才可修改系統(tǒng)運行參數(shù)，同時當(dāng)操作人員發(fā)生誤操作時，系統(tǒng)會發(fā)出警告信息提醒操作人員。 ITO 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的要求及主要參數(shù) ITO 生產(chǎn)線控制系 統(tǒng)包含以下控制器回路：溫度傳感器和功率控制器組成的工藝控制回路、編碼器、接觸器組成距離測量回路。 2 ITO膜生產(chǎn)工藝及控制方案設(shè)計 本章 介紹 ITO 得生產(chǎn)工藝流程 分析 ，該生產(chǎn)工藝過程 然后針對工藝流程中的相關(guān)特點 ， 對 ITO 生產(chǎn)線控制系統(tǒng)的設(shè)計 ， 進行總體規(guī)劃。 論文的主要內(nèi)容 本文在我國 ITO生產(chǎn)線得現(xiàn)狀基礎(chǔ)上 對 ITO生產(chǎn)線的自動化控制系統(tǒng)進行檢討 ，其主要內(nèi)容包括以及幾個方面。 4)膜的生長機制比較單純 ,成膜速度較好效率高， 但真空蒸發(fā)法也有其缺點 :不易獲得具有良好結(jié)晶結(jié)構(gòu)得薄膜 ,薄膜與襯底的附著力較小 ,工藝重復(fù)性不夠好 ,且由于銦錫的飽和蒸氣壓遠遠大于錫的飽和蒸氣壓二者的蒸發(fā)速率有顯著差異 ,這必然造成在沉淀過程中 ITO 膜的組分偏離源 ,從而影響膜的性質(zhì)，解決此問題的方法是采用多源同步蒸發(fā) ,有很多文獻專門針對這一問題進行了討論 ,。 真空蒸發(fā)法 真空蒸發(fā)法是指：在真空室中加熱蒸發(fā)容器中形成薄膜得原材料 ,使其原子或分子從表面氣化逸出形成蒸汽流入至襯底表面凝結(jié)形成固態(tài)薄膜方法。其次是由于噴霧熱分解過程得影響參數(shù)很多 ,其中最重要地是基板溫度、噴霧氣流速度、溶液濃度、液滴尺寸、噴嘴 2 基體距離 [24]。 3) 設(shè)備簡單 ,反應(yīng)易于控制。 噴霧熱分解法 噴霧熱解法用于玻璃基板鍍功能薄膜得有效方 ,其過程是將含金屬離子得溶液，經(jīng)霧化噴向熱玻璃基板隨著溶劑 揮發(fā)溶質(zhì)在基板上進行熱分解反應(yīng)形成薄膜。而且 ,用這種方法既能制備玻璃態(tài)物質(zhì) ,又能制備高度完整和高純的晶態(tài)物質(zhì)。 針對直流磁控濺射法的合成機理、不同基底上的成膜工藝以及工藝參數(shù)，對薄膜性能的影響規(guī)律等 ,科學(xué)家們進行了廣泛 研究。 3)由于通過控制靶電流可有效控制濺射速率 ,所以濺射鍍 膜的膜厚可控性和多次濺射的膜厚再現(xiàn)性好 ,能夠有效地鍍制預(yù)定厚度的薄膜 。采用溶膠 凝膠法制備出了電阻 直流磁控濺射法 直流磁控濺射法，已廣泛應(yīng)用于各種薄膜的制備 ,也是制備薄膜一種非常成熟得技術(shù)。大量文獻紛紛涌現(xiàn)許多國 際會議應(yīng)運而生我國在 1990 年召開了第一屆全國溶膠凝膠技術(shù)討論會。 ITO 導(dǎo)電薄膜的方法很多 ,根據(jù)生產(chǎn)原理得不同 ,ITO 薄膜地生產(chǎn)技術(shù)主要有磁控濺射法、噴霧熱分解法、真空蒸發(fā)法、以及近年來發(fā)展起來的可大面積成膜的溶膠 2 凝膠 (Sol2Gel)技術(shù)等 5 種制膜工藝。從 20世紀(jì) 80 年代 ITO 薄膜工業(yè)化生產(chǎn)以來 ,以其低地電阻率 (可達 7 105Ω ? cm)、可見光透射率 (≥ 90%)、良好的得、紅外高反射比、玻璃結(jié)合牢固、抗擦傷及半導(dǎo)體特性等優(yōu)點 ,被廣泛應(yīng)用于顯示器、太陽能電池、氣敏元件、抗靜電涂層以及 /絕緣體半導(dǎo)體 /半導(dǎo)體 (SIS)異質(zhì)結(jié)、現(xiàn)代戰(zhàn)機和巡航導(dǎo)彈的窗口等。與 UV 濾光片， VD 濾光片相比，凡是帶色的濾光片之總稱。由于優(yōu)點眾多， LCD 從 1998 年開始進入臺式機應(yīng)用領(lǐng)域。從而影響到它的光學(xué)性質(zhì)，這種現(xiàn)象叫做電光效應(yīng)。本文設(shè)計的內(nèi)容有以下幾點： 針對 ITO 生產(chǎn)線自動控制系統(tǒng)進行總體設(shè)計研究。 作者簽名： 日期： 年 月 日 學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書 本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。 作者簽名： 日 期： 3 學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨立進行研究所取得的研究成果。 1 畢業(yè) 設(shè)計 題 目： 基于 PLC 的 ITO生產(chǎn)線控制系統(tǒng)設(shè)計 2 畢業(yè)設(shè)計（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權(quán)說明 原創(chuàng)性聲明 本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設(shè)計（論文），是我個人在指導(dǎo)教師的指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的成果。 作 者 簽 名： 日 期： 指導(dǎo)教師簽名： 日 期： 使用授權(quán)說明 本人完全了解 大學(xué)關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計（論文）的規(guī)定，即：按照學(xué)校要求提交畢業(yè)設(shè)計（論文）的印刷本和電子版本；學(xué)校有權(quán)保存畢業(yè)設(shè)計（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務(wù)；學(xué)校可以采用影印、縮印、數(shù)字化或其它復(fù)制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學(xué)?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉績?nèi)容。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔(dān)。 作者簽名： 日期： 年 月 日 導(dǎo)師簽名： 日期： 年 月 日 4 畢業(yè)設(shè)計說明書 (論文 )中文摘要 此設(shè)計基于顯示行業(yè)制造面板公司，對 Color Filter 工廠 ITO 生產(chǎn)線的設(shè)計進行研究。在電場的作用下，液晶分子的排列會產(chǎn)生變化。與傳統(tǒng)的 CRT 相比， LCD 不但體積小，厚度?。壳?英寸的整機厚度可做到只有 5 厘米），重量輕、耗能少（ 1 到 10 微瓦 /平方厘米）、工作電壓低（ 到 6V）且無輻射，無閃爍并能直接與 CMOS 集成電路匹配。有紅外濾光片，綠色，藍色等。 ITO 的發(fā)展?fàn)顩r及生產(chǎn)技術(shù)概況 氧化銦錫 (Indium Tin Oxide 簡稱 ITO)是重?fù)诫s、高簡并 n 型半導(dǎo)體。工業(yè)地發(fā)展，其生產(chǎn)技術(shù)得發(fā)展是密不可分的 ,因此了解 ITO薄膜得生產(chǎn)技術(shù)概況 ,發(fā)展趨勢是非常必要的。 20 世紀(jì) 80 年代是溶膠2 凝膠科學(xué)技術(shù)發(fā)展的高峰時期。 目前 ,國內(nèi)外有關(guān)溶膠凝膠法，制備 ITO 薄膜得文獻報道很多 ,如 Yasutaka 等研究了退火溫度、溶膠濃度、鍍膜層數(shù)對電 阻的影響 。 2)獲得的ITO 薄膜密度高 ,而且薄膜的純度較高 ,因為在 濺射過程不存在污染問題。 其主要缺點是所需設(shè)備非常復(fù)雜 ,需要高壓或大功率直流電源 ,設(shè)備投資高其次該法的影響因素非常復(fù)雜 ,尤其是 ITO 靶材質(zhì)量的影響 ,要獲得高性能的 ITO 薄膜 ,必須首先制備出高質(zhì)量的 ITO 靶材。比如以 In(C5H7O2)3(乙酰丙酮銦 )和 (CH3)4Sn(四甲基錫 )為原材料 ,在 300℃下通過化學(xué)氣相沉積 熱分解和原位氧化制取 ITO 薄膜 ,主要原因是它提供了一種在相對較低溫度下沉積大量的各種元素及化合物的方法。 Akinwunmi 和 Eleruja[22]等則采用 MO