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正文內(nèi)容

畢業(yè)設(shè)計(jì)-高功率因數(shù)開關(guān)電源設(shè)計(jì)(留存版)

  

【正文】 世以來便顯示出強(qiáng)大的生命力,它作為一項(xiàng)頗具發(fā)展前景和影響力的新產(chǎn)品,引起了國(guó)內(nèi)外電源界的普遍關(guān)注。而功耗小,散熱器也隨之減小。 ( 2) 高可靠性 ——開關(guān)電源使用的元器件比連續(xù)工作電源少數(shù)十倍,因此提高了可靠性。 單片開關(guān)集成芯片一經(jīng)問世便顯示出強(qiáng)大的生命力,目前已成為國(guó)際上開發(fā) 290W 以下中、小功率開關(guān)電源、精密開關(guān)電源、特種開關(guān)電源及電源模塊的優(yōu) 選集成電路 [1720]。內(nèi)部的鉗位電壓將 MOSFET 柵極上的電壓鉗位于 12. 5V,外部所接的柵極驅(qū)動(dòng)電阻 RGATE 限制了柵極驅(qū)動(dòng)電路寄生電感和寄生電容的上升時(shí)間和阻尼振蕩。 芯片引腳說明 UCC28019 采用 8Lead PDIP 和 8Lead SOIC 兩種封裝形式,其引腳排列如圖 13所示, UCC28019 的引腳功能介紹如下: 圖 13 芯片引腳圖 引腳 1(GND):芯片接地端。該引腳為內(nèi)部跨導(dǎo)電壓誤差放大器輸出端。推挽式柵極驅(qū)動(dòng),可以驅(qū)動(dòng)外部一個(gè)或者多個(gè)功率MOSFET,提供 ~ 電流驅(qū)動(dòng),輸出電壓被鉗位于 12. 5V。 C 的濾波使輸出 Vout 的波形連續(xù) 。主要的軟件部分有以下幾部分,首先,初始化系統(tǒng)中斷定時(shí)器 0,使能兩個(gè)外部中斷及將端口復(fù)用到通用端口,使定時(shí)器工作在 16 計(jì)數(shù)狀態(tài);然后是兩個(gè)外部中斷的中斷服務(wù)程序的編寫,其次計(jì)算功率因數(shù)并將其每一位變成其 ANCII 碼送顯示。在一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的 8051 中,除 MUL 和 DIV 以外所有指令都需要 12 或 24 個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘周期,最大系統(tǒng)時(shí)鐘頻率為 1224MHz。 12位模 /數(shù)轉(zhuǎn)換器 C8051F020/1有一個(gè)片內(nèi) 12位 SAR ADC( ADC0),一個(gè) 9通道輸入多路選擇開關(guān)和可編程增益放大器。轉(zhuǎn)換結(jié)束由一個(gè)狀態(tài)位指示,或者產(chǎn)生中斷(如果中斷被使能)。 OSCXCN = 0x67。 圖 31 信號(hào)調(diào)節(jié)電路 信號(hào)的采樣 模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字電路,通常采用的是模數(shù)轉(zhuǎn)換器。轉(zhuǎn)換觸發(fā)源有:向 ADC0CN 的 AD0BUSY 位寫 1;定時(shí)器 3 溢出(即定時(shí)的連續(xù)轉(zhuǎn)換 );外部 ADC 轉(zhuǎn)換啟動(dòng)信號(hào)的上升沿, CNVSTR;定時(shí)器 2 溢出(即定時(shí)的連續(xù)轉(zhuǎn)換)。對(duì)于一個(gè)給定的建立精度( SA),所需要的 ADC0 建立時(shí)間可以用如下方程見式( 21)估算。 23 注意:如果使用 ADC 或 DAC,則不管電壓基準(zhǔn)取自片內(nèi)還是片外, BIASE 位必須被置為邏輯 ?1?。 accumulator = 0L。//0x09。x++)。 Netdata[6]= (timer_buf/100)+0x30。NCDdata。x1000。而且問題比較難找到!很幸運(yùn)我們沒有碰到這個(gè)問題,雖然電路的輸出與設(shè)定值有一定的差距但改變反饋電阻后可以達(dá)到設(shè)定值。 本論文的順利完成,離不開各位老師、同學(xué)和朋友的關(guān)心和幫助。 這次 設(shè)計(jì)鍛煉了自己的動(dòng)手能力,分析問題、解決問題的能力,同時(shí)也具備了一定的創(chuàng)新能力,為以后的發(fā)展和工作打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。x5000。 P3 = 0xc0。 //準(zhǔn)備送 數(shù)據(jù) for(x=0。 NCDdata[6] = (voltage/100)%10 +0x30。 P2 = 0x00。 /*一行顯示 */ P3 = 0x38。 // 清 ADC 中斷標(biāo)志位 accumulator += ADC0。REF0CN 中的 BIASE 位使能片內(nèi)電壓基準(zhǔn)發(fā)生器,而 REFBE 位使能驅(qū)動(dòng) VREF引腳的緩沖放大器。 ( 3) 建立時(shí)間要求 當(dāng) ADC0 輸入配置發(fā)生改變時(shí)( AMUX 或 PGA 的選擇發(fā)生變化),在進(jìn)行一次精確的轉(zhuǎn)換之前需要有一個(gè)最小的跟蹤時(shí)間。 PGA 對(duì) AMUX 輸出信號(hào)的放大倍數(shù)由 ADC0 配置寄存器 ADC0CF中的 AMP0GN20 確定。 20 } 輸出采樣電路 信號(hào)調(diào)節(jié)電路 圖 21 的電路是一個(gè)經(jīng)典的解決方案,第一級(jí)是電壓衰減,第二級(jí)是電壓校正。與具有標(biāo)準(zhǔn)復(fù)用數(shù)字 I/O的微控制器不同,這種結(jié)構(gòu)可支持所有的功能組合。可編程增益放大器接在模擬多路選擇器 之后,增益可以用軟件設(shè)置,從 16以 2的整數(shù)次冪遞增。 MCU 的程序存儲(chǔ)器包含 64K 字節(jié)的 FLASH。 C8051F020 的內(nèi)核 該 與 8051 完全兼容 C8051F020 系列器件使用 Silicon Labs 的專利 CIP51 微控制器內(nèi)核。在一定的精度范圍內(nèi),可以通過求得電壓波形與電流波形的相位差來計(jì)算電路的功率因數(shù)。所以電感的選擇只能折中,通常選擇使臨界電流低于最小規(guī)定負(fù)載電流的電感,或按可接受的波紋電流盡可能地小的標(biāo)準(zhǔn)來選擇。 引腳 7 (Vcc):芯片工作電源。當(dāng) VINS引腳的電壓超過門限電平 1. 5V時(shí),芯片 UCC28019 將開始進(jìn)行軟啟動(dòng)。分壓電阻的比率由所設(shè)計(jì)的輸出電壓和內(nèi)部的5V 標(biāo)準(zhǔn)參考電壓來確定。內(nèi)環(huán)為電流環(huán),在連續(xù)電感電流條件下,它使平均輸入電流跟蹤正弦輸入電壓呈現(xiàn)正弦波,在輕載220 V 輸入 AC / DC 變換 DC / DC 變換 PFC 控制液晶顯示輸出CPU 鍵盤設(shè)定功率因數(shù)檢測(cè)Uo 8 情況下,依據(jù) Boost 電感值,電感電流可能會(huì)進(jìn)入不連續(xù)導(dǎo)通模式,盡管此時(shí)諧波較高,但系統(tǒng)依然滿足 IEC100032 標(biāo)準(zhǔn)的 D 類要求,外環(huán)為電壓環(huán),依據(jù)電網(wǎng)和負(fù)載條件,通過電壓環(huán)路補(bǔ)償引腳對(duì)輸出電壓進(jìn)行控制,該引腳決定了維持低畸變率,狀態(tài)穩(wěn)定的輸入電流波形而需要的內(nèi)部增益??傊?,人們?cè)陂_關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域里,邊研究低損耗回路技術(shù),邊開發(fā)新型元器件,兩者相互促進(jìn)并推動(dòng)著開關(guān)電源以每年超過兩位數(shù)的市場(chǎng)增長(zhǎng)率向小 型、薄型、高頻、低噪聲以及高可靠性方向發(fā)展 [1216]。采用諧振開關(guān)式的兆赫級(jí)變換器已經(jīng)實(shí)用 化。另外由于技術(shù)性能和要求的提高,使得許多相關(guān)技術(shù)課題的研究,例如 EMI 技術(shù)、 PCB Layout 問題、熱理論的分析、集成磁技術(shù)、新型電容技術(shù)、新型功率器件技術(shù)、新型控制以及結(jié)構(gòu)和工藝等正在迅速增加 [10]。使得電源體積更小,重量更輕,功率密度進(jìn)一步提高。 圖 1 線性穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu)框圖 線性穩(wěn)壓電源雖然可以滿足所需直流電壓的高低和 供電質(zhì)量 (精度、紋波等 )的要求,但有兩個(gè)嚴(yán)重的缺點(diǎn) : 一是調(diào)整管工作在線性放大狀態(tài),損耗很大,因而使整個(gè)電源效率很低 ; 二是需要一個(gè)工頻變壓器,使得電源體積很大。該系統(tǒng)具有一定的優(yōu)點(diǎn) :直觀特性、穩(wěn)定性好 ,顯著提高功率因數(shù)。 15 小結(jié) 這樣,當(dāng)輸入電壓 Ui 發(fā)生變化,或負(fù)載變化引起電源的輸出電壓 Uo 變化時(shí),就可以通過改變穩(wěn)壓調(diào)整管的管壓降來使輸出電壓穩(wěn)定。 20世紀(jì) 80 年代,絕緣柵雙極型晶體管 ((IGBT)出現(xiàn), IGBT 可以看成是 MOSFET 和 GTR復(fù)合而成的器件 ,它不但 具有 MOSFET 的電壓型驅(qū)動(dòng)、驅(qū)動(dòng)功率小的優(yōu)點(diǎn),同 時(shí)又具有 GTR 飽和壓降低和可耐高壓、大電流等一系列應(yīng)用上的優(yōu)點(diǎn) , 使得開關(guān)電源的容量進(jìn)一步增大,在許多中等容量范圍內(nèi),迅速取代了晶閘管相控電源。許多新的領(lǐng)域和新的要求又對(duì)開關(guān)電源提出了更新更高的挑戰(zhàn)。為提高開關(guān)頻率,必須采用高速開關(guān)器件。 開關(guān)電源的發(fā)展從來都是與半導(dǎo)體器件及磁性元件等的發(fā)展休戚相關(guān)的。內(nèi)部的振蕩器能夠提供 65Khz 固定的開關(guān)頻率,從而保證了傳導(dǎo) EMI 噪聲頻譜的基波和二次諧波低于 EN55022 標(biāo)準(zhǔn)要求的傳導(dǎo)帶寬。正常占空比工作時(shí)輸出過壓保護(hù) (OVP)、峰值電流限制 (PCL)等,在每一周期均可直接關(guān)斷芯片的柵極輸出,欠壓鎖定 (UVLO),輸入掉電保護(hù) (IBOP) 和開環(huán)保護(hù) /待機(jī)(OLP/Standby)等,同樣也可以關(guān)斷柵極輸出脈沖,直至軟啟動(dòng)開始工作才恢復(fù)其輸出脈沖。 引腳 4(VINS):交流輸人電壓檢測(cè)。芯片內(nèi)部 VSENSE引腳與地之間串接了一個(gè) 100nA 的電流源,可以起開環(huán)保護(hù) (OLP)和管腳懸空保護(hù)功能。小的電感波紋電流大,增加了開關(guān)損耗和輸出波紋。為此,功率的定義 為基波電流有效值與電網(wǎng)電流有效值之比然后乘以基波電流與基波電壓的 位移因數(shù)。 } 小結(jié) 這一章完成了功率因數(shù)采樣的硬件電路與程序的編寫,有一定的挑戰(zhàn),完成這部分的工作首先得要求主電路能正常的工作,在實(shí)際的調(diào)試過程中我做了一個(gè)小的硬件調(diào)試環(huán)境,就是用移相器將一路信號(hào)移相后輸入到比較電路結(jié)果在顯示器上,表示這部分的電路沒有問題了。這個(gè)片內(nèi)的 4K 字節(jié) RAM 塊可以在整個(gè) 64K 外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器地址空間中被尋址(以 4K 為邊界重疊)。有一個(gè)輸入通道被連到內(nèi)部溫度傳感器,其它 8個(gè)通道接外部輸入。在標(biāo)準(zhǔn) 8051中固定的 “弱上拉 ”可以被總體禁止,這為低功耗應(yīng)用提供了進(jìn)一步節(jié)電的能力。 P0MDOUT |= 0x01。這就允許用戶對(duì)每個(gè)通道選擇最佳的測(cè)量技術(shù),甚至可以在測(cè)量過程中改變方式。當(dāng) CNVSTR 信號(hào)用于在低功耗跟蹤保持方式啟動(dòng)轉(zhuǎn)換時(shí),ADC0 只在 CNVSTR 為低電平時(shí)跟蹤;在 CNVSTR 的上升沿開始轉(zhuǎn)換。內(nèi)部基準(zhǔn)電壓可以通過 VREF 引腳連到應(yīng)用系統(tǒng)中的外部器件或圖 所示的電壓基準(zhǔn)輸入引腳。 // ADC conversion clock = ADC0CF |= 0x00。x50000。x1000。 void transform(void) { voltage = (int)(RATE*result*1000)。x1000。x5000。 P2 = 0x20。開發(fā)調(diào)試過程中,要嚴(yán)格按照調(diào)試規(guī)范操作,在導(dǎo)師的幫助和細(xì)心的指導(dǎo)下完成了這次設(shè)計(jì)論文。 最后,還要 感謝華中科技大學(xué)武昌分校自動(dòng)化系全體老師 和領(lǐng)導(dǎo),是你們的教育和培養(yǎng),才使我都?jí)蝽樌瓿蓪W(xué)業(yè),同時(shí)我要感謝這四年來一起學(xué)習(xí)的同學(xué),在論文的完成過程中得到了同一課題組的同學(xué)的熱心幫 助,在這里衷心的感謝他們。 調(diào)試功率因數(shù)檢測(cè)時(shí)首先觀察程序能不 能進(jìn)入外部中斷服務(wù)程序,其實(shí)只要硬件做好了,這一 點(diǎn) 問題也沒有,實(shí)際 上 也是這樣的, 程序能夠進(jìn)入中斷服務(wù)程序,然而在顯示器上卻看不到結(jié)果,顯示的只有亂碼,后來在線仿真可以看到在數(shù)據(jù)緩存時(shí)出了錯(cuò),在 C51 中 sfr16 是定義一個(gè)寄存器變量,但必須是連續(xù)的兩字節(jié)才能這樣,然而定時(shí)器 0 的高低字節(jié)不是連續(xù)的所以把高字節(jié)的值沒有 緩存,修改后就好了但顯示的數(shù)據(jù)一直在跳動(dòng),后來才知道計(jì)數(shù)值緩存后沒有清零,修改后就好了。Netdata。lcd_data_count)//顯示第一行 { data1=*lcdpoint。 } void display(void) { static unsigned char data1。 26 P2 = 0x80。x++)。 接口信號(hào)說明: 2腳為電源的地 VSS與電源的正極 VDD, 3腳為液晶顯示變壓信 圖 32 C8051F020與 lcd接口電路 號(hào) VL, 4腳為數(shù)據(jù)、命令選擇端 RS, 5腳為讀寫選擇端 RW, 6腳為使能信號(hào) E, 7到 14腳 為 8位數(shù)據(jù)輸入輸出端口 D0D7, 1 16為背光源引腳。 ADC的程序 集成 ADC的靈活性在于可以用程序?qū)ζ渑渲?,根?jù)上述的各個(gè)模塊的敘述,編寫以下的程序,對(duì)與 ADC有關(guān)的寄存器進(jìn)行賦值,將 ADC置于設(shè)計(jì)的工作環(huán)境中。對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用,三個(gè) SAR 時(shí)鐘可以滿足跟蹤需要。轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)被保存在 ADC數(shù)據(jù)字的 MSB 和 LSB 寄存器: ADC0H 和 ADC0L。 AMUX0、PGA0、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換方式及窗口檢測(cè)器都可用軟件特殊功能寄存器來控制。 i++) 。 窗口比較寄存器可被配置為當(dāng) ADC數(shù)據(jù)位于一個(gè)規(guī)定的范圍之內(nèi)或之外時(shí)向控制器申請(qǐng)中斷。 C8051F022/3有一個(gè)片內(nèi) 10位 SAR ADC,技術(shù)指標(biāo)和配置選項(xiàng)與C8051F020/1的 ADC類似。 片內(nèi)存儲(chǔ)器 CIP51 有標(biāo)準(zhǔn)的 8051 程序和數(shù)據(jù)地址配置。 TL0 = 0。 圖 15 系統(tǒng)電路圖 小結(jié) 這一章節(jié)主要介紹了主電路方案、控制芯片 UCC28019 及電路中主要的參數(shù)的選擇 ,是很關(guān)鍵的部分,特別是控制芯片的工作原理,如果這部分的電路不能正常的工作則后面的工作將很難開展,通常的調(diào)試也得要非常的清楚這一部分的知識(shí)。 二極管參數(shù) 12 在功率 MOSFET 截止期間, VD 正向偏置而導(dǎo)通,最大流通電流達(dá) 2A 左右;在 MOSFET 導(dǎo)通期間,
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