[精選]集成電路工藝技術(shù)教材-資料下載頁

【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體，以改變半導(dǎo)體，尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì)．?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度，擴(kuò)散系數(shù)，化學(xué)結(jié)合力的限制，原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量，從而精確控

2025-01-06 18:45

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【摘要】少一些普通工藝問題ByCraigPynn　　歡迎來到工藝缺陷診所。這里所描述的每個(gè)缺陷都將覆蓋特殊的缺陷類型，將存檔成為將來參考或培訓(xùn)新員工的一個(gè)無價(jià)的工藝缺陷指南。　　大多數(shù)公司現(xiàn)在正在使用表面貼裝技術(shù)，同時(shí)又向球柵陣列(BGA)、芯片規(guī)模包裝(CSP)和甚至倒裝芯片裝配邁進(jìn)。但是，一些公司還在使用通孔技術(shù)。通孔技術(shù)的使用不一定是與成本或經(jīng)驗(yàn)有關(guān)-可能只是由于該產(chǎn)品不需

2025-03-27 23:40

過程規(guī)范第10章技術(shù)預(yù)研-工藝技術(shù)-資料下載頁

【摘要】第10章技術(shù)預(yù)研技術(shù)預(yù)研（TechnicalPre-Research,TPR）是指在立項(xiàng)之后到開發(fā)工作完成之前的這段時(shí)間內(nèi)，，對(duì)項(xiàng)目將采用的關(guān)鍵技術(shù)提前學(xué)習(xí)和研究，以便盡可能早地發(fā)現(xiàn)并解決開發(fā)過程中將會(huì)遇到的技術(shù)障礙。技術(shù)預(yù)研過程域是spp模型的重要組成部分。本規(guī)范闡述了技術(shù)預(yù)研的規(guī)程，

2025-07-13 18:45

國泰國際集團(tuán)新技術(shù)公司集成與測(cè)試過程-工藝技術(shù)(編輯修改稿)

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國泰國際集團(tuán)新技術(shù)公司集成與測(cè)試過程-工藝技術(shù)(已改無錯(cuò)字)

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