【正文】 Rjc(IGBT) ！Rjc(Diode) Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好。和西門康最新的 T4系列相比，開關(guān)損耗較小。Ic 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=80℃ ) 100A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=100A,Vge=15v,) 斯達(dá)模塊的性能略好。Ic 75A(Tc=80℃ ) 75A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大。Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好結(jié)論： RT4代替宏微 150A的模塊需對(duì)驅(qū)動(dòng)電路和散熱器進(jìn)行修改。Vcesat(Ic=50A,Vge=15v,) RT4的 導(dǎo) 通 損 耗略高于宏微模 塊 。Rgon/off 15Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 差 別 不是很大， 驅(qū)動(dòng)電 路更改不大。Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo) 通 損 耗小。Ic(Tc=100℃ ) 75A 81A 75A 85A 128D的 電 流能力最大。RT4模 塊 與 INFINEON DN2系列模 塊 的比較150A的 RT4和 DN2模塊的性能比較 （如無(wú)特殊說(shuō)明 Tj=125℃ ）型號(hào) BSM150GB120DN2 FF150R12RT4 結(jié)論封裝 62mm 34mm DN2與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 150A(Tc=80℃ ) 150A(Tc=100℃ ) RT4性能更好，電流能力更大Vcesat(Ic=150A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo)通損耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好，熱余量更大Rgon/off 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的關(guān)斷 損 耗略高于 ND2Eoff 11mJ Rjc(IGBT) ！Rjc(Diode) 并聯(lián)二極管 Vf(V) RT4反并聯(lián)二極管通態(tài)性能更好結(jié)論： 150A的 RT4代替 150A的 DN2比較困難！RT4模 塊 與 INFINEON DN2系列模 塊 的比 較150A的 RT4和 100A的 KS4 的模 塊 的性能比 較 （如無(wú)特殊 說(shuō) 明 Tj=125℃ ）型號(hào) FF100R12KS4 FF150R12RT4 結(jié)論封裝 62mm 34mm KS4與 RT4的安裝尺寸不能兼容！Ic 100A(Tc=80℃ ) 150A(Tc=100℃ ) RT4性能更好， 電 流能力更大Vcesat(Ic=80A,Vge=15v,) RT4性能更好 ,導(dǎo) 通 損 耗小Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好， 熱 余量更大Rgon/off 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon RT4的關(guān)斷 損 耗略高于 KS4Eoff 11 mJRjc(IGBT) ！Rjc(Diode) 并 聯(lián) 二極管 Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好結(jié)論：用 150A的 RT4代替 100A的 KS4,要根據(jù)實(shí)際電路來(lái)確定能否替代。u 熱 循 環(huán) 周 次：決定 IGBT的壽命。推薦： 采用 INFINEON開關(guān)損耗小 S4 芯片封裝的的 IGBT模 塊 。IGBT的應(yīng)用特點(diǎn) 硬開關(guān)全橋電路電 路特點(diǎn) ：u IGBT 導(dǎo) 通 時(shí)間長(zhǎng) ， 損 耗主要 為 通 態(tài)損 耗建 議 ： 選擇 通 態(tài)損 耗小的 IGBT。主要參數(shù) 選擇 選 型 時(shí)應(yīng) 注意的 問題選型時(shí)應(yīng)該主要的問題：主要參數(shù) 選擇 推薦表裕能達(dá)推薦表焊 機(jī) 規(guī) 格 全 橋電 路 半 橋電 路315A 軟 開關(guān) FF50R12RT4 　硬開關(guān) F450R12MS4/ F450R12KS4 FF100R12KS4/FF150R12RT4400A 軟 開關(guān) FF75R12RT4 　硬開關(guān) F475R12MS4/ F475R12KS4 FF150R12KS4500A 軟 開關(guān) FF100R12RT4 　硬開關(guān) FF100R12KS4/FF150R12RT4 FF200R12KS4630A 軟 開關(guān) FF150R12RT4 　硬開關(guān) FF150R12KS4 FF300R12KS4RT4芯片介 紹 及 優(yōu)勢(shì)IGBT4模塊： Tvjop,max = 150?C！n 概念 ： 在開關(guān)工作條件下， IGBT4模塊的 最高允許結(jié)溫規(guī)格為 150?C，比 IGBT3/IGBT2模塊（ 1200V和 1700V）的規(guī)格提高 25?C！n 出發(fā)點(diǎn) ：適應(yīng)芯片小型化n 實(shí)現(xiàn) ： IGBT4模塊內(nèi)部焊線工藝的改進(jìn)n 可靠性因素 ：焊線工藝決定了模塊的可靠性指標(biāo)之一 功率循環(huán)（ PC）次數(shù)。RT4模 塊 與 INFINEON KS4系列模 塊 的比 較 總的來(lái)說(shuō)， RT4系列產(chǎn)品的飽和壓降有大幅的降低，開關(guān)損耗也有所降低，特別適合軟開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的焊機(jī)。Vcesat(Ic=75A,Vge=15v,) RT4和 128D的性能 較 好 ,導(dǎo) 通 損 耗小。Tj(度） 175℃ 150℃ 175℃ 150℃ T4芯片 結(jié) 溫高Rgon/off 1Ω 7Ω 驅(qū)動(dòng)電 阻推薦 值 有差 別 ， 驅(qū)動(dòng)電 路需要更改！Eon 24mJ 18mJ 123D的開關(guān) 損 耗 較 大！Eoff 17mJ 15mJRjc(IGBT) ！Rjc(Diode) Vf(V) RT4反并 聯(lián) 二極管通 態(tài) 性能更好。Eon 開關(guān) 損 耗相差不大。Tj(度） 150℃ 175℃ RT4性能更好