【正文】 ivity in semiconductors and metals and coinvention of the transistor。20MO ? 對于硅化物玻璃，一價(jià)的堿金屬陽離子最容易移動(dòng)；對于多晶陶瓷材料，晶界處堿金屬離子的遷移是離子導(dǎo)電的主體，同樣它也是快離子導(dǎo)體中的主要導(dǎo)電機(jī)制。 ? 參見求直流電導(dǎo)率的方法。 鐵磁金屬或合金的電阻率由d 電子和 s電子的相互作用有關(guān)。 ? 表征某種載流子對于總體電導(dǎo)貢獻(xiàn)的是輸運(yùn)數(shù)：tx=σx/ σT ? 各種載流子的遷移數(shù) ti+， ti， th+， te ? 當(dāng) ti，這樣的材料成為離子 (電 )導(dǎo)體， 0ti 的材料稱為混合 (電 )導(dǎo)體。 ? 從壓力對電阻率的影響角度來看，有正常金屬（壓力增加，電阻率下降）和反常金屬（壓力增加，電阻率增加）。這種現(xiàn)象稱 “ 趨膚效應(yīng) ” 。 ? v=常數(shù) ?exp[zeEd/(2kBT)] ? 其中 z為離子的電荷數(shù)， d為勢阱之間的距離。80SiO2 的電阻率 快離子導(dǎo)體 ? 快離子導(dǎo)體的一般特征：具有離子導(dǎo)電的固體物質(zhì)稱為固體電解質(zhì)。cm） 超導(dǎo)體的基本特征 ? 1．零電阻特性：臨界溫度以下體系電阻為零 ? 2．完全抗磁性：臨界溫度以下體系磁化率為 –1 ? 以上兩者缺一不可。 Cooper電子對凝聚形成能隙， 各向同性 的帶隙幅值 P. L. Richards and M. Tinkham, 1960 NoImag e超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的進(jìn)展 液氮 77 K 超導(dǎo)材料的應(yīng)用 ? 強(qiáng)電應(yīng)用：超導(dǎo)儲(chǔ)能，核磁共振儀，強(qiáng)磁性方面的應(yīng)用； ? 弱電應(yīng)用：極弱磁信號的檢測，超導(dǎo)開關(guān)； ? 新電壓標(biāo)準(zhǔn)等。 實(shí)心圓表示晶格的離子實(shí) 只有在 ω ω p時(shí)，離子實(shí)才來得及跟隨電子產(chǎn)生晶格畸變并導(dǎo)致 電子 1周圍有正電荷集中，從而使得進(jìn)入畸變區(qū)的另一個(gè)電子 2受到 吸引，這樣，兩電子間就形成了間接吸引作用。 ? BARDEEN, John 1908 (Madison, Wisconsin, USA) 1991。 ? 不同尺寸的二價(jià)離子在 20Na2O ? 電荷載流子是材料內(nèi)最容易移動(dòng)的離子。 * 簡單金屬的交流電導(dǎo)率 ? 可變頻率電場下，金屬的交流電導(dǎo)率公式：一定要知道該如何求的方法。研究表明在接近居里點(diǎn)時(shí)，鐵磁金屬或合金的電阻率反常降低量 Δ ρ與其自發(fā)磁化的強(qiáng)度 Ms的平方成正比。 ? 表征材料電性能的主要參量是電導(dǎo)率。 ? 堿金屬和稀土金屬大多屬反常情況，還有 Ca、 Sr、Bi等。趨膚效應(yīng)使導(dǎo)體的有效電阻增加。 離子電導(dǎo)與擴(kuò)散 ? 離子的尺寸和質(zhì)量都比電子要大得多，在固體體系中其運(yùn)動(dòng)方式是從一個(gè)平衡位置（勢阱）到另一個(gè)平衡位置（勢阱）。有些固體電解質(zhì)的電導(dǎo)率比正常離子化合物的電導(dǎo)率高幾個(gè)數(shù)量級，稱為快離子導(dǎo)體或最佳離子導(dǎo)體或超離子導(dǎo)體。 ? 超導(dǎo)電性可以用 “ 二流體模型 ” 描述。 電阻測試方法 ? 雙電橋法： 單臂電橋適合測量范圍 10~106歐姆（引線電阻和接觸電阻影響