【正文】 而磁控濺射制作電極時(shí), 金屬與這些沒有受到鈍化保護(hù)的有源區(qū)形成肖特基勢壘。計(jì)算中所用到的參數(shù)數(shù)值在表1中列出。另外從有效電阻數(shù)值上還可以判斷并聯(lián)電阻R s 和Rd 對總電阻的貢獻(xiàn)較大, 而這又增加了器件的歐姆電流, 導(dǎo)致暗電流偏大。q表示電子電荷。Rs主要是高阻區(qū)(低摻雜區(qū))體串聯(lián)電阻,在溫度較低時(shí),低摻雜區(qū)存在較嚴(yán)重的載流子凍結(jié)效應(yīng)[1],使材料電導(dǎo)率減小,電阻率或體電阻增加，因此要讓探測器的暗電流穩(wěn)定，溫度適中和恒定也是影響因素之一。對于這一情況可作如下分析:在非理想情況下,光電轉(zhuǎn)換pn結(jié)的伏安特性可以描述為：其中:Iph表示光生電流。,結(jié)果表明在低偏壓處產(chǎn)生復(fù)合電流起主要作用,偏壓增大時(shí),隧道電流對探測器暗電流的貢獻(xiàn)起主要作用,當(dāng)載流子濃度由51016 cm 3減小到5 1015 cm 3時(shí),10 V偏壓下的暗電流約減小3倍。歐姆電流表達(dá)式為式中,Reff 為有效電阻,Ro 為理想的異質(zhì)結(jié)阻抗,Rs 是由表面漏電流引起的并聯(lián)電阻 , Rd由有源區(qū)的位錯(cuò)引起的并聯(lián)電阻隧道電流主要起源于載流子穿過禁帶的隧道效應(yīng),電壓較高時(shí),隧道電流將決定探測器的暗電流。當(dāng)光照射時(shí),漂移區(qū)產(chǎn)生的光生載流子電子在電場中漂移到高電場區(qū),發(fā)生雪崩倍增,從而得到較高的內(nèi)部增益,耗盡區(qū)很寬,能吸收大多數(shù)的光子,所以量子效率也高,另外,達(dá)通型雪崩光電二極管還具有更高的響應(yīng)速度和更低的噪聲。光學(xué)檢測主要應(yīng)用在高分辨率測量、非破壞性分析、高速檢測、精密分析等領(lǐng)域,在非接觸式、非破壞、高速、精密檢測方面具有其他方法無比擬的。雪崩光電二極管就是利用這種效應(yīng)而具有光電流的放大作用。擴(kuò)散電流起源于耗盡區(qū)邊緣p區(qū)和n區(qū)熱激發(fā)產(chǎn)生的少數(shù)載流子向耗盡層的擴(kuò)散。 PIN為了減少這類電流, 需要進(jìn)一步穩(wěn)定腐蝕速率和提高鈍化技術(shù)。溫度上升會(huì)使半導(dǎo)體材料帶隙變窄,可能導(dǎo)致Voc下降[2]。在50～+ 20℃內(nèi),載流子凍結(jié)效應(yīng)隨著溫度的升高迅速減輕或消除,即Rs由低溫時(shí)的較大值逐漸減小,此時(shí)Rs的減小相對Voc的減小起主導(dǎo)作用,導(dǎo)致IL上升。結(jié)果表明在零偏壓附近暗電流主要為反向擴(kuò)散電流, 隨著電壓增加, 產(chǎn)生復(fù)合電流、歐姆電流貢獻(xiàn)逐漸增加。探測器反向偏壓下的暗電流的影響,我們制作了3種不同結(jié)面積(直徑分別為50μm,100μm,150μm) PIN臺(tái)面探測器,i層摻雜濃度為5 1016 cm 3,并分別測量了三者在室溫(293 K)反向偏置下的IV特性,如圖3所示。表達(dá)式如下:式中:ni為本征載流子濃度,Dp為i區(qū)中空穴擴(kuò)散系數(shù),τp為i區(qū)中空穴的壽命,Nd為i區(qū)的摻雜濃度,A是耗盡層與p區(qū)和i區(qū)的接觸面積,V為探測器所加偏壓。雪崩光電二極管結(jié)構(gòu)示意圖幾種雪崩光電二極管的結(jié)構(gòu),圖中（a）是P型N+結(jié)構(gòu),它是以型硅材料做基片,擴(kuò)散五價(jià)元素磷而形成重?fù)诫s十型