【正文】 。若測得阻值為無窮大或者較標稱阻值大，則說明該電位器已開路或變值損壞。按照原子排列形式的不同，物質又可分為晶體和非晶體兩類。 不同用途、不同功能的二極管，其參數(shù)也不同。 （12）電容溫度系數(shù)CTC 電容溫度系數(shù)CTC是指在規(guī)定的頻率、偏壓和溫度范圍內(nèi)，變?nèi)荻O管的結電容隨溫度的相對變化率。pn結的接觸面積大，可以通過較大的電流，適用于大電流整流電路或在脈沖數(shù)字電路中作開關管。常用的阻尼二極管有2AN系列、2CN系列、2DN系列和BS系列。 （8）發(fā)光二極管 發(fā)光二極管是一種將電能轉化成光能的半導體發(fā)光顯示器件（當內(nèi)部有一定電流通過時，它就會發(fā)光）。紅外光光電二極管也稱紅外接收二極管，是一種特殊的pin結型光電二極管，可將紅外發(fā)光二極管等發(fā)射的紅外光信號轉換成電信號，廣泛應用于彩色電視機、錄象機、影碟機音響的家用電器及各種電子產(chǎn)品的遙控接收系統(tǒng)中?；鶚OB1和基極B2之間的n型區(qū)域可以等效為一個純電阻，即基區(qū)電阻RBB。 二、常用二極管的選用 整流二極管一般為平面型硅二極管，用于各種電源整流電路中。 常用的雙向觸發(fā)二極管有DBDBDB6和DB120等型號。 也可用兆歐表和萬用表來測量二極管的反向擊穿電壓。 （2）測量轉折電壓 測量雙向觸發(fā)二極管的轉折電壓有三種方法： 一是將兆歐表的正極（E）和負極（L）分別接雙向觸發(fā)二極管的兩端，用兆歐表提供擊穿電壓，同時用萬用表的直流電壓擋測量出電壓值，將雙向觸發(fā)二極管的兩極對調后再測量一次。 用萬用表的R10k擋對一只220μF/25V的電解電容器充電（黑表筆接電容器正極，紅表筆接電容器負極），再將充電后的電容器正極接發(fā)光二極管正極、電容器負極接發(fā)光二極管負極，若發(fā)光二極管有很亮的散光，則說明該發(fā)光二極管完好。阻值下降越多，說明紅外光敏二極管的靈敏度越高。還有的變?nèi)荻O管的管殼兩端分別涂有黃色環(huán)和紅色環(huán)，紅色環(huán)的一端為正極，黃色環(huán)的一端為負極。若測得全橋內(nèi)某只二極管的正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則可判斷該二極管已擊穿或開路損壞。 （6）按封裝形式分類 按封裝結構可分為金屬封裝晶體管、塑料封裝晶體管、玻璃殼封裝晶體管、表面封裝晶體管和陶瓷封裝晶體管等。 最高振蕩頻率fM是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。 （1）晶體管的結構 晶體管內(nèi)部有兩個pn結構成，其三個電極分別為集電極（C極）、基極（B極）和發(fā)射極（E極）。晶體管的導通內(nèi)阻很小（相當于開關被接通），集電極與發(fā)射極之間的電壓低于發(fā)射結電壓，集電極也由反偏狀態(tài)變?yōu)檎珷顟B(tài)。 開關晶體管分為小功率開關晶體管和高壓反向大功率開關晶體管。 （2）按導電溝道材料的不同分類 場效應管按導電溝道材料的不同可分為n溝道結型場效應管、p溝道結型場效應管、n溝道絕緣柵型場效應管和p溝道絕緣柵型場效應管。常用的進口中、低頻小功率晶體管有2SA92SC2072SC1812SB132N2944～2N2946等型號。 在晶體管不具備工作條件時，它處于截止狀態(tài)，內(nèi)阻很大，各極電流幾乎為零。 集電極基極之間的反向電流ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發(fā)射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。 （3）頻率特性 頻率特性參數(shù)主要包括特征頻率fT最高震蕩頻率fM等。 （2）按極性分類 晶體管按極性可分為鍺npn型晶體管、鍺pnp型晶體管、硅npn型晶體管、和硅pnp型晶體管。再將紅表筆接發(fā)射極E，黑表筆依次接兩個基極，正常時阻值為無窮大。若測得正向電阻值大于90kΩ，則說明該激光二極管已嚴重老化，不能再使用了。正常時，正向電阻值（黑表筆所接引腳為正極）為3～10kΩ，反向電阻值為500kΩ以上。 （2）性能好壞的判別 用萬用表R1k擋，測量發(fā)光二極管的正、反向電阻值。 若測量穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定電壓值忽高忽低，則說明該穩(wěn)壓二極管的性能不穩(wěn)定。 （3）開路與擊穿的判斷 若測得二極管的正、反向電阻值均接近0或阻值較小，則說明該二極管內(nèi)部已擊穿短路或漏電損壞。選用時應根據(jù)應用電路的指標和需要來選擇開關二極管的主要參數(shù)（包括正向電流、最高反向電壓、反向恢復時間等）。 （2）高壓硅堆 高壓硅堆是由多只硅整流二極管串聯(lián)組成的耐高壓整流器件，其最高反向電壓為幾千伏至幾萬伏之間，主要用于電子儀器及家用電器中。 雙向觸發(fā)二極管主要用來觸發(fā)晶閘管，與其一同構成過壓保護、調光、調速等電路。管體上端或側面有受光窗口（或受光面）。反向偏壓越高，結電容則越小，反向偏壓于結電容之間的關系是非線性的。 開關二極管分為普通開關二極管、高速開關二極管、超高速開關二極管、低功耗開關二極管、高反壓開關二極管和硅開關二極管、電壓開關二極管等多種。在熱壓處理過程中，半導體薄片與金屬絲的接觸面上形成了一個pn結，金屬絲為正極，半導體薄片為負極。 （8）額定功率PZ 額定功率PZ是指穩(wěn)壓二極管在正常工作時產(chǎn)生的耗散功率。 （1）按使用的半導體材料分 二極管按使用的半導體材料可分為鍺二極管、硅二極管和砷化鎵二極管、磷化鎵二極管等多種， （2）按結構分 二極管按結構可分為點接觸型二極管和面接觸型二極管；按其用途和功能可以分為普通二極管、精密二極管、整流二極管、快恢復二極管、檢波二極管、開關二極管、阻尼二極管、續(xù)流二極管、穩(wěn)壓二極管、發(fā)光二極管、激光二極管、光電二極管、變?nèi)荻O管、雙基極二極管、磁敏二極管、肖特基二極管、雙向擊穿二極管、溫度效應二極管、隧道二極管、雙向觸發(fā)二極管、體效應二極管、恒流二極管等種類。 、晶體與pn結 （1）半導體 半導體是導電能力介于倒替和絕緣體之間的物質，具有熱敏特性、光敏特性和摻雜特性。 （4）光敏電阻器的檢測 在光線較暗的環(huán)境下，測量光敏電阻器的暗電阻是否正常。 通信設備和計算機中使用的電位器可選用貼片式多圈電位器或單圈電位器。壓敏電阻器的主要參數(shù)包括標稱電壓、最大連續(xù)工作電壓、最大限制電壓、通流容量等，選用時必須符合應用電路的要求，尤其是標稱電壓的準確。電阻值和功率都不能過大，否則起不到保護作用。非線繞電位器的分辨率較線繞電位器的分辨率要高。 （3）按電阻值的變化規(guī)律分 電位器按電阻值的變化規(guī)律分可分為直線式電位器、指數(shù)式電位器和對數(shù)式電位器。壓敏電阻器的最大電壓也稱最大限制電壓，是指壓敏電阻器兩端所承受的最高電壓值。電阻值的基本單位是歐姆，簡稱歐，用字母“Ω”表示?？梢姽夤饷綦娮杵髦饕糜诟鞣N光電自動控制系統(tǒng)、電子照相機或光電報警器等電子產(chǎn)品中；紫外光光敏電阻器主要用于紫外線探測儀器；紅外光光敏電阻器主要用于天文、軍事等領域的有關自動控制系統(tǒng)中。當通過電流超過額定值時，其電阻值能在幾秒鐘內(nèi)迅速增大到數(shù)百歐至數(shù)千歐以上。 （6）線繞電阻器 線繞電阻器是用高阻值的合金線（即電阻絲，采用鎳鉻絲、康銅絲、錳銅絲等材料制成）纏繞在絕緣基棒上制成的，具有阻值范圍大，噪聲小、耐高溫、承載功率大等優(yōu)點；起缺點是體積大、高頻特性較差。通常的固定電阻器有碳膜電阻器、金屬膜電阻器、金屬氧化膜電阻器、合成碳膜電阻器、實心電阻器、線繞電阻器等多種。根據(jù)用途、外形結構、電阻體制作材料及引腳結構形式的不同，電阻器還可分為多種種類。與碳膜電阻器相比，金屬膜電阻器具有噪聲低、穩(wěn)定性好等優(yōu)點。 大功率線繞可變電阻器有軸向磁管式和磁盤式兩種，均為非密封式結構；小功率線繞可變電阻器有圓形立式、圓形臥式和方形，通常采用密封式結構。光敏電阻器在電路中用字母“R”或“RL”、“RG”表示。它在電路中的文字符號用字母“R”表示。1%、177。 在電阻器的并聯(lián)電路中，任一只電阻器開路后，對整個電路的總電壓無影響，但會引起總阻值、總電流和總消耗功率的變化。它分為直線式（用字母A表示）、對數(shù)式（用字母B表示）和反轉對數(shù)式（用字母C表示）。一般電路使用的電阻器允許誤差為177。 常用的溫度檢測用NTC熱敏電阻器有MF53系列和MF57系列，每個系列又有多種型號，可根據(jù)具體要求來選擇不同型號、不同阻值的熱敏電阻器。 大功率電路選用功率型線繞電位器或水泥電位器。 （2）PTC熱敏電阻器的檢測 PTC熱敏電阻器的阻值在常溫下較小，可用萬用表R1Ω擋測量。 對于帶開關的電位器，除按以上方法檢測電位器的標稱阻值及接觸情況外，還應檢測其開關是否正常。 在硅或鍺等本征半導體材料中摻入少量的硼、銦鎵或鋁等三價元素，就變成了以空穴導電為主的半導體，即p型半導體。 （3）反向電流IR 反向電流IR是指在規(guī)定的反向電壓和環(huán)境溫度下測得反向漏電流。 （17）發(fā)光波長λp 發(fā)光波長λp也稱峰值波長，是指發(fā)光二極管（或激光二極管）在一定工作條件下，其發(fā)射光的峰值所對應的波長。 （3）整流二極管 整流二極管的作用是利用其單向導電性，將交流電變成直流電。但若反向電流大到一定數(shù)值后，穩(wěn)壓二極管則會徹底擊穿而損壞。 普通單色發(fā)光二極管屬于電流控制型半導體器件，可用各種直流、交流、脈沖等電源驅動點亮，使用時需串接合適的限流電阻。 快恢復二極管屬于pin結型二極管，內(nèi)部結構與普通pn結二極管不同（在p型硅材料與n型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成pin硅片）。常用的二極管組件有整流橋堆、高壓硅堆和集成二極管等。常用的普通快恢復二極管有RF系列，高效快恢復二極管有HER系列，超快恢復二極管有UF系列。 （1）正負極性的判別 將萬用表置于R100擋或R1k擋，兩表筆分別搭接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。 對標志不清的穩(wěn)壓二極管，也可以用萬用表判別其極性，測量的方法與測量普通二極管相同，即用萬用表R1k擋，將兩表筆分別搭接穩(wěn)壓二極管的兩個電極，測出一個結果后，再對調兩表筆進行測量。若U1與U2的電壓值相差較大時，則說明該雙向觸發(fā)二極管導通性能不對稱。通常，靠近管身側面小平面的電極為負極，另一端引腳為正極。正常時正、反電阻值均應變小，阻值變化越大，說明該光敏二極管的靈敏度越高。正常的變?nèi)荻O管的正、反向電阻值均為∞。正常時，其正向電阻值（黑表筆接正極）～，反向電阻值為無窮大。 直流電流放大系數(shù)也稱靜態(tài)電流放大系數(shù)或直流放大倍數(shù)，是指在靜態(tài)（無變化信號輸入）時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般有hFE表示。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數(shù)將發(fā)生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。 晶體管在正常工作時，其發(fā)射極電流IE等于基極電流IB與集電極電流IC之和。常用的進口高頻小功率晶體管有2N5552N540BC14BC15BC32BC54BC559011～901S9011～S9012SA1012SC1812SA673等型號。 （5）達林頓管 達林頓管也稱復合晶體管，具有較大的電流放大系數(shù)及較高的輸入阻抗。 普通林達管通常有兩只晶體管或多只晶體管復合連接成，內(nèi)部不帶保護電路，耗散功率在3W以下，主要用于高增益放大電路或繼電器驅動電路等。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DA83DA93DA151等型號。 晶體管的放大原理是：當晶體管的基極電流發(fā)生變化時，其集電極電流將發(fā)生更大的變化或在晶體管具備了工作條件后，若從基極加如一個較小的信號，則其集電極輸出一個較大的信號。它包括集電極發(fā)射極反向擊穿電壓、集電極基極反向擊穿電壓和發(fā)射極基極反向擊穿電壓。hFE和β既有區(qū)別又關系密切兩個參數(shù)值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 三端肖特基二極管應首先測出其公共端，判斷出是共陰對管，還是共陽對管，然后再分別測量兩個二極管的正、反向電阻值。 （1）電極的判別 將萬用表置于R1k擋，用兩表筆測量雙基極二極管和三個電極中任意兩個電極間的正、反向電阻值，會測出有兩個電極之間的正、反向電阻值均為2～10kΩ，這兩個電極即是基極B1和基極B2，另一個電極即是發(fā)射極E?！ㄆ潆妷号c光照強度成正比）。 （2）性能好壞的檢測 用萬用表R10k擋測量紅外光二極管的正、反向電阻。若UU2的電壓值均為0V，則說明該雙向觸發(fā)二極管內(nèi)部已開路損壞。 （2）開路與擊穿的判別 若測得穩(wěn)壓二極管的正、反向電阻值均很小或均為0，則說明該二極管已擊穿損壞；若測得穩(wěn)壓二極管的正、方向電阻值均為無窮大，則說明該二極管已開路損壞。在阻值較小的一次測量中，黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負極。選用的穩(wěn)壓二極管應滿足應用電路中主要參數(shù)的要求。 全橋是由四只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構成的，、1A、…、50A等多種規(guī)格，耐壓值有25V、50V、100V、…800V、1000V等多種規(guī)格。 通常，5～20A的快恢復二極管采用TO220FP塑料封裝，20A以上的大功率快恢復二極管采用頂部帶金屬散熱片的TO3P塑料封裝，5A以下的快恢復二極管則采用塑料封裝。紅外發(fā)光二極管也稱紅外線發(fā)射二極管，它是可以將電能直接轉化成紅外光能并輻射出去的發(fā)光器件，主要應用于各種遙控發(fā)射電路中。根據(jù)其內(nèi)部結構可分為單穩(wěn)壓二極管和雙穩(wěn)壓二極管（三電極穩(wěn)壓二極管）。整流二極管有金屬封裝、玻璃封裝、塑料封裝等多種形式。 （1）二極管的基本結構 二極管是由一個pn結構成的半導體器件，即將一個pn結加上兩條電極引線作成管心，并用管殼封裝而成。 （4）正向電壓降VF 正向電壓降VF是指二極管導通時其兩端產(chǎn)生的正向電壓降。 （4）pn結 通過特殊的擴散制作工藝，將一塊本征半導體的一半摻入微量的五價元素，變成p型半導體，而將另一半摻入微量的三價元素，變成n型半導體，在p型半導體區(qū)和n型半導體區(qū)的交界面處就會形成一個具有特殊導電性的薄層，這就是pn結，它對p區(qū)和n區(qū)中的多數(shù)載流子的