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單晶硅基本資料(留存版)

2025-08-13 12:04上一頁面

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【正文】 改變了一切,甚至人類的思維。用高純度的多晶硅在單晶爐內(nèi)拉制而成。其主要用途是用作半導(dǎo)體材料和利用太陽能光伏發(fā)電、供熱在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素,形成P型半導(dǎo)體,摻入微量的第VA族元素,形成N型,N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合在一起,就可做成太陽能電池,將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?。單晶硅熔融的單質(zhì)硅在凝固時(shí)硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長(zhǎng)成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結(jié)合起來便結(jié)晶成單晶硅。晶體直徑可控制在Φ3~6英寸。日、美、韓等國家都已經(jīng)在1999年開始逐步擴(kuò)大300mm硅片產(chǎn)量。對(duì)此,硅片生產(chǎn)廠家也增加了對(duì)300mm硅片的設(shè)備投資,針對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的進(jìn)一步微細(xì)化,還開發(fā)了高平坦度硅片和無缺陷硅片等,并對(duì)設(shè)備進(jìn)行了改進(jìn)。于是為了避免此問題的發(fā)生,必須將晶棒的直徑慢慢縮小,直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。人們已經(jīng)能制造出純度為十二個(gè)9的單晶硅。擴(kuò)散是在石英管制成的高溫?cái)U(kuò)散爐中進(jìn)行。多晶硅太陽電池的制作工藝與單晶硅太陽電池差不多,其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右,稍低于單晶硅太陽電池,但是材料制造簡(jiǎn)便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)展。主要有兩種方法:直拉法(Cz法)、區(qū)熔法(FZ法);1)直拉法其優(yōu)點(diǎn)是晶體被拉出液面不與器壁接觸,不受容器限制,因此晶體中應(yīng)力小,同時(shí)又能防止器壁沾污或接觸所可能引起的雜亂晶核而形成多晶。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料,經(jīng)過復(fù)拉制成太陽能電池專用的單晶硅棒。中國光伏電池產(chǎn)量年增長(zhǎng)速度為13倍,%增長(zhǎng)到2008年的近15%。:10KW50MW獨(dú)立光伏電站、風(fēng)光(柴)互補(bǔ)電站、各種大型停車廠充電站等。pound。sup3。2. 交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通/鐵路信號(hào)燈、交通警示/標(biāo)志燈、宇翔路燈、高空障礙燈、高速公路/鐵路無線電話亭、無人值守道班供電等。1) 鋼化玻璃 其作用為保護(hù)發(fā)電主體(如電池片),透光其選用是有要求的, (一般91%以單晶硅太陽能電池上);2) EVA 用來粘結(jié)固定鋼化玻璃和發(fā)電主體(如電池片),透明EVA材質(zhì)的優(yōu)劣直接影響到組件的壽命,暴露在空氣中的EVA易老化發(fā)黃,從而影響組件的透光率,從而影響組件的發(fā)電質(zhì)量除了EVA本身的質(zhì)量外,組件廠家的層壓工藝影響也是非常大的,如EVA膠連度不達(dá)標(biāo),EVA與鋼化玻璃、背板粘接強(qiáng)度不夠,都會(huì)引起EVA提早老化,影響組件壽命。一般來說,前期的設(shè)計(jì)、優(yōu)化和預(yù)測(cè)并不能完全依靠高成本的實(shí)驗(yàn)來實(shí)現(xiàn)。目前非晶硅太陽電池存在的問題是光電轉(zhuǎn)換效率偏低,國際先進(jìn)水平為10%左右,且不夠穩(wěn)定,常有轉(zhuǎn)換效率衰降的現(xiàn)象,所以尚未大量用于作大型太陽能電源,而多半用于弱光電源,如袖珍式電子計(jì)算器、電子鐘表及復(fù)印機(jī)等方面。厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料,經(jīng)破碎,用1:5的氫氟酸和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g,然后用去離子水沖洗呈中性,并烘干。有的也可使用半導(dǎo)體器件加工的頭尾料和廢次單晶硅材料,經(jīng)過復(fù)拉制成太陽電池專用的單晶硅棒。例如在力學(xué)性質(zhì)、電學(xué)性質(zhì)等方面,多晶硅均不如單晶硅。(4)放肩生長(zhǎng):長(zhǎng)完細(xì)頸之后,須降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。制造技術(shù)升級(jí)半導(dǎo)體,芯片集成電路,設(shè)計(jì)版圖,芯片制造,工藝世界普遍采用先進(jìn)的切、磨、拋和潔凈封裝工藝,使制片技術(shù)取得明顯進(jìn)展。未來幾年中,世界單晶硅材料發(fā)展將呈現(xiàn)以下發(fā)展趨勢(shì):微型化隨著半導(dǎo)體材料技術(shù)的發(fā)展,對(duì)硅片的規(guī)格和質(zhì)量也提出更高的要求,適合微細(xì)加工的大直徑硅片在市場(chǎng)中的需求比例將日益加大。直拉法、區(qū)熔法伸長(zhǎng)單晶硅棒材,外延法伸長(zhǎng)單晶硅薄膜。一個(gè)廣泛的大規(guī)模的利用太陽能的時(shí)代正在來臨,太陽能級(jí)單晶硅產(chǎn)品也將因此受世人矚目。用于制造半導(dǎo)體器件、太陽能電池等。等。單晶硅是制造半導(dǎo)體硅器件的原料,用于制大功率整流器、大功率晶體管、二極管、開關(guān)器件等。單晶硅具有準(zhǔn)金屬的物理性質(zhì),有較弱的導(dǎo)電性,其電導(dǎo)率隨溫度的升高而增加,有顯著的半導(dǎo)電性。外延片主要用于集成電路領(lǐng)域。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),全球已建、在建和計(jì)劃建的300mm硅器件生產(chǎn)線約有40余條,主要分布在美國和我國臺(tái)灣等,僅我國臺(tái)灣就有20多條生產(chǎn)線,其次是日、韓、新及歐洲。硅是地殼中賦存最高的固態(tài)元素,其含量為地殼的四分之一,但在自然界不存在單體硅,多呈氧化物或硅酸鹽狀態(tài)。這一過程稱之為尾部生長(zhǎng)。單晶硅是電子計(jì)算機(jī)、自動(dòng)控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)中不可缺少的基本材料。這樣就在硅片上形成P/FONTN結(jié)。隨著技術(shù)得提高,目前多晶硅的轉(zhuǎn)換效率也可以達(dá)到14%左右。此法制成的單晶完整性好,直徑和長(zhǎng)度都可以很大,生長(zhǎng)速率也高。單晶硅太陽能電池將單晶硅棒切成片。商業(yè)化晶體硅太陽能電池的效率13%14%提高到16%17%。:將太陽能發(fā)電與建筑材料相結(jié)合,使得未來的大型建筑實(shí)現(xiàn)電力自給,是未來一大發(fā)展方向。$100/m),單晶硅/多晶硅太陽電池在光伏能源中的主導(dǎo)地位將長(zhǎng)期不變。在中國特色的光伏運(yùn)動(dòng)推動(dòng)下,單晶硅/多晶硅太陽電池將以第一代電池身份跨入Martin (即光電轉(zhuǎn)換效率amp。:(1)小型電源10100W不等,用于邊遠(yuǎn)無電地區(qū)如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電,如照明、電視、收錄機(jī)等;(2)35KW家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng);(3)光伏水泵:解決無電地區(qū)的深水井飲用、灌溉。單晶硅太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率為15%左右,實(shí)驗(yàn)室成果也有20%以上的。因此在前期必須做好設(shè)備設(shè)計(jì)如單晶爐和溫控包括爐內(nèi)的熱場(chǎng)、流場(chǎng),以及缺陷預(yù)測(cè)同時(shí),非晶硅太陽電池很薄,可以制成疊層式,或采用集成電
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