【摘要】大連東軟信息學(xué)院1專用集成電路設(shè)計——項目實訓(xùn)2022年8月22日嵌入式系統(tǒng)工程系張永鋒大連東軟信息學(xué)院2內(nèi)容提綱?項目概況?項目設(shè)計?項目成果?項目考核?小結(jié)大連東軟信息學(xué)院3
2025-01-04 19:25
【摘要】模擬集成電路設(shè)計訓(xùn)練報告題目:用運算放大器實現(xiàn)的振蕩器院系:信息學(xué)院電子工程系專業(yè):集成電路設(shè)計與集成系統(tǒng)學(xué)號:姓名:……指導(dǎo)教師:…..模擬集成電路設(shè)計實驗2目錄一、實驗環(huán)境..........................................
2025-08-17 12:07
【摘要】第三章、器件一、超深亞微米工藝條件下MOS管主要二階效應(yīng):1、速度飽和效應(yīng):主要出現(xiàn)在短溝道NMOS管,PMOS速度飽和效應(yīng)不顯著。主要原因是太大。在溝道電場強度不高時載流子速度正比于電場強度(),即載流子遷移率是常數(shù)。但在電場強度很高時載流子的速度將由于散射效應(yīng)而趨于飽和,不再隨電場強度的增加而線性增加。此時近似表達(dá)式為:(),(),出現(xiàn)飽和速度時的漏源電壓是一個常數(shù)。線性區(qū)的電流公式
2025-06-25 07:21