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正文內(nèi)容

變頻器常見(jiàn)的十大故障現(xiàn)象和故障分析(留存版)

  

【正文】 飛弧的熏黑跡象 v)與功率元件相連的阻容吸收元件、壓敏器件有無(wú)爆裂? vi)各線路板上是否有元器件爆裂、燒毀、開(kāi)焊等現(xiàn)象? vii)系統(tǒng)內(nèi)是否存在異物,小動(dòng)物或昆蟲(chóng)尸體,有無(wú)液體侵入,大量灰塵堆積等情況?聞—系統(tǒng)中是否留有元件爆裂、飛弧、燒毀等焦糊味道問(wèn)—仔細(xì)詢問(wèn)對(duì)故障發(fā)生過(guò)程中經(jīng)歷的人員故障發(fā)生的現(xiàn)象和過(guò)程切—逐步檢測(cè),若前面的檢查無(wú)所發(fā)現(xiàn),則按后面步驟進(jìn)行?! ∪缥达@示故障,首先檢查參數(shù)是否有異常,并將參數(shù)復(fù)歸后,進(jìn)行空載(不接電機(jī))情況下啟動(dòng)變頻器,并測(cè)試U、V、W三相輸出電壓值。另一種方法是將原CU原封不動(dòng)暫存,用另一塊CU板在維修期間暫用。這是眾多變頻器最常見(jiàn)的故障,通常是由于開(kāi)關(guān)電源的負(fù)載發(fā)生短路造成的,丹佛斯變頻器采用了新型脈寬集成控制器UC2844來(lái)調(diào)整開(kāi)關(guān)電源的輸出,同時(shí)UC2844還帶有電流檢測(cè),電壓反饋等功能,當(dāng)發(fā)生無(wú)顯示,控制端子無(wú)電壓,DC12V,24V風(fēng)扇不運(yùn)轉(zhuǎn)等現(xiàn)象時(shí)我們首先應(yīng)該考慮是否開(kāi)關(guān)電源損壞了。七、開(kāi)關(guān)電源損壞整流橋故障,如整流橋某一路損壞或可控硅三路中有工作不正常的都有可能導(dǎo)致欠壓故障的出現(xiàn),其次主回路接觸器損壞。重新啟動(dòng)時(shí)并不立即跳閘而是在加速時(shí),主要原因有:加速時(shí)間設(shè)置太短、電流上限設(shè)置太小、轉(zhuǎn)矩補(bǔ)償(V/F)設(shè)定較高。逆變模塊損壞。避免身體的靜電損壞線路板及半導(dǎo)體元、器件。在靜態(tài)測(cè)試結(jié)果正常以后,才可進(jìn)行動(dòng)態(tài)測(cè)試,即上電試機(jī)。續(xù)流二極管作為無(wú)功分量返回直流電源的通道。3)變頻調(diào)速的發(fā)展歷程 P7大功率半導(dǎo)體技術(shù):70年代:可控硅(SCR: Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的簡(jiǎn)稱,也稱晶閘管。80年代以后:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。其中包括: 一、靜態(tài)測(cè)試  測(cè)試整流電路  找到變頻器內(nèi)部直流電源的P端和N端,將萬(wàn)用表調(diào)到電阻X10檔,紅表棒接到P,黑表棒分別依到R、S、T,應(yīng)該有大約幾十歐
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