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正文內(nèi)容

單相橋式整流電路的課程設(shè)計(jì)(留存版)

  

【正文】 路中的開關(guān)器件,防止過流、過壓損壞開關(guān)器件。如下圖 所示:13串聯(lián)電感抑制回路2)電壓上升率 dv/dt 的抑制加在晶閘管上的正向電壓上升率 dv/dt 也應(yīng)有所限制,如果 dv/dt 過大,由于晶閘管結(jié)電容的存在而產(chǎn)生較大的位移電流,該電流可以實(shí)際上起到觸發(fā)電流的作用,使晶閘管正向阻斷能力下降,嚴(yán)重時(shí)引起晶閘管誤導(dǎo)通。整流部分電路則是根據(jù)題目的要求,選擇的我們學(xué)過的單相橋式整流電路。 有這樣一個(gè)動(dòng)手的機(jī)會(huì),讓我得到實(shí)踐的機(jī)會(huì)。然后將經(jīng)變壓和保護(hù)后的信號(hào)輸入整流電路中。12過電壓保護(hù)的第一種方法是并接 RC 阻容吸收回路,以及用壓敏電阻或硒堆等非線性元件加以抑制。對(duì)于晶閘管串聯(lián)接法的全控橋電路無(wú)法工作。 觸發(fā)電路晶閘管觸發(fā)主要有移相觸發(fā)、過零觸發(fā)和脈沖列調(diào)制觸發(fā)等。在硅片中間略偏 b2 一側(cè)用合金法制作一個(gè) P 區(qū)作為發(fā)射極 e。通過對(duì) PWM 整流電路的適當(dāng)控制,可以使其輸入電流非常接近正弦波,且和輸入電壓同相位,功率因素近似為1。設(shè) R=5Ω,α=30 o 由 得 U0=50V RP20?i0= U0/R=50/5=10A, 變壓器一,二側(cè)電流的計(jì)算變壓器二次側(cè)電流:i 2= i0=10A由 ?????? ????? 2sin1)(tsnU(1U220 Ud得:變壓器二次側(cè)電壓:U 2=62V由 602112Ni得:i 1= 變壓器容量的計(jì)算 變壓器容量:S=U 1*i1=100*=620VA 變壓器型號(hào)的選擇 選擇匝數(shù)比 N1/N2=50/31,容量 S=620VA 的變壓器。(4)過了 V 后,發(fā)射極與第一基極間半導(dǎo)體內(nèi)的載流子達(dá)到了飽和狀態(tài),所以 uc 繼續(xù)增加時(shí),i e 便緩慢的上升,顯然 Vv 是維持單結(jié)晶體管導(dǎo)通的最小發(fā)射極電壓,如果 Ve〈V v,管子重新截止。Uc 剛沖點(diǎn)到大于峰點(diǎn)轉(zhuǎn)折電壓 Up 的瞬間,管子 eb1 間的電阻突然變小,開始導(dǎo)通。因此,必須對(duì)電力電子裝置進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪^電流保護(hù)。同樣在電壓u 的負(fù)半周期時(shí),T2 和 D1 承受正向電壓。六.設(shè)計(jì)總結(jié) 通過單相半控橋式晶閘管整流電路的設(shè)計(jì),使我加深了對(duì)整流電路的理解,讓我對(duì)電力電子該課程產(chǎn)生了濃烈的興趣。對(duì)于一個(gè)電路的設(shè)計(jì),首先應(yīng)該對(duì)它的理論知識(shí)很了解,這樣才能設(shè)計(jì)出性能好的電路。這是 T1 D2 處于截止?fàn)顟B(tài),電壓與波形如圖所示 單相半 控式晶閘管整流電路雖本 身有自然續(xù)流能力,但在 實(shí)際中突然把觸發(fā)角增大,或突然切斷觸發(fā)電路時(shí)會(huì)發(fā)生正在導(dǎo)通的晶閘管一直導(dǎo)通,兩個(gè)14二極管輪流導(dǎo)通的現(xiàn)象。熔斷器是最簡(jiǎn)單的過電流保護(hù)元件,但最普通的熔斷器由于熔斷特性不合適,很可能在晶閘管燒壞后熔斷器還沒有熔斷,快速熔斷器有較好的快速熔斷特性,一旦發(fā)生過電流可及時(shí)熔斷起到保護(hù)作用。隨著電容 C 放電,電壓 Ue 小于一定值,管子 BT 又由導(dǎo)通轉(zhuǎn)入截止,然后電源又重新對(duì)電容 C 充電,上述過程不斷重復(fù)。(2)分壓比 η 由管子內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的參數(shù),一般為 。 晶閘管電壓、電流最大值的計(jì)算1).晶閘管的主要參數(shù)如下:① 額 定 電 壓 UNVT通 常 取 UDRM 和 URRM 中 較 小 的 , 再 取 靠 近 標(biāo) 準(zhǔn) 的 電 壓 等 級(jí) 作 為 晶 閘 管 型的 額 定 電 壓 。但是晶雜管相控整流電路中隨著觸發(fā)角 α 的增大,電流中諧波分量相應(yīng)增大,因此功率因素很低。Ⅱ 、 選 擇 時(shí) 考 慮 ( ~ 2) 倍 的 安 全 余 量 。(5)發(fā)射極飽和壓降 Veo 在最大發(fā)射極額定電流時(shí), eb1 間的壓降
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