【正文】 切換頻率高于諧振頻率和諧振回路電感阻抗。如果HB斜坡比振蕩充電時間長(1?4 HB轉換時期),MOSFET被迫開啟。MOSFET被迫打開,當半橋斜坡未啟動和振蕩器電壓達到Vu(CFMIN)。 HBC feedback input (SNSFB pin) 在一個典型的電源應用程序,輸出在二次側電壓進行比較和放大。TEA1716T包含軟啟動功能來確保諧振變換器啟動或重新啟動安全電流。兩個鉗位水平在工作區(qū)域 Vfmax(SSHBC)和Vfmin(SSHBC)之間。有關詳細信息,。當頻率高于75%的軟啟動頻率范圍,保護啟動計時器。在UVPboost開始電平Vuvp(SNSBOOST),電流正處在一個最大值。一個小軟啟動電容器用于實現(xiàn)更快的啟動。CMR導致半橋電路返回感應模式從電容式模式。根據(jù)輸出負載,輸出電壓和開關頻率諧振電路有個電感或電容阻抗。放電軟啟動電容器達到這一點。提高補償源和匯電流來自SNSCURHBC引腳。如果零開關條件不再存在,場效電晶體可以過熱。緩慢充電和放電用于低頻率范圍VSSHBC / EN Vss(hflf)(SSHBC)( V),在低頻率范圍的電流變頻器頻率變化反應強烈。軟啟動功能的貢獻為零當VSSHBC / EN Vfmin(SSHBC)( V)。重啟狀態(tài)被激活后如果OLP條件仍然存在在保護的時間消逝。半橋斜坡控制振蕩器。它保證安全開關mosfet在所有情況下。圖11說明了自適應的操作非重疊時間功能歸納模式。在這非重疊期間,主諧振電流的充電或放電在地和增壓電壓之間。HBC開關恢復當VSNSBOOST Vstart(SNSBOOST)。SNSBOOST引腳拉了一個小的輸入電流Iprot(SNSBOOST)。 PFC overcurrent regulation, OCRPFC (SNSCURPFC pin)最大峰值電流被限制周期通過感應電壓通過一個外部檢測電阻(Rcur(PFC))連接到外部MOSFET的源。電壓被限制在PFC 軟啟動最大的鉗位電壓、Vclamp PFC(ss)。 PFC valley sensing (SNSAUXPFC pin) 如果電壓MOSFET消耗為最小的(谷切換),PFC MOSFET后接下來被開啟在下一次脈沖。在高電源輸入電壓MHR需求難以滿足。 PFC ontime control PFC運行在工作狀態(tài)。在突發(fā)模式停止狀態(tài),IC的電流消耗低和SNSOUT引腳拉低。當結溫超過超溫保護活化溫度中能容忍(Totp= 150。 Output overvoltage protection (SNSOUT pin) TEA1716T輸出提供過壓保護(OVPoutput。重啟計時器決定重啟時間。 Protection and restart timer TEA1716T包含一個可編程定時器可用于時間幾個保護功能。PFC控制器立即停止開關,但HBC控制器繼續(xù)開啟直到下邊的管脈沖到來。Burst stop: 節(jié)電狀態(tài)突發(fā)模態(tài)操作。圖3中使用的縮略語表8中解釋。引腳使用外部二極管DSUPHS。充電后使能穩(wěn)定器確保任何可選的外部電路連接到SUPREG沒有消耗的啟動電流。快速充電狀態(tài) PFC控制器開關,HBC控制器關閉。 沒有連接或沒有電壓在SUPHV(VSUPHV Vdet(SUPHV))。生成一個400 V(DC)提高從整流的交流電源輸入電壓高的PF。外部連接來提高電壓GATEHS 13 HBC 高邊 MOSFET門驅動輸出SUPHS 14 高端的驅動提供輸入。它包含一個高壓電平轉變電路和保護電路包括OCP,開環(huán)保護,電容模式保護和通用門鎖保護輸入。PFC和HBC控制器結合在一個單一的電源控制IC使TEA1716T理想在液晶和等離子電視。外部連接分壓電阻SNSFB電壓SNSFB 21 輸出電壓調節(jié)反饋檢測輸入。 Power supply TEA1716T包含幾個電源相關引腳SUPREG,SUPIC ，SUPHS ，SUPHV。 IC停止運行時VSUPIC Vuvp(SUPIC)。當啟用了HBC控制器,開關頻率最初很高和額MOSFET驅動電流消耗明顯。 SUPREG提供低電壓保護裝置(UVPSUPREG。)限制耗散在高壓啟動源當SUPIC短路到地。IC復位。在這段時間里,PFC和HBC控制器被禁用,C SUPREG不充電。 當在使用SSHBC / EN引腳HBC被失能HBC的下邊電源開啟。保護定時器定義保護時期(觸發(fā)保護功能之前錯誤能持續(xù)多久)。然后RCPROT引腳成為高阻抗Cprot通過Rprot放電。當一個過電壓檢測,TEA1716T進入保護關閉狀態(tài)。SNSBURST引腳上的電壓定義了轉換從運行供應狀態(tài)(= burston周期)突然停止狀態(tài)(= burstoff周期)和后面)。HBC沒有軟啟動模式恢復?？鐚д`差放大器,比較了SNSBOOST電壓與使用一個精確的修剪參考電壓為Vreg(SNSBOOST),連接到這個引腳。使用這種補償可以保持調節(jié)回路帶寬恒定完整的電源輸入范圍。如果沒有檢測到SNSAUXPFC引腳(=漏極谷底)在(vrec)(4us)內在檢測到退磁后,MOSFET被迫打開。Ich(ss)(PFC)開始一個軟啟動。PFC開關停止當VSNSMAINS Vuvp(SNSMAINS)。變壓器有一個漏電感和磁化電感。?控制振蕩器決定關斷點。HB過渡時間取決于諧振開關啟動時電流振幅。在這種情況下,MOSFET不是軟開關。開關頻率增加,消除相關的問題電容模式操作()。誤差放大器輸出到使用光耦合器轉移初級側。這個軟啟動功能強迫啟動在這樣一個高頻率的電流在所有條件下是可以接受的。邊緣避免擾動頻率在正常輸出電壓調節(jié),但確保過載調節(jié)可以快速響應。對于HBC控制器強迫立即一步最大頻率TEA1716T有個特別快軟啟動重置功能。75%的水平對應的Rfmax電壓Vhfp(Rfmax)( V)。電流匯或源方向取決于活動門信號。使用一個較小的電容器可以導致輸出電流,有時太高。電容模式時被檢測到當HB斜坡不開始在tto(cmr)場效應管關閉后。 HBC capacitive mode regulation, CMR (HB pin) mosfet在半橋驅動諧振電路。如果超過水平,頻率正在緩慢增加。增壓電壓包括減少依賴的輸出電流水平在增壓電壓保護上。某些錯誤條件,如斷開變壓器,可以使轉換器連續(xù)操作在最大頻率。在上邊的頻率范圍,轉換器的電流不強烈反應在頻率變化時。啟動期間,CSSHBC被充電,VSSHBC / EN上升和頻率降低。當VSNSFB超過Volp(SNSFB),保護啟動計時器。HB頻率僅限于flimit(HB)(最低500千赫)。TEA1716T先進的自適應非重疊時間 總是等到斜坡在半橋節(jié)點開始。這樣,非重疊p時間自動優(yōu)化即使HB轉換不能完全完成,最大限度地減少損失。允許軟開關,需要小非重疊時間高在端工作時間和下部的場效應管之間。當VSNSBOOST Vuvp(SNSBOOST),HBC開關停止下次GATELS運行到高。這對提高電壓作為短路保護(SCPboost)。軟啟動電壓,在突然停止狀態(tài)后當PFC必須操作使立即開始軟啟動序列。在啟動期間一個內部電流源Ich(ss)(PFC)充電VSNSCURPFC =Ich(ss)(PFC) * Rss(PFC)。把電阻接近于印刷電路板上的IC,防止不正確的開關由于外部干擾。在一個典型的應用程序中,這將導致低帶寬低電源輸入電壓。從調節(jié)SUPREG電源提供驅動。當PFC和HBC已停止開關進入突發(fā)停止狀態(tài)。 OverTemperature Protection (OTP) 準確的內部TEA1716T提供的超溫保護。保護關閉狀態(tài)也可以通過拉低使能輸入結束(SSHBC / EN引腳)。在這種情況下,禁用IC允許電源冷卻,再自動重啟。C Totp()。光耦合被器驅動從HBC變壓器二次側(見圖4)。PFC和HBC控制器將全面運作。 Flow diagram TEA1716T的工作可以分為許多狀態(tài),見圖3。CSUPHS被充電從SUPREG這個穩(wěn)定電壓用于: 提供內部PFC驅動 提供內部低邊HBC驅動 使用外部元件提供內部高邊驅動 作為可選的外部電路參考電壓SUPREG系列穩(wěn)定器當C SUPIC已經充滿電后啟用。電流消耗僅限于Iprotm(SUPIC)。開始和停止的巨大的差異(Vuvp(SUPIC))電平允許足夠的能量來自SUPIC緩沖電容器,直到輸出電壓穩(wěn)定。 PFC控制器： 控制和保護功率因數(shù)(PF)轉換器。外部連接到SUPREG緩沖電容器GATELS 10 HBC 低邊 MOSFET 門驅動輸出. 11 不連接SUPHV 12 內部高壓啟動源供應源高壓輸入。HBC模塊是一個高壓零開關LLC諧振變換器的控制器。使用TEA1716T提供高效、可靠的電力供應從90 W到500 W可以輕松地使用TEA1716T設計,