【正文】 濾波器的性能，從而影響整個系統(tǒng)的性能。 本設(shè)計采用安捷倫公司的ATF54143，ATF54143是一種增強型偽高電子遷移率晶體管(EpHEMT)，具有噪聲低，增益高，線性范圍大等特點，是做2GHz頻率低噪聲放大器的很好的選擇。 (4) 為改善微波管自身穩(wěn)定性，有以下幾種方式： 1）串接阻抗負反饋 在MESFET的源極和地之間串接一個阻抗元件，從而構(gòu)成負反饋電路。 我們在選取低噪聲放大器管通?？梢詮囊韵聨讉€方面進行考慮： 1） 微波低噪聲管的噪聲系數(shù)足夠小工作頻段足夠高，晶體管的fT一般要比工作頻率高4倍以上，工作頻率高端可達到6GHz。二、 低噪聲放大器的原理分析與研究 低噪聲放大器的基本結(jié)構(gòu)低噪聲放大器由輸入匹配網(wǎng)絡(luò)、微波晶體管放大器和輸出匹配網(wǎng)絡(luò)組成。這是一個受柵極電壓控制的多數(shù)載流子器件。理想放大器的噪聲系數(shù) F＝1（0分貝） ，其物理意義是輸出信噪比等于輸入信噪比。 主要功能隨著通訊工業(yè)的飛速發(fā)展，人們對各種無線通訊工具的要求也越來越高，功率輻射小、作用距離遠、覆蓋范圍大已成為各運營商乃至無線通訊設(shè)備制造商的普遍追求，這就對系統(tǒng)的接收靈敏度提出了更高的要求，我們知道，系統(tǒng)接收靈敏度的計算公式如下： S=174+ NF+10㏒BW+S/N 由上式可見，在各種特定（帶寬、解調(diào)S/N已定）的無線通訊系統(tǒng)中，能有效提高靈敏度的關(guān)鍵因素就是降低接收機的噪聲系數(shù)NF，而決定接收機的噪聲系數(shù)的關(guān)鍵部件就是處于接收機最前端的低噪聲放大器。◢HBT 異質(zhì)結(jié)雙極結(jié)晶體管是為了提高GaAs BJT的發(fā)射效率于1965年提出，經(jīng)歷了漫長的發(fā)展工程，而1985年出現(xiàn)的 SiGe BJT 最大結(jié)溫Tj,max僅為155℃呈現(xiàn)出良好的微波特性。 低噪聲放大器的基本指標低噪聲放大器的二端口網(wǎng)路的基本結(jié)構(gòu)圖。實際設(shè)計中由于要兼顧到放大器的增益，通常我們不取最小噪聲系數(shù)。1，b1。 穩(wěn)定性計算穩(wěn)定判別公式： （ △=|S11*S22S12*S21| ） （31）查看Data sheet 計算出在f=，此時管子的S參數(shù)如下：S11=*S12=+j*S21=+j*S22=*K=，K1，可知該管子在該頻率附近不是絕對穩(wěn)定的，由于AFT54143在工作頻段內(nèi)不是絕對穩(wěn)定的，為了提高放大器的穩(wěn)定性，可以在輸出端并聯(lián)一個100Ω的電阻。安捷倫公司的ATF54143是一種增強型偽高電子遷移率晶體管(EpHEMT)，不需要負柵極電壓，與耗盡型管相比較，可以簡化排版而且減少零件數(shù)，在此設(shè)計中柵極和漏極采用同一電源提供工作電壓。四、設(shè)計目標本實例采用的是高電子遷移率晶體管ATF54143芯片進行低噪聲放大器設(shè)計。得到其匹配子電路如下：最大增益輸出匹配需要滿足：負載50歐姆在加入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)后的等效負載需要為輸出端阻抗的共軛值。得到等增益圓和噪聲系數(shù)圓如下：由該圖可知，m4有最大增益時的輸入阻抗。S12越大，內(nèi)部反饋越強，反饋量達到一定強度時，將會引起放大器穩(wěn)定性變壞，甚至產(chǎn)生自激振蕩。其不僅僅被用于獲得低的噪聲系數(shù)，同時它還可以用于獲得更高的IIP3，更高的增益以及輸入回波損耗。安捷倫公司的ATF54143是一種增強型偽高電子遷移率晶體管(EpHEMT)，不需要負柵極電壓，與耗盡型管相比較，可以簡化排版而且減少零件數(shù)，該晶體管最顯著的特點是低噪聲，并具有高增益、高線性度等特性，他特別適用于工作頻率范圍在450 MHz～6 GHz之間的蜂窩／PCS／wCDMA基站、無線本地環(huán)路、固定無線接入和其他高性能應(yīng)用中的第一階和第二階前段低噪聲放大器電路中。正向衰減只需保證工作頻帶之內(nèi)有較小衰減，以免影響整機噪聲系數(shù)，而工作頻帶外，則沒有要求。頻帶必須很寬，要能夠覆蓋低噪聲放大器不穩(wěn)定頻率范圍； (2)實際設(shè)計時為了保證低噪聲放大器穩(wěn)定工作還要注意使放大器避開潛在不穩(wěn)定區(qū)。 低噪聲放大器設(shè)計設(shè)計的基本原則 低噪聲放大管的選擇原則 對微波電路中應(yīng)用的低噪聲放大管的主要要求是高增益和低噪聲以及足夠的動態(tài)范圍，目前雙極型低噪聲管的工作頻率可以達到幾個千兆噪聲系數(shù)為幾個分貝，而砷化鎵小信號的場效應(yīng)管的工作頻率更高，噪聲系數(shù)可在1分貝以下。◢利用ADS軟件仿真設(shè)計低噪聲放大器，并完成電路圖的設(shè)計。◢MESFET金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管是在GaAs基片上上同時實現(xiàn)肖特基勢壘結(jié)和歐姆接觸。由放大器所引起的信噪比惡化程度通常用噪聲系數(shù) F來表示。低噪聲放大器的主要作用是放大天線從空中接收到的微弱信號，降低噪聲干擾，以供系統(tǒng)解調(diào)出所需的信息數(shù)據(jù)，所以低噪聲放大器的設(shè)計對整個接收機來說是至關(guān)重要的。自1988年以來，微波半導(dǎo)體器件的性能得到了迅猛的發(fā)展，增益高，噪聲低，頻率高，輸出功率大。晶體管放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)輸出匹配網(wǎng)絡(luò)50W50WGSGLGinGoutVSWRinVSWRout 二端口網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)圖 噪聲系數(shù)噪聲系數(shù)的定義為放大器輸入信噪比與輸出信噪比的比值，即：