【正文】 8萬(wàn)塊IC成品，產(chǎn)品為雙極型消費(fèi)類線性電路，包括電視機(jī)電路和音響電路?！　?964年，河北省半導(dǎo)體研究所研制出硅外延平面型晶體管。全球和中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷史和大事記1947年，美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了半導(dǎo)體點(diǎn)接觸式晶體管，從而開創(chuàng)了人類的硅文明時(shí)代。　　1963年，河北省半導(dǎo)體研究所制成硅平面型晶體管。這是中國(guó)第一次從國(guó)外引進(jìn)集成電路技術(shù)?！　?997年7月17日，由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建的上海華虹NEC電子有限公司組建，總投資為12億美元，注冊(cè)資金7億美元，華虹NEC主要承擔(dān)“九0九”工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。根據(jù)國(guó)外發(fā)展電子器件的進(jìn)程，提出了中國(guó)也要研究發(fā)展半導(dǎo)體科學(xué)，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國(guó)家四大緊急措施之一。到六十年代初，中國(guó)半導(dǎo)體器件開始在工廠生產(chǎn)。　　除了收訊放大管之外，之后也開發(fā)了開關(guān)管?！　。模裕毯停裕裕潭际请p極型數(shù)字集成電路，主要是邏輯計(jì)算電路，以基本的與非門為基礎(chǔ)，當(dāng)時(shí)都是小規(guī)模集成電路，還有與非驅(qū)動(dòng)器、與門、或非門、或門、以及與或非電路等。（在此之前，由上無(wú)十九廠生產(chǎn)的ＴＴＬ電路，供華東計(jì)算所研制出達(dá)到８０多萬(wàn)次速度的大型計(jì)算機(jī)，號(hào)稱“百萬(wàn)次”?！　。保梗罚材曛袊?guó)第一塊ＰＭＯＳ型ＬＳＴ電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功，為了加速發(fā)展ＬＳＩ，中國(guó)接連召開了三次全國(guó)性會(huì)議，第一次１９７４年在北京召開，第二次１９７５年在上海召開；第三次１９７７年在大三線貴州省召開。 早期製造出來(lái)的電晶體均屬於高臺(tái)式的結(jié)構(gòu)。 根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體科技進(jìn)程 (International Technology Roadmap for Semiconductor) 的推估，西元2014年，記憶體容量更高達(dá)兩億五千六百萬(wàn)位元，儘管新製程、新技術(shù)的開發(fā)越形困難，但半導(dǎo)體業(yè)在未來(lái)十五年內(nèi)，相信仍會(huì)迅速的發(fā)展下去。 60年代發(fā)展出來(lái)的平面工藝，可以把越來(lái)越多的金氧半元件放在一塊矽晶片上，從1960年的不到十個(gè)元件，倍數(shù)成長(zhǎng)到1980年的十萬(wàn)個(gè)，以及1990年約一千萬(wàn)個(gè)，這個(gè)每年加倍的現(xiàn)象稱為莫爾定律 (Moore’s law)，是莫爾(Gordon Moore)在1964年的一次演講中提出的，後來(lái)竟成了事實(shí)。 另一方面，就在點(diǎn)接觸電晶體發(fā)明整整一個(gè)月後，蕭克萊想到使用pn接面來(lái)製作接面電晶體 (junction transistor) 的方法，在蕭克萊的構(gòu)想中，使用半導(dǎo)體兩邊的n型層來(lái)取代點(diǎn)接觸電晶體的金屬針，藉由調(diào)節(jié)中間p型層的電壓，就能調(diào)控電子或電洞的流動(dòng)，這是一種進(jìn)步很多的電晶體，也稱為雙極型電晶體 (bipolar transistor)，但以當(dāng)時(shí)的技術(shù)，還無(wú)法實(shí)際製作出來(lái)。至於現(xiàn)在為大家所接受的整流理論，則是1942年，由索末菲(Arnold Sommerfeld， 1868~1951)的學(xué)生貝特(Hans Bethe，1906~ )所發(fā)展出來(lái)，他提出的就是熱電子發(fā)射理論(thermionic emission)，這些具有較高能量的電子，可越過(guò)能障到達(dá)另一邊，其理論也與實(shí)驗(yàn)結(jié)果較為符合。在國(guó)防上，惟有紮實(shí)的電子工業(yè)基礎(chǔ)，才有強(qiáng)大的國(guó)防能力，1991年的波斯灣戰(zhàn)爭(zhēng)中，美國(guó)已經(jīng)把新一代電子武器發(fā)揮得淋漓盡致。各省市所建廠中有名的有：上海元件五廠、上無(wú)七廠、上無(wú)十四廠、上無(wú)十九廠、蘇州半導(dǎo)體廠、常州半導(dǎo)體廠、北京市半導(dǎo)體器件二廠、三廠、五廠、六廠、天津半導(dǎo)體（一）廠、航天部西安６９１廠等等。文化大革命開始后，陳伯達(dá)向毛澤東主席提出了“電子中心論”。在相差不遠(yuǎn)的時(shí)間里，有中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，河北半導(dǎo)體研究所，它在１９６５年１２月份召開的產(chǎn)品鑒定會(huì)上鑒定了一批半導(dǎo)體管，并在國(guó)內(nèi)首先鑒定了ＤＴＬ型（二極管晶體管邏輯）數(shù)字邏輯電路。　　在半導(dǎo)體器件批量生產(chǎn)之后，六十年代主要用來(lái)生產(chǎn)晶體管收音機(jī)，電子管收音機(jī)在體積上大為縮小，重量大為減輕。中國(guó)科學(xué)院應(yīng)用物理研究所和二機(jī)部十局第十一研究所開發(fā)鍺晶體管?！　?998年3月，由西安交通大學(xué)開元集團(tuán)微電子科技有限公司自行設(shè)計(jì)開發(fā)的我國(guó)第一個(gè)CMOS微型彩色攝像芯片開發(fā)成功，我國(guó)視覺芯片設(shè)計(jì)開發(fā)工作取得的一項(xiàng)可喜的成績(jī)?！　?991年，首都鋼鐵公司和日本NEC公司成立中外合資公司――首鋼NEC電子有限公司?！　?972年，中國(guó)第一塊PMOS型LSI電路在四川永川半導(dǎo)體研究所研制成功?！　?959年，天津拉制出硅（Si）單晶。在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。標(biāo)志著中國(guó)已經(jīng)制成了自己的小規(guī)模集成電路。　　1986年，電子部廈門集成電路發(fā)展戰(zhàn)略研討會(huì)，提出“七五”期間我國(guó)集成電路技術(shù)“531”發(fā)展戰(zhàn)略，即普及推廣5微米技術(shù)，開發(fā)3微米技術(shù)，進(jìn)行1微米技術(shù)科技攻關(guān)?！　?998年2月28日，我國(guó)第一條8英寸硅單晶拋光片生產(chǎn)線建成投產(chǎn)，這個(gè)項(xiàng)目是在北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料國(guó)家工程研究中心進(jìn)行的?！　‘?dāng)時(shí)國(guó)家決定由五所大學(xué)北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)半導(dǎo)體物理專來(lái)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。１９６２年又接制了砷化鎵（ＧａＡｓ）單晶，后來(lái)也研究開發(fā)了其他種化合物半導(dǎo)體?！　】傊?，向科學(xué)進(jìn)軍的號(hào)如下，中國(guó)的知識(shí)分子、技術(shù)人員在外界封鎖的環(huán)境下，在海外回國(guó)的一批半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，憑藉知識(shí)和實(shí)驗(yàn)室發(fā)展到實(shí)驗(yàn)性工廠和生產(chǎn)性工廠，開始建立起自己的半導(dǎo)體行業(yè)。到１９７０年兩廠均已建成投產(chǎn)。１９６８年研究出ＰＭＯＳ電路，這是上海無(wú)線電十四廠首家搞成的。這一階段１５年，從研制小規(guī)模到大規(guī)模電路，在技術(shù)上中國(guó)都依靠自己的力量，只是從國(guó)外進(jìn)口了一些水平較低的工藝設(shè)備，與國(guó)外差距逐漸加大。 二次大戰(zhàn)後，美國(guó)的貝爾實(shí)驗(yàn)室(Bell Lab)，決定要進(jìn)行一個(gè)半導(dǎo)體方面的計(jì)畫，目標(biāo)自然是想做出固態(tài)放大器，它們?cè)?945年7月，成立了固態(tài)物理的研究部門，經(jīng)理正是蕭克萊(William Shockley， 1910~1989)與摩根(Stanley Morgan)。12月16日，布萊登用一塊三角形塑膠，在塑膠角上貼上金箔，然後用刀片切開一條細(xì)縫，形成了兩個(gè)距離很近的電極，其中，加正電壓的稱為射極 (emitter)，負(fù)電壓的稱為集極 (collector)，塑膠下方接觸的鍺晶體就是基極 (base)，構(gòu)成