【正文】 產(chǎn)生10V/m所需總功率可能的解決方案——放大器在本例中,微波喇叭天線(SAS571)和對(duì)數(shù)周期天線(SAS5107)做比較。 由于暗室的各種特點(diǎn)(例如不連續(xù)的反射信號(hào)阻尼特點(diǎn),或者天線位置靠近暗室墻壁)會(huì)干擾校準(zhǔn)測(cè)量平面的各點(diǎn)場(chǎng)強(qiáng)值,所以需要設(shè)置一個(gè)補(bǔ)償功率值。在本文中使用10V/m這一場(chǎng)強(qiáng)值(本例可以被套用到實(shí)際所需的各種場(chǎng)強(qiáng)值)。由于這一頻段需要至少兩個(gè)功率放大器,因此在抗擾度測(cè)量中需要一個(gè)開(kāi)關(guān)將天線連接到合適的功率放大器。按一個(gè)鍵,被測(cè)設(shè)備就將在一個(gè)固定的時(shí)間內(nèi)處于一個(gè)特定的RF電磁場(chǎng)中,該電磁場(chǎng)為一系列的預(yù)先設(shè)定的頻點(diǎn)組成?！八柰咛亍绷惺翘炀€在1米距離處產(chǎn)生10V/m電磁波所需功率的實(shí)測(cè)值。 不管采用哪個(gè)選項(xiàng)，頻段轉(zhuǎn)換都是需要的。兩種頻帶切換方案都應(yīng)該采用冷轉(zhuǎn)換,即切換順序應(yīng)該是：合適的功放型號(hào)由于不是針對(duì)RF抗擾度測(cè)量，天線需要一個(gè)非常昂貴的高功率放大器以產(chǎn)生100MHz以下的射頻干擾場(chǎng)。因此，可以將雙錐天線和對(duì)數(shù)周期天線相鄰擺放，然后在掃描測(cè)量中在合適的時(shí)間切換功率放大器到合適的天線。本文列舉了一些可自己決定適應(yīng)新標(biāo)準(zhǔn)的方案的指導(dǎo)方法。只要在測(cè)量配置中的一個(gè)部件發(fā)生了改變,這一調(diào)整就必須占用一部分時(shí)間以中斷和重建一個(gè)新的測(cè)量配置。并排地?cái)[放天線這種情況下外部頻段切換應(yīng)使用頻段切換裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)。 行波管工作在說(shuō)說(shuō)不反射的條件下并釋放一部分前向功率容量。 另外，對(duì)于內(nèi)部切換的放大器來(lái)講,用來(lái)在繼電器切換期間關(guān)閉電源的冷卻切換電路很容易實(shí)現(xiàn)。 在測(cè)量運(yùn)行時(shí)，ATE軟件在合適的地方提供一個(gè)切換信號(hào)。 第二種方法是放大器的生產(chǎn)商將兩個(gè)放大器安放在同一個(gè)底盤(pán)上，在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)頻段切換。,對(duì)固態(tài)/。 放大器可選購(gòu)的有固態(tài)（砷化硅場(chǎng)效應(yīng)管）和行波管(TWT)。圖2 天線型號(hào)首要技術(shù)需要測(cè)量1GHz以上電磁輻射敏感度的產(chǎn)品即將出現(xiàn)，,這一頻率將被新的火災(zāi)探測(cè)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)所采用。 系統(tǒng)損耗包括天線饋線熱損耗,天線自身的熱損耗,以及被天線發(fā)射回的功率。 如果被測(cè)設(shè)備需要被放置在一個(gè)和天線規(guī)定距離的地方,由于天線必須放置在暗室中規(guī)定的地方,所以天線的尺寸有一個(gè)限制。如今，固態(tài)放大是 4GHz以下的首選技術(shù)，但是在4G以上，它要超越高功率倍頻行波管放大器的性價(jià)比還有很長(zhǎng)的路要走。圖5為該方法的示意圖。開(kāi)關(guān)切換的時(shí)間大約是1/10秒，因此其對(duì)整個(gè)測(cè)量時(shí)間的干擾是可以忽略不計(jì)的。本文所描述的雙頻帶放大器就具有這個(gè)特點(diǎn)。加上先前討論的系統(tǒng)損耗，意味著反射功率和前向功率的比值是很小的。TWTA7A8GFE如圖2（b）所示。 1994年，約克大學(xué)和Chase