【正文】 sh DSchDSDS VVVLWCWLRVRVI ???? ?可調(diào)電阻 嚴格推導（考慮到 VDS 對溝道中反型電子濃度的影響）： 強反型條件下（ VGS VT） VDS 較小時 ? ? ?????? ??? 221 DSDSTGSnoxDS VVVVLWCI ? LWC nox ?? ?跨導參數(shù) (1) 當 VDS = VDSsat 時 定義 VDSsat ? VGS ? VT Qn(L) = 0 反型電子消失 溝道被 夾斷 ? ?? ? ? ? ?????? ????? 221 TGSTGSTGSnoxDS VVVVVVLWCI ?MOSFET 的飽和區(qū) Leff ?L y ? ? 22 2121 DSs atTGSnox VVVLWC ?? ???(2) 當 VDS VDS sat 時 夾斷點左移，有效溝道縮短 ?????? ?????? LLLLLL e ff 1221DSs atDSs atDS VII ???IDSsat 不飽和， 溝道長度調(diào)制效應(yīng) NMOS（增強型） NMOS（耗盡型） PMOS（增強型） PMOS（耗盡型） 四種 MOSFET 的輸出特性 溝道長度調(diào)制效應(yīng) ? 溝道長度調(diào)制效應(yīng)使輸出特性的飽和區(qū)發(fā)生傾斜。 亞閾值特性 溝道長度調(diào)制效應(yīng) ? 溝道長度調(diào)制效應(yīng)會導致飽和電流區(qū)伏安特性傾斜。 ? 畫 CMOS結(jié)構(gòu)的示意圖。 ? 通常硅表面的電子和空穴的遷移率約為： ? 垂直表面的電場越強表面遷移率越小。 VDS ? Ey ? 當 Ey ? Ec 時，溝道擊穿 電子：溝道 ? D 溝道 ? SiO2 空穴：溝道 ? B (3) 漏源勢壘穿通 n+ n+ pSi VGS VDS S B E(x) x 0 L DsAPT VLqNV ???22擴散勢 V D MOSFET 的柵擊穿 SiO2 擊穿電場 Ec = (5~10)?106 V/cm Eg. Cox = 1 pF， tox = 100 nm， Q = (5~10)?10?11 C V / c m 105 6???oxoxox CtQE ? n+ n+ pSi G D n+ S 柵擊穿！ 齊納二極管 （隧道二極管） dtdVC GDGDdtdVC GSGSMOSFET 的電容 n+ n+ … … G S D iG iS iD CGSO CGDO CJS CJD CGB B MOSFET 的高頻等效電路 最高振蕩頻率 GSmimCgCgf?? 22m ax ??gmvGS + ? ? G S D CGS gD?1 S ? + CGD = 0（飽和區(qū)） vGS 其中（飽和區(qū)） ?