【正文】 制。 ： 不產(chǎn)生污染 ①熔點高：高于蒸發(fā)源的蒸發(fā)溫度； ②飽和蒸汽壓低：低于蒸發(fā)源； ③化學(xué)性能穩(wěn)定：不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，不形成合金。 蒸發(fā)源的特點： （ 1）功率密度高達 106W/cm2，可蒸發(fā)任何高熔點的材料； （ 2）光斑小，可提高淀積薄膜的純度； （ 3）能量密度高，可保證薄膜成份的比例； （ 4）真空室內(nèi)裝置簡單，易獲得高真空度； （ 5）激光器價格昂貴，影響了廣泛使用。電壓是常數(shù)（受到電源高輸出阻抗和限流電阻的限制） 原因： α 作用 （電離倍增作用）中性氣體分子間的碰撞使氣體分子電離，產(chǎn)生正離子和電子。電流繼續(xù) ↑ ，放電電壓再次突然大幅度 ↓ ，電流急劇 ↑ 。 陽極暗區(qū) :實質(zhì)上是陽極與正柱區(qū)等離子體間的鞘層。 非彈性碰撞：部分電子動能轉(zhuǎn)化為粒子的內(nèi)能。 （ 3） S與被濺射物質(zhì)的種類的關(guān)系 —即隨靶材元素的原子序數(shù)呈周期性變化。 利用的化合物主要包括： （ 1）氧化物： Al2O3,SiO2,In2O3,SnO2等 。 實現(xiàn)辦法： ① 采用帶有準直器的濺射淀積方法。如圖 。 ? 原理：磁場在靶材表面與電場垂直，電子沿電場方向加速、繞磁場方向螺旋前進，提高了電子碰撞效率，從而也提高了原子的電離幾率。 S—濺射產(chǎn)額，表示正離子轟擊作為陰極的靶材時，平均每個正離子能從靶材上打出的原子數(shù)目。即任何處于等離子體中的物體相對于等離子體來講都呈現(xiàn)出負電位，并且在物體的表面附近出現(xiàn)正電荷積累。電子密度1015~1016電子數(shù) /m3,電場強度為常數(shù)。 （ 4）反常輝光放電 ef段。 原因：電離量很少且恒定。 激光加熱源 激光束加熱蒸發(fā)法 —利用高功率的連續(xù)或脈沖激光束作為能源對蒸發(fā)材料進行加熱。 λ =k T2189。 ② 濺射：優(yōu)點：化學(xué)成分易控制，淀積薄層與襯底附著性好。 ? 優(yōu)點：工藝簡單，蒸發(fā)速率快； 缺點：難以制備高熔點、高純度薄膜。 高頻感應(yīng)加熱源 —通過高頻感應(yīng)對坩堝加熱，使蒸發(fā)材料在高頻磁場的感應(yīng)下產(chǎn)生強大的渦流損失和磁滯損失，使蒸發(fā)材料升溫，直至汽化蒸發(fā)。 γ 作用 — 正離子對陰極的碰撞將產(chǎn)生二次電子。 放電區(qū)域的劃分如圖 （ a）所示。 注意：隨著極間距離的縮小，正柱區(qū)和法拉第暗區(qū)將 縮短直至消失；而陰極暗區(qū)和負輝光區(qū)不受影響。 維持自持放電過程的主要機制。 （ 4） S與離子入射角的關(guān)系 圖 入射角 θ —離子入射方向與被濺射靶材表面法線間夾角 θ ↑, S 以 1/cosθ 規(guī)律 ↑ ，當 θ 接近 80176。 （ 2）碳化物： SiC,WC,TiC等 。 缺點：淀積速率降低，成本增加。 導(dǎo)致結(jié)果：側(cè)壁膜厚從上到下 → 逐漸減小；表面形成懸梁造成底角處形成明顯的凹槽。 ? 注意：射頻濺射中，交流頻率不能太低。 主要取決于靶材料本身的特性。 等離子體鞘層：是電子與離子具有不同速度的一個直接后果。 ：在陰極端能保持足夠的電離度。 影響輝光放電電流密度的因素：陰極材料、氣體種類、氣體壓強及陰極的形狀。電壓再 ↑ ，電流并不 ↑ 。 ? 缺點： ①電子槍發(fā)出的 一次電子與蒸發(fā)材料發(fā)出的二次電子使蒸發(fā)原子和殘余氣體分子電離； ② 設(shè)備及工藝復(fù)雜，價格昂貴。