【正文】 工作的穩(wěn)定性、起振的難易程序及溫度穩(wěn)定性，如果使用石英晶體，我們推薦電容使用 30pF 土 10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF 士 1OF。 其二是通過硬件復(fù)位也可將空閑工作模式終止。 校驗(yàn)時(shí)， P0口須接上 10k左右的上拉電阻。 改變編程單元的地址和寫入的數(shù)據(jù)，重復(fù) 15 步驟，直到全部文件編程結(jié)束。 空閑節(jié)電模式： AT89C51 有兩種可用軟件編程的省電模式，它們是空閑模式和掉電工作模式。 如 EA端為高電平 (接 Vcc端 )， CPU 則執(zhí)行內(nèi)部程序存儲器中的指令。當(dāng)振蕩器工作時(shí)， RST 引腳出現(xiàn)兩個(gè)機(jī)器周期以上高電平將使單片機(jī)復(fù)位。作輸入口使用時(shí)，因?yàn)閮?nèi)部 存在上拉電阻，某個(gè)引腳被外部信號拉低時(shí)會(huì)輸出一個(gè)電流（ I)。 簽名： 2020 年 4 月 8 日 注： 請將該封面與附件裝訂成冊。 在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器或程序存儲器時(shí)，這組口線分時(shí)轉(zhuǎn)換地址 (低 8位 )和數(shù)據(jù)總線復(fù)用，在訪問期間激活內(nèi)部上拉電阻。對 P3 口寫入“ 1”時(shí)，它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。在此期問，當(dāng)訪問外部數(shù)據(jù)存儲器，這兩次有效的 PSEN 信號不出現(xiàn)。 用戶也可以采用外部時(shí)鐘。需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑工作模式時(shí)， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期 (24 個(gè)時(shí)鐘周期 )有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問片內(nèi) RAM，而允許訪問其它端口。編程方法： 編程前，須按表 6和圖 6所示設(shè)置好地址、數(shù) 據(jù)及控制信號，編程單元的地址加在 P1 口和 P2口的 (11 位地址范圍為 0000H0FFFH ),數(shù)據(jù)從 P0 口輸入，引腳 、 和 、 的電平設(shè)置見表 6， PSEN為低電平， RST 保持高電平， EA/Vpp 引腳是編程電源的輸入端，按要求加上編程電壓， ALE/PROG 引腳輸入編程脈沖 (負(fù)脈沖 )，編程時(shí)，可采用 420MHz 的時(shí)鐘振蕩器， AT89C51 編程方法如下： 。 加密位不可直接校驗(yàn)，加密位的校驗(yàn)可通過對存儲器的校驗(yàn)和寫入狀態(tài)來驗(yàn)證。 Flash 存儲陣列寫入一個(gè)字節(jié)或每寫入一個(gè)程序加密位，加上一個(gè)ALE/PROG 編程脈沖。退出掉電模式的唯一方法是硬件復(fù)位，復(fù)位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 RAM 中的內(nèi)容，在 Vcc恢復(fù)到正常工作電平前，復(fù)位應(yīng)無效，且必須保持一定時(shí)間以使振蕩器重啟動(dòng)并穩(wěn)定工作。 需注意的是：如果加密位 LB1被編程，復(fù)位時(shí)內(nèi)部會(huì)鎖存 EA端狀態(tài)。 RST：復(fù)位輸入。對端口寫“ 1”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。 指導(dǎo)教師評語： 譯文較好的反映了原文的意思，用詞妥當(dāng)、句子表達(dá)清楚、條理清晰、語法運(yùn)用適當(dāng)，具有一定的專業(yè)英語翻譯水平。 在 Flash 編程時(shí)， P0 口接收指令字節(jié)，而在程序校驗(yàn)時(shí)，輸出指令字節(jié)，校驗(yàn)時(shí)，要求外接上拉電阻。作輸入端時(shí)，被外部拉低的 P3 口將用上拉電阻輸出電流 (I)。 采用外部時(shí)鐘的電路如圖 5右圖所示。為了避免可能對端口產(chǎn)生意外寫入，激活空閑模式的那條指令后一條指令不應(yīng)是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。 。 Flash 存儲器編程和程序校驗(yàn)時(shí)序圖 7（高電壓編程 )和圖 8(低電壓編程 )。 ，將 EA/Vpp 端加上 +12V 編程電壓。掉電模式： 在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。 由于外部時(shí)鐘信號是通過一個(gè) 2分頻觸發(fā)器后作為內(nèi)部時(shí)鐘信號的，所以對外部時(shí)鐘信號的占空比沒有特殊要求，但最小高電平持續(xù)時(shí)間和最大的低電平持續(xù)時(shí)間應(yīng)符合產(chǎn)品技術(shù)條件的要求。欲使 CPU 僅訪問外部 程序存儲器 (地址為 0000H 一FFFFH)， EA 端必須保持低電平 (接地 )。 P1口： P1是一個(gè)帶內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I/O口， P1的輸出緩沖級可驅(qū)動(dòng) (吸收或輸出電流 )4 個(gè) TTL 邏輯門電路。 淮 陰 工 學(xué) 院 畢業(yè)設(shè)計(jì) (論文 )外文資料翻譯 系 （院）： 電子 與電氣 工程學(xué)院 專 業(yè)： 電氣工程及其自動(dòng)化 姓 名： 陳龍 學(xué) 號： 1061202019 外文出處： ( 用 外 文 寫 ) 附 件： ； 。 P3 口除了作為一般的 I/O口線外，更重要的用途是它的第二功能，如下 表所示： P3 口還接收一些用于 Flash 閃速存儲器編程和程序校驗(yàn)的控制信號。 EA/VPP：外部訪問允許。 這種情況下，外部時(shí)鐘脈沖接到 XTAL1 端，即內(nèi)部時(shí)鐘發(fā)生器的輸入端， XTAL2 則懸空。 相應(yīng)的控制信號。 附件 2：外文原文（復(fù)印件） AT89C51 Features ? Compatible with MCS51? Products ? 4K Bytes of InSystem Reprogrammable Flash Memory – Endurance ? 1,000 Write/Erase Cycles ? Fully Static Operation: 0 Hz to 24 MHz ? Threelevel Program Memory Lock ? 128 x 8bit Internal RAM ? 32 Programmable I/O Lines ? Two 16bit Timer/Counters ? Six Interrupt Sources ? Programmable Serial Channel ? Lowpower Idle and Powerdown Modes Description The AT89C51 is a lowpower, highperformance CMOS 8bit microputer with 4Kbytes of Flash programmable and erasable read only memory (PEROM). The deviceis manufactured using Atmel’s highdensity nonvolatile memory technology and ispatible with the industrystandard MCS51 instruction set and pinout. The onchipFlash allows the program memory to be reprogrammed insystem or by a conventionalnonvolatile memory programmer. By bining a versatile 8bit CPU with Flashon a monolithic chip, the Atmel AT89C51 is a powerful microputer which providesa highlyflexible and costeffective solution to many embedded control AT89C51 provides the following standard features: 4Kbytes of Flash, 128 bytes of RAM, 32 I/O lines, two 16bittimer/counters, a five vector twolevel interrupt architecture