【正文】 故。（10）/EA/VPP：當(dāng)/EA保持低電平時(shí)，則在此期間外部程序存儲(chǔ)器（0000HFFFFH），不管是否有內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。 DS18B20溫度傳感器DS18B20數(shù)字溫度傳感器接線方便，封裝后可應(yīng)用于多種場(chǎng)合，如管道式，螺紋式，磁鐵吸附式，不銹鋼封裝式，型號(hào)多種多樣，有LTM8877，LTM8874等等。64位光刻ROM的排列是：開(kāi)始8位 （28H）是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào)，接著的48位是該DS18B20自身的序列號(hào)，最后8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼（CRC=X8+X5+X4+1）。 ROM指令表指 令約定代碼功 能讀ROM33H讀DS1820溫度傳感器ROM中的編碼（即64位地址）符合 ROM55H發(fā)出此命令之后，接著發(fā)出 64 位 ROM 編碼，訪問(wèn)單總線上與該編碼相對(duì)應(yīng)的 DS1820 使之作出響應(yīng)，為下一步對(duì)該 DS1820 的讀寫作準(zhǔn)備。計(jì)數(shù)器1和溫度寄存器被預(yù)置在－55℃所對(duì)應(yīng)的一個(gè)基數(shù)值。（2） 將CGRAM中的自定義字符傳送到DDRAM中。 主程序流程圖 溫度檢測(cè)程序DS18B20在單片機(jī)的控制下分三個(gè)階段：18B20初始化、讀18B寫18B20。 讀DS18B20流程圖 寫DS18B20程序。主機(jī)要生成一個(gè)寫0圖c顯示為第3路DS18B20所檢測(cè)的溫度，其溫度超出了設(shè)定范圍的上限，報(bào)警指示燈亮。結(jié)論本設(shè)計(jì)利用AT89C51通過(guò)本次設(shè)計(jì)，讓我對(duì)單片機(jī)AT89C51的原理應(yīng)用以及與周邊系統(tǒng)的連接融合環(huán)節(jié)有了深入的認(rèn)識(shí)，針對(duì)溫度傳感器DS18B20芯片的原理我通過(guò)網(wǎng)絡(luò)資料對(duì)其有了更深刻的理解。anaOogue．[13] ARABI其次我要感謝電子信息科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的老師們，他們不僅教會(huì)我們專業(yè)方面的知識(shí)，而且教會(huì)我們做人做事的道理；尤其要感謝本次設(shè)計(jì)中給我大力支持和幫助的金老師，也就是我的指導(dǎo)老師，每有問(wèn)題金老師總是耐心的解答，使我能夠充滿熱情的投入到畢業(yè)設(shè)計(jì)中去，還要感謝我的同學(xué)們他們熱心的幫助，還需感謝相關(guān)資料的編著和給予我們支持的社會(huì)各界人士，感謝你們?yōu)槲覀兲峁┮粋€(gè)良好的環(huán)境，使本次設(shè)計(jì)圓滿完成。/**********************我的延時(shí)函數(shù)********************************/void delay1ms(uint z){ uint x,y。 x= DQ1。 delay_18B20(8)。//66 us val = 1 。0x01。i0。 } return dat。 tt=temp1*。 temp2=temp2|temp_data[0]。 //讀溫度值的高字節(jié) temp3=temp_data[1]。 delay1ms(5)。 //顯示的位數(shù)}/****************溫度數(shù)據(jù)處理函數(shù)************************///二進(jìn)制高字節(jié)的低半字節(jié)和低字節(jié)的高半字節(jié)組成一字節(jié),這個(gè)//字節(jié)的二進(jìn)制轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制后,就是溫度值的百、十、個(gè)位值,而剩//下的低字節(jié)的低半字節(jié)轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制后,就是溫度值的小數(shù)部分/********************************************************/void work_temp(uint tem){ uchar A0, A1,A2,A3,A4,A5。 else led1 = 1。 write_data(table[10])。//小數(shù)點(diǎn) write_data(table[A5])。 write_byte2(0xcc)。 //處理溫度數(shù)據(jù),并顯示 delay1ms(3000)。 write_data(table[1])。 // 取十位數(shù)據(jù)暫存 write_data(table[A1])。a39。 write_data(table[A0])。 write_(0x0c)。 en = 0。 //發(fā)命令 write_byte3(0xbe)。 temp_data[0]=read_byte2()。 //讀溫度值的高字節(jié) temp1=temp_data[1]。 dat = 1。 delay_18B20(4)。 for(i=8。 //5 us DQ1=valamp。 delay_18B20(20)。 //單片機(jī)拉低總線 delay_18B20(80)。sbit led1 = P2^0。Conference,1997,12：462467Annual(3)由于DS18B20經(jīng)過(guò)一個(gè)循環(huán)周期后，開(kāi)始顯示各路溫度。液晶第一行顯示仿真的日期，第二行顯示分別為溫度值、溫度單位和溫度檢測(cè)的路數(shù)。線采樣。腳狀態(tài)。也可采用發(fā)光二級(jí)管報(bào)警電路，如果需要報(bào)警，則只需將相應(yīng)位置1，當(dāng)參數(shù)判斷完畢后，再看報(bào)警模型單元ALARM LCD1602指令表 顯示自定義字符顯示自定義字符步驟如下：（1） 先將自定義字符寫入CGRAM。寄生供電時(shí)DS1820發(fā)送“ 0 ”，外接電源供電 DS1820發(fā)送“ 1 ”。對(duì)應(yīng)的溫度計(jì)算：當(dāng)符號(hào)位S=0時(shí)，直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制；當(dāng)S=1時(shí)，先將補(bǔ)碼變?yōu)樵a，再計(jì)算十進(jìn)制值。（9） 負(fù)壓特性：電源極性接反時(shí)，芯片不會(huì)因發(fā)熱而燒毀， 但不能正常工作。此外，AT89C51設(shè)有穩(wěn)態(tài)邏輯，可以在低到零頻率的條件下靜態(tài)邏輯，支持兩種軟件可選的掉電模式。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止，置位無(wú)效。在給出地址“1”時(shí)，它利用內(nèi)部上拉優(yōu)勢(shì)，當(dāng)對(duì)外部八位地址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行讀寫時(shí)，P2口輸出其特殊功能寄存器的內(nèi)容。單片機(jī)為40完成上述任務(wù)后，返回程序起始位置，循環(huán)檢測(cè)并顯示。該設(shè)計(jì)采用模數(shù)轉(zhuǎn)換硬件電路復(fù)雜，軟件調(diào)試復(fù)雜，制作成本高。傳統(tǒng)的溫度測(cè)量多以熱敏電阻作為溫度傳感器。目前，國(guó)際上新型溫度傳感器正從模擬向數(shù)字式、由集成向智能化、網(wǎng)絡(luò)化的方向發(fā)展，同時(shí)具有抑制串模干擾能力強(qiáng)、分辨力高、線性度好、成本低等優(yōu)點(diǎn)。,甚至在不易人們親自接近的貨物儲(chǔ)藏的倉(cāng)庫(kù)已普遍使用。 課題設(shè)計(jì)任務(wù)與目的本設(shè)計(jì)要求利用溫度傳感器與單片機(jī)實(shí)現(xiàn)多路溫度采集；溫度測(cè)量范圍為20~33℃,精度為177。制作時(shí)，數(shù)字顯示用的數(shù)碼管為共陽(yáng)極，2K可調(diào)電阻最好選用多圈電阻，分壓電阻選用誤差較小的金屬膜電阻，其它器件選用正品即可。 系統(tǒng)整體設(shè)計(jì)方框圖。 單片機(jī)的結(jié)構(gòu) AT89C51簡(jiǎn)介AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲(chǔ)器（FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory）的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機(jī)。（4）P1口：P1口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口，P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。在FLASH編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。XTAL1和XTAL2分別為反向放大器的輸入和輸出。（2） 獨(dú)特的單線接口方式，DS18B20在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊。 DS18B20溫度數(shù)據(jù)表 DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的EEPRAM,后者存放高溫度和低溫度觸發(fā)器 TH、TL和結(jié)構(gòu)寄存器。告警搜索命令0ECH執(zhí)行后只有溫度超過(guò)設(shè)定值上限或下限的片子才做出響應(yīng)。外部電源供電方式是DS18B20最佳的工作方式，工作穩(wěn)定可靠，抗干擾能力強(qiáng)，而且電路也比較簡(jiǎn)單，可以開(kāi)發(fā)出穩(wěn)定可靠的多點(diǎn)溫度 監(jiān)控系統(tǒng)。 時(shí)鐘電路，振蕩頻率取決于適應(yīng)晶體的振蕩頻率，~12MHz，CC2主要起頻率微調(diào)和穩(wěn)定作用，電容可取5~30pF。首先設(shè)置循環(huán)次數(shù)為8次，通過(guò)總線延遲將8位數(shù)據(jù)讀入單片機(jī)內(nèi)。時(shí)間隙。 寫DS18B20流程圖 溫度轉(zhuǎn)換命令子程序溫度轉(zhuǎn)換命令子程序主要是發(fā)溫度轉(zhuǎn)換開(kāi)始命令，當(dāng)采用12位分辨率時(shí)，轉(zhuǎn)換時(shí)間約為750ms。 a b c d 三路溫度仿真圖 系統(tǒng)調(diào)試本次設(shè)計(jì)系統(tǒng)的調(diào)試以程序的調(diào)試為主。根或2．[3] 江思敏,陳明．Protel電路設(shè)計(jì)教程[M]．北京：清華大學(xué)出版社，2008．3．[4] 陸子明,徐長(zhǎng)根．單片機(jī)設(shè)計(jì)與應(yīng)用基礎(chǔ)教程[M].theonlineuchar code ditab[16]={0x00,0x01,0x01,0x02,0x03,0x03,0x04,0x04,0x05,0x06,0x06,0x07,0x08,0x08,0x09,0x09}。y)。 delay_18B20(8)。 //此處延時(shí)有足夠,確保能讓DS18B20發(fā)出存在脈沖。i) { DQ1 = 0。 uchar dat = 0。 DQ3=1。 //發(fā)轉(zhuǎn)換命令 delay_18B20(100)。 //總線復(fù)位 write_byte2(0xcc)。 //返回溫度值}//uint read_temp3()//編號(hào)3{ float tt。 temp3=tt*10+。 } /******************1602初始化*****************************/void lcd_init(){ en = 0。 // 取小數(shù)部分的值 A5 = ditab[display[1]]。 write_data(39。0x0f。 if(A2=33) led1 = 0。 //處理溫度數(shù)據(jù),并顯示 delay1ms(3000)。 write_byte3(0xcc)。 }} /**********************主函數(shù)********************************/void main(){ lcd_init()。 A4 = tem4。)。 // 取中間八位,即整數(shù)部分的值 write_data(table[11])。 //顯示模式設(shè)置 delay1ms(5)。 //返回溫度值}/*************