【正文】 也有稱為 Shielded Shift Registers ，中文或可翻為電荷儲(chǔ)存區(qū)，主要功用為收集經(jīng)二極管照射光線后所產(chǎn)生之電荷。 2/3英寸 —— 靶面尺寸為寬 *高 ，對(duì)角線 11mm。 ? 1974年 6月，彩色影像用的 FT方式 32H*64V CCD研究成功了。 CCD經(jīng)過(guò)長(zhǎng)達(dá) 35年的發(fā)展，大致的形狀和運(yùn)作方式都已經(jīng)定型。 CCD工作方式 曝光之后所有產(chǎn)生的電荷都會(huì)被轉(zhuǎn)移到鄰近的移位緩存器中，并且逐次逐行的轉(zhuǎn)換成信號(hào)流從矩陣中讀取出來(lái)。因此，使用 FF CCD的數(shù)字相機(jī)在傳送電荷信息時(shí)必須完全關(guān)閉快門，以隔離鏡頭入射的光線，防止干擾。 CCD ISO 感光能力 —電極暗電流定義 暗電流是指在沒(méi)有入射光的情況下 CCD所仍具有之電荷量，理想的CCD其暗電流應(yīng)該是零，但部分游離電荷會(huì)殘存在電極之間，導(dǎo)致沒(méi)有光線下 CCD還是 『 感應(yīng) 』 到些許的 『 電荷 』 存在，形成了 『 看到了 』 的雜像！ CCD ISO 感光能力 — 電極暗電流影響因素一 ?S/N的強(qiáng)度還會(huì)隨 溫度 增高而增加 （ 每增加 10℃ ， S/N可能增加 1倍 ） 。而這外加電壓通常需要 12伏特（ V）以上的水平，因此 CCD 還必須要有更精密的電源線路設(shè)計(jì)和耐壓強(qiáng)度，高驅(qū)動(dòng)電壓使 CCD 的電量遠(yuǎn)高于 CMOS。 CCD ISO 感光能力 CCD ISO 感光能力 — 提高途徑 CCD 提高 ISO 的能力通常分為硬體和軟件處理上的設(shè)計(jì)，例如： 簡(jiǎn)化 來(lái)自特定區(qū)域 CCD上的 畫素信號(hào)來(lái)提高 ISO 表現(xiàn)（因?yàn)?CCD無(wú)法在物理上增大感光面積，只好聯(lián)合矩陣在處理上 『 仿真 』 大感光面積的方式， 所以 ISO 越高就必須相對(duì)的降低分辨率 見(jiàn)下圖），但這也相對(duì)的降低了影像的色調(diào)范圍。相對(duì)性的缺點(diǎn)則是暫存區(qū)占據(jù)了部份感光面積，因此動(dòng)態(tài)范圍（ Dynamic Range 系統(tǒng)最亮與最暗之間差距所能表現(xiàn)的程度）較小。當(dāng)數(shù)字相機(jī)的快門開啟，來(lái)自影像的光線穿過(guò)這些馬賽克色塊會(huì)讓感光點(diǎn)的二氧化硅材料釋放出電子〈 負(fù)電 〉 與電洞 〈 正電 〉 。 1/4英寸 —— 靶面尺寸為寬 *高 ，對(duì)角線 4mm。圖像傳感器原理介紹 （ CCD和 CMOS介紹） kanry_li 2022115 Image Sensor的分類 ? Image Sensor的分類有兩種： CCD圖像傳感器簡(jiǎn)介 ? ＣＣＤ（ Charge Coupled Device ，感光耦合組件簡(jiǎn)稱） 是攝像系統(tǒng)中可記錄光線變化的半導(dǎo)體，通常以百萬(wàn)像素 〈 megapixel〉 為單位 CCD發(fā)展史 ? 1969年，由美國(guó)的貝爾研究室所開發(fā)出來(lái)的。 CCD分辨率 指的就是ＣＣＤ中有多少像素 ， 也就是指這臺(tái)數(shù)字相機(jī)的ＣＣＤ上有多少感光組件 。經(jīng)由外部加入電壓，這些電子和電洞會(huì)被轉(zhuǎn)