【正文】 4Pa真空； B、靶材為 ZnO（ ％ Mn），溫度 550℃ ，轟擊時間 15min， ； C、靶材為 ZnO（ ％ Mn），溫度550℃ ，轟擊時間 60min， 。 容易發(fā)現(xiàn)，相比其他幾種樣品，樣品 (1)的 P－ E曲線有明顯的差別，最強峰在 417nm，在 261nm有峰的存在， 323nm峰被加強， 468nm峰被抑制，在波長大于 470nm的區(qū)域仍然有強而且平緩的光生電壓；而其他幾種樣品的 P－ E曲線圖形比較一致，最強峰在 470nm左右，對 470nm之后光的響應隨著波長的增大而迅速減弱，但還存在幾個很小的峰。 ，各波長出射功率均為 。最后將樣品放在 N2氣氛中 530℃ 高溫下退火 15min。測試了樣品的 XRD曲線， I－ V特性曲線和 P－ E（光電響應）特性曲線，研究樣品作為二極管，光探測器的性能。 半導體異質結 基本概念： 異質結就是一種半導體材料生長在另一種半導體材料上所形成的接觸過渡區(qū)。如果 N型一邊接外加電壓的正極， P型一邊接負極，則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區(qū)變寬，電流不能流過。 本征半導體 :不摻雜的半導體。 一塊單晶半導體中 ，一部分摻有受主雜質是 P型半導體，另一部分摻有施主雜質是 N型半導體時 ， P 型半導體和 N型半導體的交界面附近的過渡區(qū)稱 PN結。 半導體異質結構的基本特性 半導體異質結構，是將不同材料的半導體薄膜，依先后次序 外延淀 積在同一襯底上。cm。（注：制備第二組樣品時 PLD工藝相關參數，沒有特別注明的部分默認為與第一組的參數相同。圖中樣品 (1)所用襯底的是 nSi，其他的都是 pSi， P－ E曲線的差異產生應當與這有關，但具體原因還有待進一步考證。 第一組樣品的 I－ V曲線 第二組樣品的 I－ V曲線 光生伏特效應 采用 HITACHI M850熒光分光光度計產生入射光測量異質結零偏壓下光譜響應特性，其準確有效的波長范圍 200～ 600nm，準確度 177。接著表面蒸 Al， Al膜厚約 1μm，再在有源區(qū)反刻圓形 Al（稍大于ZnO圖形）。 若干半導體雜質摻雜的一些考慮 12 關于 Au/ZnO/Si異質結能帶結構 4 .9 5mWeV14 . 3 5XeV14 . 5SWeV25 .1SWeV24 . 0 5XeV0E2cE2E?2iE1cE1iE1E?Au n Z n O? p S i?FmEFnEFpE器件結構圖 Au/nZnO/pSi 新型肖特基結 異質結構 紫外增強光電晶體管 ?新型肖特基結 異質結 紫外增強光電晶體管 ， 半導體學報英文版刊登認為論文有新意 ， 并在重要位置 （ 第二篇 ） 刊登 ? 該新型光電探測器增強了 Si光電探測器在紫外 （ UV） 波長的響應靈敏度 ， 具有重要研究價值 CV characteristics of Au/nZnO SBD eVeVxW mns )(1 ??????Au/nZnO SBD Photocurrent response with optical wavelength 不同襯底 Si材料的 ZnO異質結 IV及光電特性研究