半導(dǎo)體p-n結(jié),異質(zhì)結(jié)和異質(zhì)結(jié)構(gòu)(文件)
【正文】 再在有源區(qū)反刻圓形 Al（稍大于ZnO圖形）。干燥后光刻出圓形有源區(qū)，圓孔直徑為 500μm。cm。cm。 若干半導(dǎo)體雜質(zhì)摻雜的一些考慮 12 關(guān)于 Au/ZnO/Si異質(zhì)結(jié)能帶結(jié)構(gòu) 4 .9 5mWeV14 . 3 5XeV14 . 5SWeV25 .1SWeV24 . 0 5XeV0E2cE2E?2iE1cE1iE1E?Au n Z n O? p S i?FmEFnEFpE器件結(jié)構(gòu)圖 Au/nZnO/pSi 新型肖特基結(jié) 異質(zhì)結(jié)構(gòu) 紫外增強(qiáng)光電晶體管 ?新型肖特基結(jié) 異質(zhì)結(jié) 紫外增強(qiáng)光電晶體管 ， 半導(dǎo)體學(xué)報(bào)英文版刊登認(rèn)為論文有新意 ， 并在重要位置 （ 第二篇 ） 刊登 ? 該新型光電探測器增強(qiáng)了 Si光電探測器在紫外 （ UV） 波長的響應(yīng)靈敏度 ， 具有重要研究價值 CV characteristics of Au/nZnO SBD eVeVxW mns )(1 ??????Au/nZnO SBD Photocurrent response with optical wavelength 不同襯底 Si材料的 ZnO異質(zhì)結(jié) IV及光電特性研究 采用 PLD技術(shù)和微電子平面工藝，用不同表面摻雜的 Si作為襯底制備了 ZnO/Si異質(zhì)結(jié)，另外為改善異質(zhì)結(jié)特性，以 pSi(p)為襯底嘗試制備了 ZnO（含 ％） /Si結(jié)構(gòu)、以及包含 SiC緩沖層的ZnO/SiC/Si和 ZnO（含 ％） /SiC/Si結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)發(fā)光組件，相較其它發(fā)光組件，具有高效率、省電、耐用等優(yōu)點(diǎn)，因此應(yīng)用廣泛。例如：能階量子化、基態(tài)能量增加、能態(tài)密度改變等，其中能態(tài)密度與能階位置，是決定電子特性很重要的因素。 異質(zhì)結(jié)的能帶結(jié)構(gòu) 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是由兩層以上不同材料所組成，它們各具不同的能帶隙。 PN結(jié)是構(gòu)成雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的核心，是現(xiàn)代微電子技術(shù)、光電子技術(shù)的基礎(chǔ)。 1. 用 PN結(jié)單向?qū)щ娦钥梢灾谱髡鞫O管、檢波二極管和開關(guān)二極管， 2. 利用擊穿特性制作穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管； 3. 利用高摻雜 PN結(jié)隧道效應(yīng)制作隧道二極管； 4. 利用結(jié)電容隨外電壓變化效應(yīng)制作變?nèi)荻O管 。用同一種半導(dǎo)體材料制成的 PN 結(jié)叫同質(zhì)結(jié) ，由禁帶寬度不同的兩種半導(dǎo)體材料制成的 PN結(jié)叫異質(zhì)結(jié)。如果外電路不能限制電流，則電流會大到將 PN結(jié)燒毀 . PN結(jié)加反向電壓時 ,空間電荷區(qū)中的正負(fù)電荷構(gòu)成一個電容性的器件。 由 PN結(jié)的 I/V特性曲線 得到： PN結(jié) 具 有單向?qū)щ娦院头蔷€性伏安特性 . PN結(jié)的正向?qū)щ娦? 在 PN結(jié)上外加一電壓 ，如果 P型一邊接正極 ， N型一邊接負(fù)極，電流便從 P型一邊流向 N型一邊，空穴和電子都向界面運(yùn)動，使空間電荷區(qū)變窄，甚至消失，多數(shù)載流子在電場的作用下可以順利通過。 如：五價的雜質(zhì)原子（ P,As）摻入四價 Si后必有一個電子成為自由電子運(yùn)動在導(dǎo)帶中，形成電子導(dǎo)電類型的 n型半導(dǎo)體。價帶中的電子靠熱激發(fā)或光激發(fā)直接躍遷到導(dǎo)帶，使空穴和電子的濃度相等。半
研究報(bào)告相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1