【正文】 綜合：二極管表現(xiàn)為一個(gè) 受外加電壓 ui控制的開關(guān) 。 用途： 做 壓控線性電阻 和閉合狀態(tài)的 電子開關(guān) 。 關(guān)閉時(shí)間 toff=ts+tf就是存儲(chǔ)電荷消散的時(shí)間 2 MOS管的開關(guān)特性 CMOSIC中，以 MOS管作為開關(guān)器件 一 、 MOS管的結(jié)構(gòu)和工作原理 P N N G S D 金屬鋁 兩個(gè) N區(qū) SiO2絕緣層 P型襯底 導(dǎo)電溝道 G S D N溝道增強(qiáng)型 源極 柵極 漏極 vGS=0時(shí) P N N G S D vGS vDS iD=0 D、 S間相當(dāng)于兩個(gè)背靠背的 PN結(jié) S D B 不論 D、 S間有無電壓 ,均無法導(dǎo)通 \導(dǎo)電 P N N G S D VDS VGS vGS0時(shí) vGSVGS(th)后形成電場 G— B,把襯底中的電子吸引到上表面，除復(fù)合外，剩余電子在上表面形成 N型層（反型層）為 D、S間的 導(dǎo)通 提供了 通道 。 ? 可作為理想開關(guān)使用。 B Y2 amp。 一、什么是門電路？ －－用來實(shí)現(xiàn) 基本 邏輯運(yùn)算和 復(fù)合 邏輯運(yùn)算的單元電路。 ★ CMOS已經(jīng)取代 TTL，成為 IC的主導(dǎo)技術(shù) ● 不過現(xiàn)有的舊設(shè)備中，有的仍在用 TTL，因此了解 TTL的某些知識(shí)仍有必要。 通常 把這個(gè)不允許超過的界限叫做噪聲容限 。 amp。 N P N 型三極管截止、放大、飽和 3 種工作狀態(tài)的特點(diǎn) 工作狀態(tài) 截 止 放 大 飽 和 條 件 iB＝ 0 0 ＜ iB＜ IBS iB＞ IBS 偏置情況 發(fā)射結(jié)反偏 集電結(jié)反偏 uBE0 ， uBC0 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 uBE0 ， uBC0 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)正偏 uBE0 ， uBC0 集電極電流 iC＝ 0 iC＝ β iB iC＝ ICS ce 間電壓 uCE＝ VCC uCE＝ VCC－iCRc uCE＝ UCE S＝0. 3V 工 作 特 點(diǎn) ce 間等效電阻 很大， 相當(dāng)開關(guān)斷開 可變 很小， 相當(dāng)開關(guān)閉合 三極管臨界飽和 時(shí)的基極電流： mA150??????cCE SCCBSRUVI?① ui=1V時(shí) ， 三極管導(dǎo)通 ， 基極電流： 10 ?????bBEiB Ruuiuo=uCE=VCCiCRc= 50 1= 對(duì)應(yīng)下圖，分別求出 ui分別為 1V， ， 3V時(shí)的 uo值 IBS，未飽和 ② ui=，因?yàn)?uBE， iB=0，三極管工作在 截止?fàn)顟B(tài)， ic=0。 DS間相當(dāng)于斷開的開關(guān)， vO≈vDD 當(dāng) vIVGS(th)且 vI繼續(xù)升高時(shí)