開關功率mos管ppt課件(留存版)
【正文】 MOS管的開關速度， 驅動電阻 Rg不可特大，可用公式得到其值： Rg = tr（或 tf） / 驅動電流脈沖值： Ig = Ciss（ dV/dt）其中 Rg： 驅動阻抗， Ω； Ciss： MOS管的輸入電容， F； tr和 tf： 分別為 MOS管的上升時間和下降時間， s； dV/dt： 驅動源的電壓變化率， V/s；l GS電壓無， MOS管關閉， DS程高阻狀態(tài)，抑制電流通過。這種電壓控制的模式在某些應用中也能較好地發(fā)揮作用，但隨著技術的發(fā)展，當今世界的電源制造業(yè)大多已采用一種有類似拓撲結構的方案。當然，該圖絕不是TL431的實際內(nèi)部結構，所以不能簡單地用這種組合來代替它。DateMOS管 主要工作特性（缺點）l 導通電阻（ Rds(on)） 較大，具有正溫度系數(shù)，用在大電流開關狀態(tài)時，導通損耗較大；l 開啟門限驅動電壓較高（一般 2~4V）；l P溝道 MOS管耐壓還不是很高，很難找到與N溝道配對的 “圖騰柱 ”輸出。l 請看 Date設計 MOS管遵守的原則l MOS各腳連線盡量短，特別是 G極的長度，如實在無法減少其長度，可以用一小磁環(huán)或一小電阻與 MOS管串接起來。此類結構的開關電源有以下特點：輸出經(jīng)過TL431(可控分流基
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