【正文】 SiO2 的 ， 絕緣層電容大； 導(dǎo)熱性能優(yōu)于 SiO2 ， 常用于多層布線的介質(zhì)； 抗氧化能力強(qiáng) ， 廣泛用于對氧化的掩蔽 。例如，在硅烷分解工藝形成的硅薄膜中可能含有高濃度的氫，使薄膜的密度降低。 CVD 過程中與淀積速率有關(guān)的兩個(gè)關(guān)鍵步驟是： ? ?gs1 g g g g s()dd CCCJ D D h C Cy ??? ? ? ? ?式中， ，稱為 氣相質(zhì)量轉(zhuǎn)移系數(shù) ， a = ~ 2。以氣體形式提供的反應(yīng)物質(zhì)， 在熱能 、等離子體、紫外光等的作用下，在襯底表面經(jīng)化學(xué)反應(yīng)（分解或合成）形成固體物質(zhì)的淀積。 按反應(yīng)激活方式，有熱激活、等離子激活 ( PECVD ) 和紫外光激活等。由于 hG 與氣流密切有關(guān)，所以這時(shí)淀積速率與氣流的關(guān)系很密切 ，必須嚴(yán)格控制氣體流量與反應(yīng)室?guī)缀涡螤睿ǔＪ菃纹蛐∨肯到y(tǒng)。改進(jìn)方法是將基座設(shè)計(jì)成斜坡狀，或采用 LPCVD 技術(shù)。離子的轟擊為次生物質(zhì)提供能量，使之能在較低的溫度下就可以在硅片上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而淀積薄膜。此外，鋁的電阻率約為銅的 倍。通過改變孔隙率可在 1 ~ 的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)相對介電常數(shù)。在要求低淀積溫度的場合可采用 PECVD 工藝，但膜質(zhì)量稍差。 生長絕緣介質(zhì) 光刻槽 定向填充銅 化學(xué)機(jī)械拋光 再次生長絕緣介質(zhì)及光刻槽 再次填充銅及化學(xué)機(jī)械拋光 多層布線 目前水平已達(dá)到 6 ~ 8 層，預(yù)計(jì) 10 年內(nèi)可達(dá) 10 層以上。互連線的寄生電容也比預(yù)期的大。 的濕氧氧化； 電阻率高達(dá) 1016??cm， 絕緣性能良好； 掩蔽 Na+ 離子能力強(qiáng) ；對各種氣體 、 水汽以及 P、 B、As、 O Ga、 In 等有較強(qiáng)的掩蔽能力 ， 為極好的鈍化材料； 化學(xué)穩(wěn)定性好 ， 僅被 HF 和熱 H3PO4 腐蝕； 應(yīng)力很大，因而膜厚應(yīng)低于 2022197。 反應(yīng)室是開放的 ，分為臥式和立式兩種 ，以臥式更常用 。 as eEkTk ?? 反應(yīng)氣體以擴(kuò)散方式穿過滯流層到達(dá)硅片表面，并被吸附于硅片表面。 按壓力，有常壓 ( APCVD ) 和低壓 ( LPCVD ) CVD。 按反應(yīng)室壁溫度，有熱壁 CVD 和冷壁 CVD 。這稱為 質(zhì)量輸運(yùn)過程 。在 APCVD 的壓力和溫度范圍內(nèi) hg 和 ks 處于同一數(shù)量級(jí)，必須考慮氣流的影響，所以硅片應(yīng)水平放置。硅襯底與 Si3N4 間應(yīng)該用 SiO2 作為緩沖層。 解決辦法：采用銅互連技術(shù)與多層布線技術(shù)。 多層布線中需要解決的技術(shù)問題有 (1) 尋找低 K 值材料作為互連線之間的介質(zhì)層，以減小互連線之間的寄生電容，從而降低 RC 延遲時(shí)間。金屬 CVD 是一個(gè)新的重要領(lǐng)域，它允許高密度互連的制作。 TI 公司公布了一種將銅和超低 K 值材料相結(jié)合的適用于 ?m 的技術(shù) ，其超低 K 值材料是一種微孔網(wǎng)狀干凝膠 。 鋁的主要缺點(diǎn)是： PN 結(jié)中的鋁釘現(xiàn)象和電遷移效應(yīng)。 工作氣體 射頻源 陰 極 陽 極 加熱器 PECVD 通常用于淀積絕緣層，所以必須用射頻方式產(chǎn)生等離子體。 APCVD 中影響膜厚均勻性的因素： (1) 的不均勻，(2) 反應(yīng)劑濃度由前至后的下降。 ggaDhT???as eEkTk ??式中， 當(dāng)溫度較高時(shí)， hg ks ， J = hgCg ，淀積速率由 hg 決